反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料技术

本发明专利技术涉及反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料。通过溅射法制造了一种反射型掩模坯料，其包括基底、多层反射膜和吸收体膜，该多层反射膜由至少两个第一层和至少两个第二层构成，该第一层和第二层交替层叠，且具有彼此不同的光学特性。通过由第一阶段和第二阶段组成的两个阶段来形成每个层，其中从每个层的形成开始时到形成规定厚度为止施加第一阶段，且从形成规定厚度开始到每个层的形成结束为止施加第二阶段；以及将第一阶段的溅射压力设定为高于刚形成层的形成结束时的溅射压力和第二阶段的溅射压力二者。和第二阶段的溅射压力二者。和第二阶段的溅射压力二者。

【技术实现步骤摘要】
反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]该非临时申请根据35U.S.C
§
119(a)要求于2020年3月3日在日本提交的专利申请号2020
‑
35517的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种反射型掩模坯料及其制造方法，该反射型掩模坯料是用于制造诸如LSI等半导体器件的反射型掩模的材料。

技术介绍

[0004]在半导体器件的制造工艺中，使用如下的光刻技术，其中通过对转印掩模照射曝光光，经由缩小投影光学系统，将在转印掩模上形成的电路图案转印到半导体基底(半导体晶片)上。目前，曝光光的主流波长为采用氟化氩(ArF)准分子激光的193nm。
[0005]然而，由于需要形成更微细的图案，因此使用具有波长短于ArF准分子激光的极紫外(以下称为“EUV”)光作为曝光光的EUV光刻技术是有前途的。EUV光是具有约0.2至100nm波长的光，更具体地是具有约13.5nm波长的光。该EUV光对物质具有非常低的透过性，并且不能用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造反射型掩模坯料的方法，该反射型掩模坯料包括基底、在该基底的一个主表面上形成的多层反射膜、以及在该多层反射膜上形成的吸收体膜，所述多层反射膜由交替层叠的至少两个第一层和至少两个第二层构成，所述第一层和第二层具有彼此不同的光学特性，该方法包括通过溅射法交替地形成构成所述多层反射膜的第一层和第二层的步骤，其中在构成所述多层反射膜的第一层和第二层的形成步骤中，通过由第一阶段和第二阶段组成的两个阶段来形成每个层，其中从所述每个层的形成开始时到形成规定厚度为止施加第一阶段，且从形成规定厚度时到所述每个层的形成结束为止施加第二阶段，并且在形成所述第一层之后形成所述第二层中、或者在形成所述第二层之后形成所述第一层中，将所述第一阶段的溅射压力设定为高于刚形成层的形成结束时的溅射压力和所述第二阶段的溅射压力二者。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一阶段中形成的所述规定厚度为整个所述第一阶段和第二阶段中形成的总厚度的1/20以上并且小于1/2。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一阶段的溅射压力为0.08Pa以上，并且所述第二阶段的溅射压力小于0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻月判臣，高坂卓郎，寺泽恒男，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：