深紫外面阵成像系统及其像素结构技术方案

本申请提供一种深紫外面阵成像系统及其像素结构，涉及半导体器件领域。像素结构包括像素和电极连接器件；像素包括光电探测器和被构造成用于控制光电探测器的信号的读取的开关管，开关管具有截止状态和导通状态；光电探测器具有非晶氧化镓薄膜层。电极连接器件包括列电极和行电极，行电极和列电极电绝缘，行电极和列电极被构造成与光电探测器和开关管电性连接用于将开关管读取的信号导出。其能够有效抑制光学串扰，提高成像质量和成像尺寸。提高成像质量和成像尺寸。提高成像质量和成像尺寸。

【技术实现步骤摘要】
深紫外面阵成像系统及其像素结构


[0001]本申请涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种深紫外面阵成像系统及其像素结构。

技术介绍

[0002]深紫外成像技术在电晕检测、火灾预警和深空探测等领域均存在巨大的应用价值。目前用于深紫外成像的技术主要包括紫外光阴极电子加速倍增的真空型紫外成像器件和硅基紫外增强的紫外成像器件。真空型紫外成像器件通过光阴极材料激发的电子经过专门设计的真空电场加速和倍增后轰击在阳极实现光成像；硅基紫外增强的紫外成像器件通过优化探测器感光面、增加滤波片和荧光转换材料等方法提高紫外波段的探测能力。
[0003]申请人在研究中发现，使用宽带隙半导体材料对深紫外光进行直接探测的方法具备量子效率高、紫外探测波段窄、可见光抑制强的优势。

技术实现思路

[0004]本申请实施例在于提供一种深紫外面阵成像系统及其像素结构，其能够有效抑制光学串扰，提高成像质量和成像尺寸。
[0005]本申请实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种深紫外面阵成像系统的像素结构，像素结构包括像素和电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外面阵成像系统的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括像素和电极连接器件；所述像素包括光电探测器和被构造成用于控制所述光电探测器的信号的读取的开关管，所述开关管具有截止状态和导通状态；所述光电探测器具有非晶氧化镓薄膜层；所述电极连接器件包括列电极和行电极，所述行电极和所述列电极电绝缘，所述行电极和所述列电极被构造成与所述光电探测器和所述开关管电性连接用于将所述开关管读取的信号导出。2.根据权利要求1所述的深紫外面阵成像系统的像素结构，其特征在于，所述光电探测器包括与所述非晶氧化镓薄膜层连接的第一收集电极和第二收集电极；所述开关管为二极管，所述二极管的源电极与所述第二收集电极电性连接；所述行电极包括第一行电极，所述第一行电极与所述第一收集电极电性连接，所述二极管的漏电极与所述列电极电性连接。3.根据权利要求1所述的深紫外面阵成像系统的像素结构，其特征在于，所述光电探测器包括与所述非晶氧化镓薄膜层连接的第一收集电极和第二收集电极；所述开关管为三极管，所述三极管的源电极与所述第二收集电极电性连接；所述行电极包括第二行电极和第三行电极，所述第二行电极和所述第三行电极绝缘，所述第二行电极与所述第一收集电极电性连接，所述三极管的漏电极与所述第三行电极电性连接，所述三极管的栅电极与所述列电极电性连接。4.根据权利要求2或3所述的深紫外面阵成像系统的像素结构，其特征在于，所述开关管包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道层、源电极和所述漏电极，所述开关管包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩祖银，梁会力，王燕，刘尧平，梅增霞，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：新型
国别省市：