反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及用于半导体装置的制造等的反射型掩模、以及用于制造反射型掩模的反射型掩模坯料。另外，本专利技术涉及使用了上述反射型掩模的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置制造中的曝光装置的光源的种类从波长436nm的g线，逐渐缩短波长而进化成波长365nm的i线、波长248nm的KrF激光、波长193nm的ArF激光。为了实现更微细的图案转印，开发了使用波长为13.5nm附近的极紫外线(EUV：Extreme Ultra Violet)的EUV光刻技术。在EUV光刻技术中，由于对EUV光透明的材料少，因此使用反射型的掩模。该反射型掩模以具有低热膨胀基板、多层反射膜、保护膜及转印用图案的掩模结构作为基本结构。在低热膨胀基板上形成反射曝光光的多层反射膜。在多层反射膜上形成用于保护多层反射膜的保护膜。在保护膜上形成期望的转印用图案。另外，作为转印用图案的代表例，有二元型反射掩模和相移型反射掩模(半色调相移型反射掩模)，该二元型反射掩模由充分吸收EUV光的比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反射型掩模坯料，其具备：基板、该基板上的多层反射膜、以及该多层反射膜上的吸收体膜，所述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，所述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，所述吸收层的所述硼(B)的含量超过5原子％，所述吸收层的所述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述反射率调整层含有钽(Ta)及氧(O)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素。3.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料，其中，所述反射率调整层进一步含有硼(B)，所述硼(B)的含量超过5原子％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收层包含下表面区域和上表面区域，所述下表面区域包含所述基板侧的表面，所述上表面区域包含与所述基板相反侧的表面，所述下表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)高于所述上表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川真德，笑喜勉，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：