用于同步整流器反激转换器的自适应栅极调节制造技术

本发明专利技术题为“用于同步整流器反激转换器的自适应栅极调节”。本发明专利技术提供了一种反激转换器，该反激转换器基于同步整流器开关晶体管的先前循环中的操作状况来动态地调整该同步整流器开关晶体管的当前循环的漏极阈值电压。差分放大器在该当前循环的接通时间期间驱动该同步整流器开关晶体管的栅极电压，使得在该当前循环的经调节部分期间该同步整流器开关晶体管的漏极电压等于该漏极阈值电压。体管的漏极电压等于该漏极阈值电压。体管的漏极电压等于该漏极阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
用于同步整流器反激转换器的自适应栅极调节


[0001]本申请涉及开关电源转换器，并且更具体地讲，涉及反激转换器中的同步整流器开关晶体管的自适应栅极调节。

技术介绍

[0002]如反激领域中已知的，反激转换器的变压器中的次级绕组电流被整流以便在初级绕组电流传导时不传导。该整流可以由输出二极管或同步整流器开关晶体管执行。尽管输出二极管是无源的并且因此不需要同步整流器控制，但与具有同步整流的反激转换器相比，使用输出二极管会降低效率。因此，广泛使用同步整流以提高效率。
[0003]同步整流器开关晶体管通常是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。为了控制同步整流器(SR)开关MOSFET的开关，SR控制器监测SR MOSFET上的漏极至源极电压。基于该漏极至源极电压，SR控制器检测电源开关晶体管是否已经断开，使得可以接通SR开关晶体管。例如，如果SR开关晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，则SR控制器通过将SR开关晶体管的栅极至源极电压增加到高于其阈值电压来接通SR开关晶体管。
[0004]反激转换器在操作的连续导电模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于反激转换器的同步整流器控制器，所述同步整流器控制器包括：差分放大器，所述差分放大器被配置为在同步整流器开关晶体管的当前循环的经调节部分期间驱动所述同步整流器开关晶体管的栅极电压，所述差分放大器响应于所述同步整流器开关晶体管的漏极电压与动态漏极阈值电压之间的差值；以及采样保持电路，所述采样保持电路被配置为在所述同步整流器开关晶体管的所述当前循环期间对所述漏极电压进行采样和保持以提供所述动态漏极阈值电压，所述采样保持电路被进一步配置为在采样时间对所述漏极电压进行采样，所述采样时间是所述同步整流器开关晶体管的先前循环的函数。2.根据权利要求1所述的同步整流器控制器，还包括:计时器，所述计时器被配置为对所述先前循环中的所述同步整流器开关晶体管的接通时间进行计时，其中所述先前循环的所述函数是所述接通时间的百分比。3.根据权利要求1所述的同步整流器控制器，还包括：计时器，所述计时器被配置为对所述先前循环中的所述同步整流器开关晶体管的接通时间进行计时，其中所述先前循环的所述函数是所述接通时间与恒定值之间的差值。4.根据权利要求2所述的同步整流器控制器，其中所述百分比大于50％。5.根据权利要求1所述的同步整流器控制器，还包括：动态计时器，所述动态计时器被配置为响应于所述先前循环期间的所述同步整流器开关晶体管的所述栅极电压是否小于阈值栅极电压而调整所述采样时间，其中所述先前循环的所述函数是所述同步整流器开关晶体管的所述栅极电压小于所述阈值栅极电压的比较。6.根据权利要求5所述的同步整流器控制器，还包括：比较器，所述比较器用于将所述同步整流器开关晶体管的所述栅极电压与所述阈值栅极电压进行比较，其中所述动态计时器被配置为当所述比较器的输出信号指示所述同步整流器开关晶体管的所述栅极电压小于所述阈值栅极电压时，增加所述采样时间。7.根据权利要求6所述的同步整流器控制器，其中所述动态计时器被进一步配置为当所述比较器的输出信号指示所述同步整流器开关晶体管的所述栅极电压不小于所述阈值栅极电压时，减少所述采样时间。8.根据权利要求7所述的同步整流器控制器，其中所述阈值栅极电压为大约3V。9.一种同步整流器控制器，所述同步整流器控制器包括：差分放大器，所述差分放大器被配置为在同步整流器开关晶体管的当前循环的经调节部分期间驱动所述同步整流器开关晶体管的栅极电压，所述差分放大器响应于所述同步整流器开关晶体管的漏极电压与动态漏极阈值电压之间的差值；以及计时分析电路，所述计时分析电路被配置为基于所述同步整流器开关晶体管的先前循环的经调节部分的持续时间与阈值延迟的比较来调整所述动态漏极阈值电压。10.根据权利要求9所述的同步整流器控制器，还包括：数模转换器，所述数模转换器用于将来自所述计时分析电路的数字值转换成所述动态漏极阈值电压。11.根据权利要求9...

【专利技术属性】
技术研发人员：踪晴晴，陈一民，刘梦飞，孔鹏举，
申请(专利权)人：戴洛格半导体公司，
类型：发明
国别省市：