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本发明涉及一种包含铌阳极、氧化铌耗尽层、半导体阴极和电解质的电解电容器，其中氧化铌耗尽层包含至少一种选自铝、硅、钛、锆、钼、钨、钇和钽的金属。...
该专利属于H.C.施塔克股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过H.C.施塔克股份有限公司授权不得商用。

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