半导体元件的制造方法以及半导体元件技术

本发明专利技术提供半导体元件的制造方法以及半导体元件，在割断基板时能够抑制基板缺口。半导体元件的制造方法包括：第一照射工序，从第一面侧向基板的内部照射激光，在基板的内部形成沿着第一方向排列的多个第一改性部；第二照射工序，向在第二方向上自第一改性部偏离的位置照射激光，在多个第一改性部的第二方向上的相邻位置形成沿着第一方向排列的多个第二改性部；第三照射工序，从第一面侧沿着第一方向中照射激光，在比第一改性部更偏向第一面侧、且是在基板的厚度方向上与多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部。在第三改性部的第二方向上的相邻位置且是在基板的厚度方向上与第二改性部重合的位置不形成改性部。置不形成改性部。置不形成改性部。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法以及半导体元件


[0001]本专利技术涉及半导体元件的制造方法以及半导体元件。

技术介绍

[0002]通常，通过对在基板上形成半导体层而成的晶圆进行切割来获取半导体元件。作为切割晶圆的方法已知有如下方法：将激光向基板内部聚光以形成改性区域，以从该改性区域延伸的裂纹为起点分割晶圆。例如，在专利文献1中记载了如下激光切割方法：通过沿着第一直线及第二直线的激光束照射，在切割道内形成平行排列的两列改性区域。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：(日本)特开2013—48207号公报
[0006]在专利文献1的方法中，由于产生分别从两列改性区域到达基板表面的裂缝，所以在割断基板时，基板有可能会产生缺口。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供能够在割断基板时抑制基板缺口的半导体元件的制造方法以及半导体元件。
[0008]根据本专利技术的一个方式，半导体元件的制造方法包括如下工序：第一照射工序，沿着与具有第一面和第二面的基板的所述第一面平行的第一方向从所述第一面侧向所述基板的内部照射激光，在所述基板的内部形成沿着所述第一方向排列的多个第一改性部、和从所述第一改性部至少朝向所述第一面延伸的裂缝；第二照射工序，在所述第一照射工序之后，从所述第一面侧向在与所述第一方向交叉且与所述第一面平行的第二方向上自所述第一改性部偏离的位置照射激光，在所述多个第一改性部的所述第二方向上的相邻位置形成沿着所述第一方向排列的多个第二改性部；第三照射工序，在所述第二照射工序之后，从所述第一面侧沿着所述第一方向照射激光，在比所述第一改性部更偏向第一面侧、且是在所述基板的厚度方向上与所述多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部；在所述第三照射工序之后，利用按压部件从所述第二面侧按压所述基板来割断所述基板的工序。在所述第三改性部的所述第二方向上的相邻位置且是在所述基板的厚度方向上与所述第二改性部重合的位置不形成改性部。
[0009]根据本专利技术的半导体元件的制造方法以及半导体元件，能够在切割基板时抑制基板的缺口。
附图说明
[0010]图1是本专利技术实施方式中的晶圆的示意性俯视图。
[0011]图2是本专利技术实施方式中的晶圆的示意性剖视图。
[0012]图3A是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第一照射工序的
示意性剖视图。
[0013]图3B是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第一照射工序的示意性俯视图。
[0014]图4A是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第二照射工序的示意性剖视图。
[0015]图4B是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第二照射工序的示意性俯视图。
[0016]图5A是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第三照射工序的示意性剖视图。
[0017]图5B是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中第三照射工序的示意性俯视图。
[0018]图6是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中割断工序的示意性剖视图。
[0019]图7A是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中割断工序的示意性俯视图。
[0020]图7B是示出本专利技术第一实施方式中的半导体元件的制造方法中割断工序的示意性俯视图。
[0021]图8是示出本专利技术第二实施方式中的半导体元件的制造方法中激光的照射工序的示意性剖视图。
[0022]图9是示出本专利技术第三实施方式中的半导体元件的制造方法中激光的照射工序的示意性剖视图。
[0023]图10是示出本专利技术第四实施方式中的半导体元件的制造方法中激光的照射工序的示意性剖视图。
[0024]图11是根据本专利技术的一个实施方式制造的半导体元件的示意性剖视图。
[0025]附图标记说明
[0026]1：半导体元件；
[0027]10：基板；
[0028]11：第一面；
[0029]12：第二面；
[0030]20：半导体层；
[0031]30：片材；
[0032]40：按压部件；
[0033]a、a1～a4：第一改性部；
[0034]b、b1～b4：第二改性部；
[0035]c：第三改性部；
[0036]D：切割道；
[0037]W：晶圆；
[0038]51：第一电极；
[0039]52：第二电极。
具体实施方式
[0040]以下，参照附图说明实施方式。值得注意的是，在各个附图中，对相同结构标以相同标记。
[0041]本专利技术实施方式的半导体元件的制造方法包括：准备晶圆的工序、激光的照射工序、割断晶圆的工序。
[0042]图1是实施方式中的晶圆W的示意性俯视图。图2是晶圆W上的形成有切割道D的部分的示意性剖视图。
[0043]晶圆W有基板10与半导体层20。基板10有第一面11、与第一面11相反的一侧的第二面12。半导体层20设置于基板10的第二面12。
[0044]基板10例如是蓝宝石基板。第一面11例如是蓝宝石的c面。值得注意的是，第一面11可以在能够结晶性良好地形成半导体层20的范围内相对于c面倾斜。在图1中，X方向与Y方向表示在相对于基板10的第一面11平行的面内相互垂直的两个方向。例如，X方向沿着蓝宝石的m轴方向，Y方向沿着蓝宝石的a轴方向。
[0045]半导体层包含例如由In
x
Ai
y
Ga1‑
x
‑
y
N(0≦x、0≦y、x+y＜1)表示的氮化物半导体。半导体层20包含活性层。活性层例如是发出光的活性层。活性层发出的光的峰值波长例如为280nm以上且650nm以下。活性层发出的光的峰值波长也可以是280nm以下或650nm以上的波长。
[0046]在晶圆W上例如呈格子状形成有多个切割道D。切割道D是通过晶圆W的割断而单片化的多个半导体元件之间的交界区域，并且是带有晶圆W的割断不会对半导体元件带来影响的富余度(宽度)地进行设定的区域。另外，切割道D是用于在基板10内形成后述的改性部的激光的扫描区域。
[0047]例如，在切割道D上未形成有半导体层20。在基板10的第二面12上多个半导体层20通过切割道D而分离。值得注意的是，半导体层20也可以不被切割道D分离，而在基板10的第二面12的整个面上形成。
[0048]实施方式的半导体元件的制造方法在准备晶圆W的工序后，具备激光照射工序。
[0049]激光从第一面11侧向基板10内部照射的同时，沿着多个切割道D扫描。在图1示出的X方向与Y方向中，首先沿着在一个方向上延伸的切割道D扫描激光，之后，沿着在另一方向上延伸的切割道D扫描激光。
[0050]激光例如呈脉冲状射出。激光的脉冲宽度可以是1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其中，包括如下工序：第一照射工序，沿着与具有第一面和第二面的基板的所述第一面平行的第一方向从所述第一面侧向所述基板的内部照射激光，在所述基板的内部形成沿着所述第一方向排列的多个第一改性部、和从所述第一改性部至少朝向所述第一面延伸的裂缝；第二照射工序，在所述第一照射工序之后，从所述第一面侧向在与所述第一方向交叉且与所述第一面平行的第二方向上自所述第一改性部偏离的位置照射激光，在所述多个第一改性部的所述第二方向上的相邻位置形成沿着所述第一方向排列的多个第二改性部；第三照射工序，在所述第二照射工序之后，从所述第一面侧沿着所述第一方向照射激光，在比所述第一改性部更偏向第一面侧、且是在所述基板的厚度方向上与所述多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部；在所述第三照射工序之后，利用按压部件从所述第二面侧按压所述基板来割断所述基板的工序；在所述第三改性部的所述第二方向上的相邻位置且是在所述基板的厚度方向上与所述第二改性部重合的位置不形成改性部。2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，包括第四照射工序，在所述第三部照射工序之后，向与所述第三改性部相同的位置从所述第一面侧照射激光。3.如权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，包括在所述第一照射工序之前，准备具有所述基板和设于所述第二面的半导体层的晶圆的工序。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，以使从所述第一改性部到所述第二面的距离比从所述第三改性部到所述第一面的距离大的方式形成所述第一改性部与所述第三改性部。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述第三照射工序之前，重复所述第一照射工序与所述第二照射工序，在基板的厚度方向上形成多对在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口一树，住友新隆，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：