【技术实现步骤摘要】
一种快速仿真光刻工艺的计算方法及系统
[0001]本专利技术属于半导体制造领域的计算机辅助设计方面,具体涉及一种快速仿真光刻工艺的计算方法和装置,用于版图光学邻近修正处理。
技术介绍
[0002]光刻是集成电路生产的最重要步骤之一。如图1所述,其为光刻系统工作原理示意图,该系统包括自上而下顺序排列的光源1、掩膜2、缩图透镜3及待曝光的晶圆4。芯片生产中,当晶圆4上的线宽小于曝光波长时,必须对掩膜2上的图形做邻近效应修正,以避免在光干涉衍射及其他复杂工艺作用下导致的硅片成像后图形失真。光学邻近修正就是利用光学计算对掩膜上的图形进行修改,以弥补光刻机波长和所制造的芯片线宽的差距。
[0003]光学邻近修正的基本原理是通过对相应的光刻工艺进行仿真,然后使用数值优化的方法对掩膜图形进行迭代优化,从而达到集成电路制造所需要的分辨精度。由于需要复杂且精确的光学模型来达到亚纳米级的仿真精度,使得计算量巨大,而且随着摩尔定律的不断推进呈指数级增长。比如,每一个新的节点(如14纳米),对应于前一个节点(如14纳米节点的前一个节点为22纳米),其单位面积的版图密度会增加2倍以上,而相应的单位计算量只能提高25%左右。在保证仿真精度的前提下提高计算速度,成为推进光学邻近修正技术向前发展的重要驱动因素。
[0004]仿真光刻系统的光学成像部分可以通过Hopkins公式的四重积分进行计算。而计算Hopkins的关键是计算透射交叉系数(Transmission Cross Coefficient或简称TCC)公式。目前现有的计算 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种快速仿真光刻工艺的计算方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、使用数值积分公式,获取计算Hopkins公式所需的采样点(f
’
,g
’
);S2、计算PupilK函数、PupilK*函数以及光源J函数的两两重叠区域,每个重叠区域均采用分段参量形式表示;S3、计算所述重叠区域的共有区域即积分区域,所述积分区域是一个或多个分段区域,每一分段区域均用分段参数量的方式表示;S4、对所述积分区域进行网格划分,对每一个网格计算数值积分;S5、对未达到积分精度的网格,进行更精细的划分并计算相应的积分值,直到积分精度达到预先设定的精度要求;S6、将每一个分段区域的积分值相加得到TCC函数值;S7、完成Hopkins公式的数值积分运算,得到所需的光强值。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述S1具体包括:对于计算Hopkins公式,使用现有积分方法,将积分用以下求和方式表示:I(f,g)=∑w
f',g'
T(f+f',g+g';f',g')F(f+f',g+g')F
*
(f',g')其中,(f
’
,g
’
)和w
f',g'
为通过高斯
‑
勒让德数值积分方法确定的采样点和积分权重。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述S2具体包括:所述T(f
’
,g
’
,f”,g”)是由以下的两重积分完成:T(f',g';f”,g”)=∑J(f,g)K(f+f',g+g')K
*
(f+f”,g+g”)其积分区域是由三个区域重叠得到:中心在(
‑
f
’
,
‑
g
’
),半径为1的PupilK函数;中心在(
‑
f”,
‑
g”),半径为1的PupilK*函数;以及,中心在(0,0)的光源J函数。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述S3具体为:使用几何算法获取这三个重叠区域的共有区域,所述共有区域是一个或多个有解析表达式的曲线组成的分段区域,每一所述分段区域均由解析解的方式来表达。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述S4包括:对所述积分区域,用初始网格进行划分,然后使用高斯
‑
勒让德数值积分方法对每一个网格进行积分计算。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述S5包括:对每一个网格积分的误差进行估算,对没有达到预先设置的积分精度要求的网格,如在接近积分区域的不规则边界的网格,进行更精细的划分;如果需要,对网格可以进行递归划分,直到积分精度达到要求。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述S6包括:将每一个分段区域内的所有网格的积分值相加得到该分段区域的积分值,将所有分段区域的积分值相加得到T(f
’
,g
’
;f”,g”)的值。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述S7包括:对所有S1中的采样点重复S2
‑
6获得相应的T函数值,从而完成Hopkins积分计算,获得光强值。9.一种用于实现权利要求1所述方法的系统,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡滨,
申请(专利权)人:珠海市睿晶聚源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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