微继电器制造技术

一种微继电器，包括底基板（３）、电枢块（５）、以及盖子（７）。底基板（３）具有用于容纳电磁装置（１）的凹部（４１）。该凹部由穿过底基板（３）的通孔（４１ａ）和贴附于底基板的一个表面从而封闭该孔的开口的薄膜凹部盖（４１ｂ）形成。电磁装置（１）通过凹部盖（４１ｂ）与接触机构隔开，由此增加接触的可靠性。电磁装置（１）包括磁轭（１０）、缠绕在磁轭（１０）周围从而根据激励电流产生磁通的线圈（１１）、以及附着于磁轭（１０）并产生通过电枢（５１）和磁轭（１０）的磁通的永磁体（１２）。通过将永磁体（１２）贴附于磁轭（１０），可以降低继电器的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种借助半导体微加工技术制造的微继电器。
技术介绍
日本未审查专利公开No.5-114347公开了一种借助半导体微加工技术制造的微继电器。这种微继电器是使用电磁装置的电磁力开合触点的电磁继电器，且包括具有电磁装置的底基板、经垫片固定于底基板的框架、以及具有永磁体且设置在框架内的电枢(armature)。与使用库仑力开合触点的静电继电器相比，这种电磁继电器可以具有较大的驱动力，使得这样的电磁继电器可以通过增加接触压力来提高继电器的可靠性。然而，在上述微继电器中，因为永磁体固定于电枢，所以必须通过相对较大的垫片连接电枢和底基板，从而在电枢与底基板之间形成间隙。因此，存在继电器厚度大的问题。
技术实现思路
从上述问题考虑，本专利技术的目的在于提供一种可以降低厚度并提高可靠性的微继电器。根据本专利技术的一种微继电器包括底基板、电枢块和盖子。底基板具有电磁装置，且在其一个表面上具有固定触点。电枢块包括固定于底基板的该表面的框架，设置在框架内并可旋转地由框架支撑的活动板、以及由活动板支撑并具有活动触点的活动触点基座。活动板与设置在其表面上的磁性材料一起定义电枢，并由电磁装置驱动从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微继电器，包括：具有电磁装置的底基板，所述底基板在其一个表面上具有固定触点；电枢块，包括固定于所述底基板的该表面的框架、设置在所述框架内并可旋转地由所述框架支撑的活动板、以及由所述活动板支撑并具有活动触点的活动触点基座，所述活动板与设置在所述活动板的表面上的磁性材料一起定义电枢并由所述电磁装置驱动从而接通／切断所述固定触点与所述活动触点之间的连接；结合于所述框架的盖子，所述盖子形成了由所述框架围绕并封闭在所述底基板与盖子之间从而容纳所述电枢和所述固定触点的空间；其中所述底基板具有用于容纳所述电磁装置的存储凹部，所述存储凹部包括从所述底基板的该一个表面延伸至其背表面的孔和固定在所述底基板的该...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-1-27 018955/2004;JP 2004-1-27 018957/20041.一种微继电器，包括具有电磁装置的底基板，所述底基板在其一个表面上具有固定触点；电枢块，包括固定于所述底基板的该表面的框架、设置在所述框架内并可旋转地由所述框架支撑的活动板、以及由所述活动板支撑并具有活动触点的活动触点基座，所述活动板与设置在所述活动板的表面上的磁性材料一起定义电枢并由所述电磁装置驱动从而接通/切断所述固定触点与所述活动触点之间的连接；结合于所述框架的盖子，所述盖子形成了由所述框架围绕并封闭在所述底基板与盖子之间从而容纳所述电枢和所述固定触点的空间；其中所述底基板具有用于容纳所述电磁装置的存储凹部，所述存储凹部包括从所述底基板的该一个表面延伸至其背表面的孔和固定在所述底基板的该一个表面上从而封闭所述孔的薄存储凹部盖，所述电磁装置包括磁轭、缠绕在所述磁轭上从而响应激励电流产生磁通的线圈、以及固定于所述磁轭从而产生流经所述电枢和所述磁轭的磁通的永磁体。2.如权利要求1所述的微继电器，其中所述磁轭包括板状横向构件和从所述横向构件的两端竖起的一对脚片，所述永磁体具有高度，且其在高度方向上的相对面被磁化为相反的磁极，所述永磁体的一个磁极面固定于所述对脚片之间所述横向构件的纵向中心，所述线圈在所述永磁体的两侧缠绕在所述横向构件上，所述脚片的顶端面响应流至所述线圈的激励电流而被激励为相反的磁极。3.如权利要求2所述的微继电器，其中所述横向构件具有凹入部分，所述永磁体放入该凹入部分。4.如权利要求2所述的微继电器，其中所述横向构件具有用于防止所述线圈脱落的凸起部分。5.如权利要求4所述的微继电器，其中所述凸起部分形成在所述横向构件下表面上的四个角处。6.如权利要求2所述的微继电器，其中所述磁轭的暴露表面和所述永磁体的表面以树脂涂覆。7.如权利要求6所述的微继电器，其中所述脚片的该顶端面和所述永磁体的顶端面被抛光从而去除树脂涂层，所述脚片的该顶端面和所述永磁体的该顶端面处于相同平面。8.如权利要求2所述的微继电器，其中每个所述脚片的横截面积比所述横向构件的大。9.如权利要求1所述的微继电器，其中所述存储凹部盖由硅层制成，该硅层通过从包括硅衬底和形成在该硅衬底的绝缘层上的薄膜硅层的SOI衬底选择性地去除该硅衬底和该绝缘层形成。10.如权利要求1所述的微继电器，其中所述盖子紧密结合于所述框架从而形成由所述框架围绕并封闭在所述底基板与所述盖子之间的封闭空间，所述底基板具有从该底基板的该一个表面延伸至它的该背表面的固定触点通孔、形成在该底基板的该背表面上的固定触点电极、形成在所述固定触点通孔的内表面上用于所述固定触点与所述固定触点电极之间的电连接的固定触点导电层、以及设置在所述底基板的该一个表面上从而封闭所述固定触点通孔的薄膜通孔盖。11.如权利要求1所述的微继电器，其中所述盖子紧密结合于所述框架从而形成由所述框架围绕并封闭在所述底基板与...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本健，古本宪辉，奥村直树，榎本英树，定森健，岸本慎一，下村勉，境浩司，堀正美，
申请(专利权)人：松下电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]