一种PCB板局部镀厚铜及其制备方法技术

本发明专利技术属于PCB板镀铜技术领域。本发明专利技术提供了一种PCB板局部镀厚铜及其制备方法，制备方法包括如下步骤：将钻孔处理的PCB基板进行化学沉铜，得到孔内沉积铜的PCB基板；将孔内沉积铜的PCB基板进行掩体后顺次进行镀薄铜、镀厚铜，得到PCB板局部镀厚铜。本发明专利技术的局部镀厚铜颗粒细小，排列紧密，无漏镀现象；板面铜厚均匀，无边缘效应，提高了铜层的光亮度和附着力，镀铜均匀性达到99％以上；本发明专利技术的局部镀厚铜方法极大的减少了铜的消耗，提高了PCB板的散热性能，降低了材料成本；可以根据实际需要在PCB板的任意部位进行局部镀厚铜，提高了PCB板局部镀厚铜的成功率和效率。局部镀厚铜的成功率和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种PCB板局部镀厚铜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及PCB板镀铜
，尤其涉及一种PCB板局部镀厚铜及其制备方法。

技术介绍

[0002]微孔化学镀铜金属化导电处理后，铜附着于微孔内壁，颗粒细小，但排列疏松且局部区域容易发生漏镀，所以需要加厚镀铜。目前，高厚铜印制电路板的制作通常采用常规的PCB板全板电镀铜，需要将全板电镀铜至10盎司，极大的增加铜的消耗，增加制造成本；而且全板电镀铜增加到10盎司，在蚀刻的过程中对线路侧蚀非常严重，不利于品质的管控。
[0003]局部加厚镀铜能够减少铜的消耗，降低制造成本，提高产品的品质。局部加厚镀铜包含一次沉铜和加厚镀铜，现有技术中的一次沉铜和加厚镀铜的镀铜液容易出现板面粗糙，铜层附着力差，容易脱落等问题，并且局部加厚镀层还能产生焊盘的边缘效应，板面铜厚不均匀等，影响PCB的性能。
[0004]因此，研究开发一种提高板面光亮度、铜层附着力和板面铜厚均匀性，减少边缘效应的PCB板局部镀厚铜的方法，具有广阔的应用前景。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是针对现有技术的不足提供一种PCB板局部镀厚铜及其制备方法。
[0006]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0007]本专利技术提供了一种PCB板局部镀厚铜的制备方法，包括如下步骤：
[0008]1)将钻孔处理的PCB基板进行化学沉铜，得到孔内沉积铜的PCB基板；
[0009]2)将孔内沉积铜的PCB基板进行掩体后顺次进行镀薄铜、镀厚铜，得到PCB板局部镀厚铜。
[0010]作为优选，步骤1)所述化学沉铜和步骤2)所述镀薄铜的试剂包含硫酸铜、氢氧化钠、甲醛、乙二胺四乙酸钠、乙醛酸、酒石酸钾钠和水；步骤1)所述化学沉铜的时间为10～20min。
[0011]作为优选，所述试剂中，硫酸铜的浓度为0.025～0.03mol/L，氢氧化钠的浓度为0.35～0.45mol/L，甲醛的浓度为0.005～0.01mol/L，乙二胺四乙酸钠的浓度为0.06～0.08mol/L，乙醛酸的浓度为0.01～0.03mol/L，酒石酸钾钠的浓度为0.03～0.04mol/L。
[0012]作为优选，步骤2)所述薄铜的厚度为0.4～0.7μm。
[0013]作为优选，步骤2)中掩体所用的材料包含石蜡、硬脂酸和松香中的一种或几种。
[0014]作为优选，步骤2)所述镀厚铜采用电镀法，电镀过程中的电解液包含五水硫酸铜、硫酸溶液、氯化钠和镀铜光亮剂。
[0015]作为优选，所述五水硫酸铜、硫酸溶液、氯化钠和镀铜光亮剂的质量体积比为25～35g：150～200mL：3～8g：1～3g；所述硫酸溶液的质量浓度为10～15％。
[0016]作为优选，步骤2)所述厚铜的厚度为3.2～4mm。
[0017]本专利技术还提供了一种所述的制备方法得到的PCB板局部镀厚铜。
[0018]本专利技术的有益效果包括以下几点：
[0019]1)本专利技术的铜附着于微孔内壁，颗粒细小，排列紧密，无漏镀现象，提高了PCB板的布线密度；本专利技术的方法使得板面铜厚均匀，无边缘效应，提高了铜层的光亮度和附着力，镀铜均匀性达到99％以上。
[0020]2)本专利技术的局部镀厚铜方法极大的减少了铜的消耗，提高了PCB板的散热性能，降低了材料成本；可以根据实际需要在PCB板的任意部位进行局部镀厚铜，提高了PCB板局部镀厚铜的成功率和效率。
具体实施方式
[0021]本专利技术提供了一种PCB板局部镀厚铜的制备方法，包括如下步骤：
[0022]1)将钻孔处理的PCB基板进行化学沉铜，得到孔内沉积铜的PCB基板；
[0023]2)将孔内沉积铜的PCB基板进行掩体后顺次进行镀薄铜、镀厚铜，得到PCB板局部镀厚铜。
[0024]本专利技术的PCB基板钻孔处理前优选进行预处理，所述预处理优选包含除胶、除油、微蚀。
[0025]本专利技术所述除油优选为PCB基板浸入酸性去油液中，所述除油的温度优选为40～50℃，进一步优选为42～48℃，更优选为44～46℃；所述除油的时间优选为1～3min，进一步优选为2min。本专利技术的除油温度和时间能够有效防止膜层与铜面的剥离，镀铜时的渗镀以及杂质滞留于板面上造成线路缺口的现象。
[0026]本专利技术所述微蚀的试剂优选过硫酸钠溶液和盐酸的混合液；所述过硫酸钠溶液的浓度优选为40～50g/L，进一步优选为42～48g/L，更优选为44～46g/L；所述盐酸的质量分数优选为5～10％，进一步优选为6～9％，更优选为7～8％；所述混合液中，过硫酸钠溶液和盐酸的质量比优选为3～4:1，进一步优选为3.5:1。本专利技术所述微蚀的时间优选为2～3min，进一步优选为2.5min。本专利技术的微蚀步骤使铜面变得较为粗糙，增强镀铜时铜层的附着力，有效防止出现微蚀过度、板上孔内无铜、铜层剥离的现象。
[0027]本专利技术步骤1)所述化学沉铜和步骤2)所述镀薄铜的试剂优选包含硫酸铜、氢氧化钠、甲醛、乙二胺四乙酸钠、乙醛酸、酒石酸钾钠和水；所述试剂中，硫酸铜的浓度优选为0.025～0.03mol/L，进一步优选为0.026～0.028mol/L，更优选为0.027mol/L；氢氧化钠的浓度优选为0.35～0.45mol/L，进一步优选为0.37～0.42mol/L，更优选为0.39～0.40mol/L；甲醛的浓度优选为0.005～0.01mol/L，进一步优选为0.006～0.009mol/L，更优选为0.007～0.008mol/L；乙二胺四乙酸钠的浓度优选为0.06～0.08mol/L，进一步优选为0.07mol/L；乙醛酸的浓度优选为0.01～0.03mol/L，进一步优选为0.02mol/L；酒石酸钾钠的浓度优选为0.03～0.04mol/L，进一步优选为0.032～0.038mol/L，更优选为0.034～0.036mol/L。
[0028]本专利技术步骤1)所述化学沉铜的时间优选为10～20min，进一步优选为12～18min，更优选为14～16min。
[0029]本专利技术步骤2)所述薄铜的厚度优选为0.4～0.7μm，进一步优选为0.5～0.6μm，更优选为0.55μm；所述镀薄铜的时间优选为8～12min，进一步优选为9～11min，更优选为10min。
[0030]本专利技术所述化学沉铜和镀薄铜的试剂和时间能够保证孔内和板面镀铜层无孔洞、厚度均匀。
[0031]本专利技术步骤2)中掩体所用的材料优选包含石蜡、硬脂酸和松香中的一种或几种；当掩体同时包含几种材料时，各种材料优选以等质量比进行混合。
[0032]本专利技术步骤2)所述镀厚铜优选采用电镀法，电镀过程中的电解液优选包含五水硫酸铜、硫酸溶液、氯化钠和镀铜光亮剂；所述五水硫酸铜、硫酸溶液、氯化钠和镀铜光亮剂的质量体积比优选为25～35g：150～200mL：3～8g：1～3g，进一步优选为27～32g：160～190mL：4～7g：1.5～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PCB板局部镀厚铜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将钻孔处理的PCB基板进行化学沉铜，得到孔内沉积铜的PCB基板；2)将孔内沉积铜的PCB基板进行掩体后顺次进行镀薄铜、镀厚铜，得到PCB板局部镀厚铜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述化学沉铜和步骤2)所述镀薄铜的试剂包含硫酸铜、氢氧化钠、甲醛、乙二胺四乙酸钠、乙醛酸、酒石酸钾钠和水；步骤1)所述化学沉铜的时间为10～20min。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述试剂中，硫酸铜的浓度为0.025～0.03mol/L，氢氧化钠的浓度为0.35～0.45mol/L，甲醛的浓度为0.005～0.01mol/L，乙二胺四乙酸钠的浓度为0.06～0.08mol/L，乙醛酸的浓度为0.01～0.03mol/L，酒石酸钾钠的浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢祯飏，
申请(专利权)人：万安裕维电子有限公司，
类型：发明
国别省市：