【技术实现步骤摘要】
高吞吐量、多室衬底处理系统
[0001]本申请涉及衬底处理系统，尤其涉及具有多个处理室的衬底处理系统。
技术介绍
[0002]制造半导体装置，例如在集成电路制造中，通常涉及对衬底(例如半导体晶片)进行许多处理，例如抛光、沉积、蚀刻、光刻、热处理等。由于对处理结果的质量的严格要求，在某些情况下，这些不同的处理可能在专用室中进行，这些室配置为一次处理一个衬底。结果，一次处理多个衬底需要处理系统具有多个处理室。
[0003]具有这些多个室的系统庞大，并且需要在系统内移动衬底，这可能限制处理吞吐量。因此，持续需要用于在多个室中以高吞吐量处理衬底的系统和方法。
技术实现思路
[0004]在一些实施例中，用于处理衬底的半导体处理系统包括第一处理模块组件、第二处理模块组件、第三处理模块组件和控制器。第一处理模块组件包括包含第一衬底传送装置的第一传送室、以及多个第一处理模块。第一处理模块附接至第一传送室且可由第一衬底传送装置访问。第二处理模块组件包括包含第二衬底传送装置的第二传送室、以及多个第二处理模块。第二处理模块...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理衬底的半导体处理系统，所述处理系统包括：第一处理模块组件，包括：第一传送室，其包括第一衬底传送装置；以及多个第一处理模块，所述第一处理模块各自附接至所述第一传送室且可由所述第一衬底传送装置访问；第二处理模块组件，包括：第二传送室，其包括第二衬底传送装置；以及多个第二处理模块，所述第二处理模块各自附接至所述第二传送室且可由所述第二衬底传送装置访问；所述第一处理模块组件和所述第二处理模块组件之间的第三处理模块组件，所述第三处理模块组件包括：第三传送室，其包括第三衬底传送装置；第三处理模块，其附接至所述第三传送室且可由所述第三衬底传送装置访问；以及可重新密封的开口，用于从外部环境接收衬底，其中所述第三处理模块组件的第一侧附接至所述第一处理模块组件，且所述第三处理模块组件的第二侧附接至所述第二处理模块组件；以及控制器，配置为执行以下动作，包括：使用所述第一衬底传送装置、所述第二衬底传送装置和所述第三衬底传送装置将衬底从负载锁定室依次加载到所述第一处理模块、所述第二处理模块和所述第三处理模块；处理加载到所述处理模块中的衬底；以及在将经处理的衬底从所述第三处理模块卸载之前，使用所述第一衬底传送装置、所述第二衬底传送装置和所述第三衬底传送装置从所述第一处理模块和所述第二处理模块卸载经处理的衬底。2.如权利要求1所述的处理系统，其中处理衬底包括，在完成每个处理模块的加载时，在所述处理模块中依次开始处理衬底，同时加载其他处理模块。3.如权利要求1所述的处理系统，其中卸载经处理的衬底包括，从所述第一处理模块、所述第二处理模块、然后是所述第三处理模块，依次卸载衬底。4.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一处理模块组件和所述第二处理模块组件附接至所述第三处理模块组件的相对侧。5.如权利要求1所述的处理系统，还包括：负载锁定室，配置为与所述可重新密封的开口对接；以及运输室，包括用于与衬底载体对接的多个加载端口，其中所述运输室附接至所述负载锁定室并配置为向所述负载锁定室提供衬底。6.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第三处理模块附接至所述第三传送室的与所述可重新密封的开口相对的一侧。7.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一处理模块、所述第二处理模块和所述第三处理模块中的每一个包括用于处理衬底的四个反应室。8.如权利要求1所述的处理系统，其中依次加载衬底包括：将衬底从所述第三衬底传送装置直接传送至所述第一衬底传送装置；以及
将衬底从所述第三衬底传送装置直接传送至所述第二衬底传送装置。9.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一衬底传送装置包括第一臂，每个第一臂具有第一末端执行器，所述第二衬底传送装置包括第二臂，每个第二臂具有第二末端执行器，并且所述第三衬底传送装置包括第三臂，每个第三臂具有第三末端执行器，其中所述第一末端执行器、所述第二末端执行器和所述第三末端执行器中的每一个包括彼此间隔开的两个拾取延伸部，其中所述第三末端执行器的两个拾取延伸部之间的距离不同于所述第一末端执行器和所述第二末端执行器的两个拾取延伸部之间的距离。10.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一传送室和所述第二传送室中的每...
【专利技术属性】
技术研发人员：森幸博，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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