瓦片式TR组件装置、外部散热结构及返工结构制造方法及图纸

本发明专利技术涉及瓦片式TR组件装置、外部散热结构及返工结构，瓦片式TR组件装置包括内部散热结构；所述内部散热结构包括壳体和散热柱；电路基板开设有第一安装孔；壳体底面开设有第二安装孔；电路基板焊接于壳体的底面内侧；高功放组件包括高功放芯片和散热柱；高功放芯片焊接于散热柱上端表面；散热柱穿过第一安装孔，且散热柱的下段侧面焊接于第二安装孔的内侧表面；高功放组件与电路基板焊接互联。本发明专利技术通过设计内部散热结构和外部散热结构，使得高功放芯片向外传热的方式主要为热传导，传热方式稳定、可靠；返工结构可实现单一或多个高功放芯片部件的返工拆卸及安装。放芯片部件的返工拆卸及安装。放芯片部件的返工拆卸及安装。

【技术实现步骤摘要】
瓦片式TR组件装置、外部散热结构及返工结构


[0001]本专利技术涉及TR组件，具体涉及一种瓦片式TR组件装置、外部散热结构及返工结构。

技术介绍

[0002]TR组件是有源相控阵雷达系统的核心产品，每一个天线单元都有1个TR组件与之对应，故一个相控阵雷达系统内有成百上千甚至数万个TR组件。舰载和机载等军事雷达系统对TR组件的体积、重量、能耗等有着极为苛刻的要求，故而实现TR组件小型化具有相当重要的意义。采用瓦片式TR组件设计技术难度大、单元尺寸更小，必须采用高密度集成技术和小型化技术。
[0003]瓦片式TR整件的主要热源为高功放芯片，第三代半导体氮化镓高功放芯片热耗可达20W以上，单个小型瓦片式组件热耗较高。
[0004]由于瓦片式TR整件热耗高，结构紧凑，热流密度大幅增加，导致温升较大，降低了整件的性能和可靠性，因此解决散热问题尤为重要。
[0005]另外，由于瓦片式TR组件可能包括多个密度较高的高功放芯片，当拆卸重装时，单独融化一个芯片的焊料，热源会不可避免的影响其他高功放芯片，这也是一个急需解决的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瓦片式TR组件装置，其特征在于：电路基板(102)开设有第一安装孔；壳体(103)底面开设有第二安装孔；电路基板(102)焊接于壳体(103)的底面内侧；高功放组件(101)包括高功放芯片(106)和散热柱；高功放芯片(106)焊接于散热柱上端表面；散热柱穿过第一安装孔，且散热柱的下段侧面焊接于第二安装孔的内侧表面；高功放组件(101)与电路基板(102)焊接互联。2.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件装置，其特征在于：散热柱包括导热材料制成的凸台(110)和载体(108)；高功放芯片(106)焊接于载体(108)的上表面；载体(108)焊接于凸台(110)上表面；凸台(110)穿过穿过第一安装孔，且凸台(110)的下段侧面焊接于第二安装孔的内侧表面。3.根据权利要求2所述的瓦片式TR组件装置，其特征在于：凸台(110)为无氧铜制成；载体(108)为金刚石铜制成。4.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件装置，其特征在于：壳体(103)底面开设有第三安装孔；背面裸芯片(104)在第三安装孔的位置与电路基板(102)的背面互连。5.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件装置，其特征在于：电路基板(102)上连接有多个高功放芯片(106)；多个高功放芯片(106)互相分散地、位置均匀地布置。6.一种用于瓦片式TR组件的外部散热结构，其特征在于：外部散热结构(2)包括导热材料(201)和液冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞民良，
申请(专利权)人：无锡华测电子系统有限公司，
类型：发明
国别省市：