用于制备氢化硅烷低聚物的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制备氢化硅烷低聚物的方法和可通过所述方法得到的氢化硅烷低聚物及其用途。本发明专利技术还涉及一种用于制备涂料组合物和用于制备含硅层的方法。合物和用于制备含硅层的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备氢化硅烷低聚物的方法
专利

[0001]本专利技术涉及一种用于制备氢化硅烷(hydridosilane)低聚物的方法并涉及可通过所述方法得到的氢化硅烷低聚物及其用途。本专利技术还涉及一种用于制备涂料组合物和用于制备含硅层的方法。
[0002]专利技术背景
[0003]氢化硅烷及其低聚物在文献中已知作为用于生产硅层的可能的起始材料。
[0004]氢化硅烷是基本上只含硅和氢原子的化合物。已知可合成获得的氢化硅烷具有11个或更少的硅原子。氢化硅烷原则上可以是气体、液体或固体，尤其是在固体的情况下，基本上可溶于芳族或脂族溶剂诸如甲苯或环辛烷，或可溶于其他液态氢化硅烷诸如新戊硅烷(Si(SiH3)4。氢化硅烷的一些实例是甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、环戊硅烷和新戊硅烷。具有至少三个或四个硅原子的氢化硅烷可以具有带有Si
‑
H键的线性、支化或(任选的双
‑
/多
‑
)环状结构并且可以优选由相应的通式Si
n
H
2n+2
(线性或支化的；其中n＝1
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制备氢化硅烷低聚物的方法，其包括：在支化氢化硅烷化合物(II)存在下使氢化硅烷组合物(I)反应，所述氢化硅烷组合物(I)包含至少一种线性氢化硅烷Si
n
H
2n+2
，其中n≥2，其中所述支化氢化硅烷化合物(II)包含至少一个季硅原子Si(SiR3)4，其中R选自H；Si
n
H
2n+1
，其中n≥1；Si
m
H
2m
，其中m≥2；和Si
j
H
2j
‑1，其中j≥3。2.根据权利要求1所述的方法，其中基于氢化硅烷组合物(I)和支化氢化硅烷化合物(II)的总重量，所述支化氢化硅烷化合物(II)以0.05至50重量％的范围存在。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述支化氢化硅烷化合物(II)选自新戊硅烷、新戊硅烷低聚物、2,2
‑
二甲硅烷基丁硅烷、2,2
‑
二甲硅烷基戊硅烷、3,3
‑
二甲硅烷基戊硅烷、2,2,3
‑
三甲硅烷基丁硅烷、1,1
‑
二甲硅烷基环戊硅烷、2,2,3,3
‑
四甲硅烷基丁硅烷、2,2,3
‑
三甲硅烷基戊硅烷、2,2,4
‑
三甲硅烷基戊硅烷、2,2
‑
二甲硅烷基己硅烷、3,3
‑
二甲硅烷基己硅烷、1,1
‑
二甲硅烷基环己硅烷、1,1,2
‑
三甲硅烷基环戊硅烷、1,1,3
‑
三甲硅烷基环戊硅烷、2,2
‑
二甲硅烷基庚硅烷、3,3
‑
二甲硅烷基庚硅烷、4,4
‑
二甲硅烷基庚硅烷、2,2,3
‑
三甲硅烷基庚硅烷、2,2,4
‑
三甲硅烷基庚硅烷、2,2,5
‑
三甲硅烷基庚硅烷、2,3,3
‑
三甲硅烷基庚硅烷、3,3,4
‑
三甲硅烷基庚硅烷、3,3,5
‑
三甲硅烷基庚硅烷、3
‑
乙硅烷基
‑3‑
甲硅烷基己硅烷、2,2,3,3
‑
四甲硅烷基戊硅烷、2,2,3,4
‑
四甲硅烷基戊硅烷、2,2,4,4
‑
四甲硅烷基戊硅烷、2,3,3,4
‑
四甲硅烷基戊硅烷、3
‑
乙硅烷基
‑
2,2
‑
二甲硅烷基戊硅烷、3,3
‑
双(乙硅烷基)戊硅烷、1,1,2
‑
三甲硅烷基环己硅烷、1,1,3
‑
三甲硅烷基环己硅烷、1,1,4
‑
三甲硅烷基环己硅烷、1,1,2,2
‑
四甲硅烷基环己硅烷、1,1,3,3
‑
四甲硅烷基环己硅烷、1,1,4,4
‑
四甲硅烷基环己硅烷、1,1,2,3
‑
四甲硅烷基环己硅烷、1,1,2,4
‑
四甲硅烷基环己硅烷、1,1,3,4
‑
四甲硅烷基环己硅烷及其混合物，优选地选自新戊硅烷、新戊硅烷低聚物及其混合物。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在支化氢化硅烷化合物(II)存在下在不存在催化剂的情况下使氢化硅烷组合物(I)反应和/或其中所述反应是无溶剂的。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述氢化硅烷组合物(I)包含至少一种线性氢化硅烷Si
n...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：赢创运营有限公司，
类型：发明
国别省市：