新型覆盖层用化合物以及包含上述覆盖层用化合物的有机发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种以下述化学式1表示的覆盖层用化合物以及包含上述覆盖层用化合物的有机发光元件。<化学式1>。。。

【技术实现步骤摘要】
新型覆盖层用化合物以及包含上述覆盖层用化合物的有机发光元件


[0001]本专利技术涉及一种覆盖层用化合物以及包含上述覆盖层用化合物的有机发光元件。

技术介绍

[0002]在有机发光元件中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。
[0003]此外，上述发光材料可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料以及源于电子的三重激发态的磷光材料，还可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、红色发光材料。
[0004]一般的有机发光元件可以采用在基板上部形成阳极，并在上述阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层以及阴极的结构。其中，空穴输送层、发光层以及电子输送层是由有机化合物构成的有机薄膜。
[0005]如上所述结构的有机发光元件的驱动原理如下所述。
[0006]当在上述阳极以及阴极之间加载电压时，从阳极注入的空穴将经由空穴输送层移动到发光层，而从阴极注入的电子将经由电子输送层移动到发光层。上述空穴以及电子将在发光层重新结合并生成激子。
[0007]在上述激子从激发态转换成基态的过程中将生成光线。有机发光元件的效率通常可以分为内部发光效率以及外部发光效率。内部发光效率与在如空穴输送层、发光层以及电子输送层等介于第1电极与第2电极之间的有机层中生成激子并实现光转换的效率相关，理论上荧光的内部发光效率为25％，而磷光为100％。
[0008]此外，外部发光效率是指在有机层中生成的光线被提取到有机发光元件外部的效率，目前已经得知通常有内部发光效率的约20％左右可以被提取到外部。作为提升上述光提取效率的方法，为了防止照射到外部的光线因为全反射而发生损失，通常采用将折射率为1.7以上的各种有机化合物作为覆盖层使用的方式，而且为了改善有机发光元件的性能，一直以来都在致力于开发出一种具有可以提升外部发光效率的高折射率以及薄膜稳定性的有机化合物。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于提供一种作为如吲哚嗪或咪唑吡啶等形态的含有1个以上的氮(N)的杂双环结合到两个胺核中的芳胺化合物，可以在具有难以吸收可见光线区域的较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而实现高色纯度、高效率以及长使用寿命的有机发光元件的覆盖层用化合物以及包含上述覆盖层用化合物的有机发光元件。
[0010]此外，本专利技术的目的在于提供一种可以通过优化分子间的薄膜排列而改善折射率，而且可以通过较高的玻璃化转变温度(Tg)以及露点温度(Td)而可以防止分子间的重结
晶并在驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，还可以通过保护元件免受外部空气以及水分的影响而提升稳定性，从而提升外部量子效率并显著改善使用寿命的覆盖层用化合物以及有机发光元件。
[0011]接下来，将对如上所述的课题以及追加课题进行详细的说明。
[0012]为了解决如上所述的课题，在本专利技术的一实施例中，
[0013]提供一种以下述化学式1表示的覆盖层用化合物：
[0014]<化学式1>
[0015][0016](在上述化学式1中，
[0017]X1至X7各自独立地为C、CR或N，其中R各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，相邻的多个R之间可以通过相互结合而形成或不形成环，
[0018]Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，
[0019]L、L0至L3各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或C2～C50的杂亚芳基)。
[0020]此外，在本专利技术的一实施例中，
[0021]提供一种含有如上所述的覆盖层用化合物的有机发光元件。
[0022]根据本专利技术的一实施例的覆盖层用化合物，作为如吲哚嗪或咪唑吡啶等形态的含有1个以上的氮(N)且氮(N)必须位于特定位置上的杂双环结合到两个胺核中的芳胺化合物，可以在具有难以吸收可见光线区域的较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而在适用于有机发光元件的覆盖层时实现高色纯度、高效率以及长使用寿命的有机发光元件。
[0023]此外，可以通过优化分子间的薄膜排列而改善折射率。
[0024]此外，因为具有较高的玻璃化转变温度(Tg)以及较高的露点温度(Td)而可以防止分子间的重结晶并在有机发光元件的驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，还可以通过保护元件免受外部空气以及水分的影响而改善稳定性，从而提升外部量子效率并显著改善使用寿命。
[0025]接下来，将对如上所述的效果以及追加效果进行详细的说明。
附图说明
[0026]图1是根据本专利技术的一实施例的有机发光元件的层结构的概要性截面图。
[0027]图2是对340nm～460nm范围内的吸收波长进行测定的图表。
[0028]【符号说明】
[0029]100：基板
[0030]200：空穴注入层
[0031]300：空穴输送层
[0032]400：发光层
[0033]500：电子输送层
[0034]600：电子注入层
[0035]1000：第1电极
[0036]2000：第2电极
[0037]3000：覆盖层
具体实施方式
[0038]在对本专利技术进行详细的说明之前需要理解的是，在本说明书中所使用的术语只是用于对特定的实施例进行记述，并不是为了对本专利技术的范围进行限定，本专利技术的范围只应通过随附的权利要求书的范围做出限定。除非另有明确的说明，否则在本说明书中所使用的所有技术术语以及科学术语的含义与具有一般知识的人员所通常理解的含义相同。
[0039]在整个本说明书以及权利要求书中，除非另有明确的说明，否则被记载为包含(comprise、comprises、comprising)的术语只是表明包含所提及的物件、步骤或一系列物件以及步骤，并不是事先排除任意其他物件、步骤或一系列物件或一系列步骤。
[0040]在整个本说明书以及权利要求书中，术语“芳基”是指如包括苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三亚苯基、亚苯基、基、荧蒽基、苯并芴基、苯并三亚苯基、苯并基、蒽基、茋基以及芘基等芳环的C5
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50的芳烃环基，而“杂芳基”是指如包括吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基以及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.以下述化学式1表示的覆盖层用化合物：化学式1在上述化学式1中，X1至X7各自独立地为C、CR或N，其中R各自独立地为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，相邻的多个R之间可以通过相互结合而形成或不形成环，Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，L、L0至L3各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或C2～C50的杂亚芳基。2.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式2或下述化学式3表示：化学式2化学式3
在上述化学式2以及化学式3中，对X1至X7、L、L0至L3、Ar1至Ar3的定义与上述化学式1中的定义相同。3.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式4表示：化学式4在上述化学式4中，对X1至X7、L0至L3、Ar1至Ar3的定义与上述化学式1中的定义相同，对R1的定义各自独立地与上述化学式1中的R的定义相同，l为0至5的整数，m各自独立地为0至4的整数。4.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式5表示：化学式5
在上述化学式5中，对X1至X7、L0至L3、Ar1至Ar3的定义与上述化学式1中的定义相同，对R1的定义各自独立地与上述化学式1中的R的定义相同，l为0至5的整数，m各自独立地为0至4的整数。5.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式6或下述化学式7表示：化学式6化学式7在上述化学式6以及化学式7中，对X1至X7、L0至L3、Ar1至Ar3的定义与上述化学式1中的定义相同，
对R1的定义各自独立地与上述化学式1中的R的定义相同，l各自独立地为0至5的整数，m各自独立地为0至4的整数。6.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述化学式1是以下述化学式8或下述化学式9表示：化学式8化学式9在上述化学式8以及化学式9中，对X1至X7、L0至L3、Ar1至Ar3的定义与上述化学式1中的定义相同，对R1的定义各自独立地与上述化学式1中的R的定义相同，l各自独立地为0至5的整数，m各自独立地为0至4的整数。7.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述X1至X7各自独立地为C或CR。8.根据权利要求7所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述CR中的R为氢。9.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述X1至X7中的任一个以上为N。10.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述X1以及X3中的任一个以上为N。
11.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述X2为C。12.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于：上述L、...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金东骏，李东炫，林东焕，安慈恩，权桐热，李成圭，金兑旼，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：