一种滤光片镀膜装置及镀膜工艺制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种滤光片镀膜装置及镀膜工艺，装置包括腔室，腔室内安装有溅射发生器以及载具，溅射发生器包括放电电极与定位座，定位座内设有多个定位通道，各定位通道内设置有靶材，定位通道始端连接放电电极，载具包括工作盘、旋转机构以及支座，工作盘上端面设有多个收容腔，各收容腔内设置有基片，工作盘底部设有引流单元，引流单元主要由支撑件与引流件组成，引流件用于通电形成电性引流区域；腔室连接有气体控制单元，气体控制单元用于排空腔室内气体或流通等离子体载荷气体，并监控腔室内压力状态。本发明专利技术具有可靠的溅射范围，可提高膜间附着强度，镀膜形成的膜层致密性好，均匀性佳，有利于提高滤光片生产质量。有利于提高滤光片生产质量。有利于提高滤光片生产质量。

【技术实现步骤摘要】
一种滤光片镀膜装置及镀膜工艺


[0001]本专利技术涉及滤光片镀膜生产
，具体涉及一种滤光片镀膜装置及镀膜工艺。

技术介绍

[0002]对于滤光片的镀膜工艺，通常采用物相蒸发沉积镀膜、磁控溅射镀膜以及离子镀，其中磁控溅射镀膜工艺因其镀膜效率高、镀膜粒子附着强度高而被广泛采用。磁控溅射属于辉光放电范畴，利用阴极溅射原理进行镀膜，膜层粒子来源于辉光放电中，氩离子对阴极靶材产生的阴极溅射作用。氩离子将靶材原子溅射下来后，沉积到元件表面形成所需膜层。
[0003]现有技术中，镀膜设备在镀膜阶段易存在局部亮度梯度分层，且镀膜不均匀，膜层的附着强度、致密性差的问题，溅射范围不佳，如专利申请号“CN201610061031.7”公开的“一种连续式镀膜装置”，其工作辉光区域与阴极靶材溅射区域相连，但其放电辉光区域与靶材之间的间距近，不利于形成可靠的溅射区域，膜层不均匀，其致密性、一致性差，又如专利申请号“CN201810094965.X”公开的“一种制备渐变中性密度滤光片的真空磁控溅射镀膜装置”，其包括：真空腔体、圆形挡板机构、转动阴极机构、驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤光片镀膜装置，包括腔室，其特征在于，所述腔室内安装有溅射发生器以及设置在溅射发生器正下方的载具，所述溅射发生器设置在腔室内顶壁处，所述溅射发生器包括放电电极与定位座，所述定位座内设有多个定位通道，各所述定位通道内设置有靶材，所述定位通道始端连接所述放电电极，所述载具包括工作盘、驱动所述工作盘转动的旋转机构以及支座，所述工作盘上端面设有多个收容腔，各所述收容腔内设置有基片，所述收容腔内设有第二连接部，所述第二连接部卡合连接所述基片，所述腔室壁面处设有第一电磁屏蔽层；所述工作盘底部设有引流单元，所述引流单元主要由支撑件与引流件组成，所述支撑件设置在所述支座与所述工作盘之间，所述引流件用于通电形成电性引流区域，所述电性引流区域在高度上的投影面积大于所述收容腔沿水平面的截面面积；所述腔室连接有气体控制单元，所述气体控制单元用于排空所述腔室内气体或流通等离子体载荷气体，并监控所述腔室内压力状态。2.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述定位通道内设有第一连接部，所述第一连接部卡合连接所述靶材，所述定位通道末端设有定位挡板，所述定位挡板上设有定位口。3.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述气体控制单元包括分别流体连接所述腔室的第一气腔、第二气腔、第三气腔以及设置在所述腔室内的压力传感器，所述第一气腔通过导流泵排空所述腔室或将所述腔室恢复为常压状态，所述第二气腔通过输入气管密封连接所述腔室，所述输入气管上安装有输入计量泵，所述第三气腔通过输出气管密封连接所述腔室，所述输出气管上安装有输出计量泵。4.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述引流件呈蜂窝状或多圈环状均匀分布在所述支撑件的上端面，所述引流件在通电状态下，其顶端呈正极性。5.根据权利要求4所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：所述支撑件上设有第二电磁屏蔽层。6.根据权利要求1所述的一种滤光片镀膜装置，其特征在于：还包括降温单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周毅迪，
申请(专利权)人：苏州龙盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：