一种硅片表面图形刻蚀设备及其处理方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片表面图形刻蚀设备，包括：操作面、刻蚀液控制组件，操作面上设置有用于安装硅片的凹槽；硅片阵列有若干分割区域，每个硅片根据光刻胶图案在对应的分割区域黏附有容纳结构；容纳结构由增强纤维构筑而成，并通过若干支撑纤维粘合，支撑纤维向容纳结构内侧延伸一定长度，支撑纤维伸长端涂覆有超亲水介质层；每个分割区域均对应有操作头，操作头安装有滴加管、导流纤维、吸湿纤维、若干伸缩钎管以及液面检测仪器；导流纤维、吸湿纤维表面分别涂覆有超疏水介质层和超亲水介质层。该装置能通过操作头实现粗滴加、精滴加、精吸湿刻蚀液，实现对刻蚀液的液厚精确控制，并通过操作头上的伸缩钎管以及液面检测仪器精确控制液面的平整度。确控制液面的平整度。确控制液面的平整度。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片表面图形刻蚀设备及其处理方法


[0001]本专利技术涉及硅片生产
或湿法刻蚀
，尤其涉及一种硅片表面图形刻蚀设备及其处理方法。

技术介绍

[0002]在硅片制造的过程中，要通过刻蚀从晶片表面去除不需要的材料。最常见的处理方法是湿法刻蚀，湿法刻蚀是利用溶液和薄膜的进行化学反应去除需要刻蚀的部分而达成在各种功能材料上形成微纳米图形结构的技术。
[0003]刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，如铝合金连线、多晶硅栅、浅沟槽隔离区。由于器件的结构复杂，因此晶片具有大量需要不同刻蚀参数的材料，这就使得刻蚀的精确程度很难控制。随着特征尺寸的缩小，刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更严格，但特征尺寸的缩小使得刻蚀精度也更难以控制和检测，同时随着新工艺的出现同样给刻蚀过程带来的更大的困难和更高的要求。
[0004]现有的湿法刻蚀装置无法对每个硅片滴加的刻蚀液进行精确控制，进而无法对刻蚀深度进行控制，以及硅片表面刻蚀不平整。
[0005]有鉴于此，有必要对现有技术中湿法刻蚀装置予以改进，以解决硅片刻蚀深度的精确难以控制、硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面图形刻蚀设备，包括：操作面、刻蚀液控制组件，其特征在于，所述刻蚀液控制组件正对所述操作面的上方；所述操作面上阵列设置有用于安装所述硅片的若干凹槽；每个所述硅片阵列有若干分割区域，每个所述硅片根据光刻胶图案分别在对应的分割区域黏附有用于容纳刻蚀液的容纳结构；所述容纳结构由增强纤维构筑而成，每层所述增强纤维通过若干支撑纤维粘合，所述支撑纤维向所述容纳结构内侧延伸一定长度，至少在所述支撑纤维伸长端涂覆有超亲水介质层；每个所述分割区域均对应有一操作头，所述操作头安装有滴加管、导流纤维、吸湿纤维、若干伸缩钎管以及液面检测仪器；所述滴加管和所述导流纤维均连接有刻蚀液存储腔，所述导流纤维、吸湿纤维表面分别涂覆有超疏水介质层和超亲水介质层。2.根据权利要求1所述的一种硅片表面图形刻蚀设备，其特征在于：导流纤维和所述吸湿纤维为米字形、类三角形、C字形结构。3.根据权利要求1所述的一种硅片表面图形刻蚀设备，其特征在于：所述操作面上每个所述凹槽等角度设置有若干夹持组件，以固定所述硅片。4.根据权利要求1所述的一种硅片表面图形刻蚀设备，其特征在于：每个所述伸缩钎管均对应一所述支撑纤维的伸长端，所述伸缩钎管能够控制所述支撑纤维的伸长端与顶层的所述增强纤维之间的夹角。5.根据权利要求1所述的一种硅片表面图形刻蚀设备，其特征在于：所述增强纤维间隔涂覆有超疏水介质层和超亲水介质层，并且顶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许红梅，闫艳琴，王迪，
申请(专利权)人：上海集众慧智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：