【技术实现步骤摘要】
一种实现50%占空比驱动的IGBT驱动电路
[0001]本技术涉及IGBT驱动电路
,特别涉及一种实现50%占空比驱动的IGBT驱动电路。
技术介绍
[0002]在电源领域,功率器件(如MOSFET、IGBT)的正常运行需要控制电路、采样电路、驱动电路等各部分的配合,而和功率器件直接相连的驱动电路起着至关重要的作用。
[0003]常用的驱动电路根据隔离情况分为隔离式驱动、非隔离式驱动;根据隔离方式不同可分为变压器隔离式和光耦隔离式;根据驱动电源的不同分为单电源驱动和正负电源驱动。在半桥或全桥电路中,因为存在高端开关管和低端开关管,非隔离式驱动方式已经不能胜任。因光耦隔离式(包括集成驱动模块)通常需要正负双电源,外围器件多,成本高等因素,很少运用在单表式电源中。在半桥或全桥电路中,运用最多的驱动方式为变压器隔离驱动方式。常规的变压器隔离驱动方案在应对50%占空比信号时存在或多或少的缺点,如不能精准输出50%占空比信号、驱动器件发热严重等。
技术实现思路
[0004]本技术提供一种实现50%占空比驱动的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现50%占空比驱动的IGBT驱动电路,其特征在于,包括:驱动变压器,所述驱动变压器中原边端线与输入信号连通、副边通过切换电路与驱动负载连接,单个所述切换电路中,所述驱动变压器副边一脚通过电阻与放电三极管的集电极连接,所述放电三极管的发射极通过二极管与所述驱动变压器副边另一脚实现闭环连接,所述放电三极管的基极与电容、电阻串联接入所述驱动变压器副边另一脚,所述放电三极管的集电极与发射极分别连接着负载驱动端口,所述电容的充电时间小于驱动方波的0.5倍周期与放电三极管的存储时间的差。2.根据权利要求1所述的一种实现50%占空比驱动的IGBT驱动电路,其特征在于,所述驱动变压器为驱动变压器T1,所述驱动变压器T1采用普通绕制方式或者三色三层绝缘线并绕的方式,所述驱动变压器T1的磁芯采用EE系列锰锌铁氧体磁芯或锰锌铁氧体磁环。3.根据权利要求2所述的一种实现50%占空比驱动的IGBT驱动电路,其特征在于,所述驱动变压器T1原边3脚通过电容C2与输入信号PWM
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A连接、原边8脚与输入信号PWM
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B直接连接,驱动变压器T1的副边连有不同的切换电路,切换电路之一,所述驱动变压器T1副边10脚通过电阻R1与...
【专利技术属性】
技术研发人员:张坤永,于俭俭,
申请(专利权)人:青岛仪迪电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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