反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模技术

本发明专利技术涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。氧组成。氧组成。

【技术实现步骤摘要】
反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]该非临时申请根据35U.S.C
§
119(a)要求于2020年4月10日在日本提交的专利申请号2020
‑
70677的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模，该反射型掩模坯料是用于制造诸如LSI等半导体器件的反射型掩模用的材料。

技术介绍

[0004]在半导体器件的制造工艺中，使用如下的光刻技术，其中通过对转印掩模照射曝光光，经由缩小投影光学系统，将在转印掩模上形成的电路图案转印到半导体基板(半导体晶片)上。目前，曝光光的主流波长为采用氟化氩(ArF)准分子激光的193nm。
[0005]然而，由于需要形成更微细的图案，因此使用具有波长短于ArF准分子激光的极紫外(以下称为“EUV”)光作为曝光光的EUV光刻技术是有前途的。EUV光是具有约0.2至100nm波长的光，更具体地是具有约13.5nm波长的光。该EUV光对物质具有非常低的透过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在该基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在该多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜，其中所述吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层，所述第一层由钽和氮组成，所述第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成，并且所述第一层含有55至70at％的钽和30至45at％的氮。2.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜在厚度方向上的中央部具有非晶或晶体结构，并且基板侧的结晶性高于所述中央部的结晶性。3.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜在厚度方向上的中央部具有非晶或晶体结构，并且在远离基板侧的结晶性高于所述中央部的结晶性。4.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜具有0.6nm以下的表面粗糙度RMS。5.权利要求1所述的反射型掩模坯...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，三村祥平，山本拓郎，稻月判臣，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：