一种自对准像素定义层结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自对准像素定义层结构，具有：衬底；阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。成本更低。成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准像素定义层结构


[0001]本技术属于微显示屏
，尤其涉及一种自对准像素定义层结构。

技术介绍

[0002]在显示中，像素定义层(PDL)被用来定义像素区域，隔离像素，防止光学串扰和电学串扰。
[0003]在实现本技术的过程中，技术人发现现有技术至少存在以下问题：一般使用光刻加刻蚀的工艺，为了避免光刻对位偏差导致的偏位，PDL和阳极有一定的重叠(overlap)，重叠区域大小大于对位精度至少0.2
‑
0.3um左右。对于微显示，因为阳极像素面积很小，overlap占用一部分发光区域，会导致开口面积损失约30％，导致发光效率降低，亮度降低。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是提供一种不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低的自对准像素定义层结构。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种自对准像素定义层结构，具有：
[0006]衬底；
[0007]阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；
[0008]像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；所述像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；所述像素定义层通过干刻成型。
[0009]所述像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
[0010]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度；节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例中提供的自对准像素定义层结构的结构示意图；
[0012]图2为图1的自对准像素定义层结构的加工工艺流程图；
[0013]上述图中的标记均为：1、衬底，2、阳极，3、像素定义层。
具体实施方式
[0014]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
[0015]参见图1
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2，一种自对准像素定义层结构，具有：
[0016]衬底；
[0017]阳极，衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；
[0018]像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；像素定义层通过干刻成型。
[0019]像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
[0020]像素定义层(氮化硅、氧化硅或氮氧化硅)沉积后，自对准阳极结构，干刻PDL层，由于干刻的特性，阳极侧壁的PDL会保留下来，再干刻减薄阳极，形成PDL凹槽，最终形成PDL定义的阳极结构。1.自对准工艺形成的PDL不占用阳极区域，不影响开口面积，有利于提高发光亮度。2.自对准工艺节省一道光刻工艺，工艺更简单，成本更低。3.自对准工艺以阳极结构自对准，不使用光刻，避免了光刻对位偏差导致的像素间差异，像素间均一性更好。自对准像素定义层工艺解决了传统像素定义层占用像素区域，影响开口面积导致亮度低；工艺复杂成本高；对位偏差导致像素间均一性差的问题。
[0021]一种上述的自对准像素定义层结构的加工方法，包括如下步骤：
[0022]1)在衬底上制备阳极；
[0023]2)在衬底和阳极上沉积像素定义层；
[0024]3)干刻像素定义层，由于干刻的特性，干刻过程中，阳极侧壁的像素定义层会保留下来；
[0025]4)干刻减薄阳极，形成沉积像素定义层凹槽，最终形成像素定义层定义的阳极结构。
[0026]第1)步包括阳极沉积、光刻、刻蚀、剥离，包括如下步骤：
[0027]a)PVD(物理气相沉积)依次沉积ITO(氧化铟锡)
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底层、Al、ITO
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顶层，厚度分别为100
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500A、500
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2000A、500
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5000A，其中ITO沉积参数为：ITO靶材，压力10
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1000mT，功率500
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5000W，Ar气体流量10
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100sccm，温度20
‑
50℃，时间20
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200s；Al沉积参数：Al靶材，压力10
‑
500mT，功率500
‑
2000W，Ar气体流量10
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100sccm，室温，时间20
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200s；
[0028]b)光刻机阳极光刻，涂胶：1
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5um光刻胶，曝光：100
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1000mj能量，显影：显影液显影60
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300s；
[0029]c)干刻机刻蚀阳极，干刻参数：压力10
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100mT，功率100
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2000W，Ar流量10
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100sccm，HBr流量10
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100sccm，Cl2流量10
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100sccm，温度20
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70℃，时间20
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200s；
[0030]d)剥离机剥离光刻胶，剥离液剥离100
‑
1000s，温度30
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80℃。
[0031]上述第2)步中，CVD(化学气相沉积)沉积氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，厚度500
‑
5000A，氮化硅沉积参数：压力10
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100mT，功率200
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2000W，SiH4流量10
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200sccm，NH3流量10
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100sccm，温度200
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400℃，时间10
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100s；氧化硅沉积参数：压力10
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100mT，功率200
‑
2000W，SiH4流量10
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200sccm，N2O流量10
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5000sccm，温度200
‑
400℃，时间10
‑
100s；氮氧化硅沉积参数：压力10
‑
100mT，功率200
‑
2000W，SiH4流量10
‑
200sccm，N2O流量10
‑
400sccm，温度200
‑
400℃，时间10
‑
100s。
[0032]上述第3)步中，干刻机刻蚀氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，刻蚀厚度500
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5000A；干刻参数：压力10
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100mT，功率100
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2000W，Ar气体流量10
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100sccm，CHF3气体流量10
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100sccm，O2气体流量10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自对准像素定义层结构，其特征在于，具有：衬底；阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕迅，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：