电容器粉末及其制备方法以及包含该电容器粉末的电容器技术

技术编号:3121370 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种包含铌阳极、氧化铌耗尽层、半导体阴极和电解质的电解电容器,其中氧化铌耗尽层包含至少一种选自铝、硅、钛、锆、钼、钨、钇和钽的金属。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及生产电解电容器用的粉末,尤其是生产电解电容器阳极用的粉末。文献中描述了特别是作为此种类型电容器生产用原料的土酸(earth acid)金属铌和钽。电容器的生产过程包括,精细分散的粉末经烧结生成具有大表面面积的结构,该烧结体表面再经氧化生成非导电绝缘层,然后施加层状二氧化锰或导电聚合物形式的相反电极。土酸金属之所以特别适用是由于其五氧化物的相对介电常数大。目前,只有钽粉末在电容器生产中取得工业重要性。这一方面归功于精细分散钽粉末的可重现性生产,另一方面是五氧化钽绝缘氧化物层具有特别卓越的稳定性。这很可能是由于钽,不同于铌,不生成稳定的低氧化物。然而,在微电子技术的发展过程中,钽的缺点正变得越来越突出。首先,钽具有16.6g/cm3的非常高的密度。这限制了朝轻质化,特别是移动电子设备,例如移动电话之类的方向发展。鉴于铌的密度只有钽的一半,在相同几何和相同氧化物层性质的前提下与钽相比,每单位重量的铌粉末能达到约是钽粉末两倍的比电容。决定电容器电容的五氧化物绝缘层的材料性质以铌的情况为一方与以钽的情况为另一方,具有部分相反的影响。譬如,电容器电容越高,绝缘层的相对介电常数就越高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含铌阳极、氧化铌阻挡层、半导体阴极和电解质的电解电容器,其中氧化铌阻挡层包含至少一种选自元素铝、硅、钛、锆、钼、钨、钇和钽的金属。

【技术特征摘要】
DE 1999-11-9 19953946.41.一种包含铌阳极、氧化铌阻挡层、半导体阴极和电解质的电解电容器,其中氧化铌阻挡层包含至少一种选自元素铝、硅、钛、锆、钇和钽的金属。2.权利要求1的电容器,其中该金属是钽。3.一种由具有通过阳极氧化生成的阻挡层的烧结铌粉末组成的电容器阳极,其中该阻挡层包含金属铝、硅、钛、锆、...

【专利技术属性】
技术研发人员:K赖歇特O托马斯C施尼特尔
申请(专利权)人:HC施塔克股份有限公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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