栅极驱动电路和多相智能功率模块制造技术

本发明专利技术提供了一种栅极驱动电路和多相智能功率模块，在第一开关单元闭合时，电源为第一电容和第二电容充电，第一缓冲器为第一功率晶体管提供栅极电压，第一电容可提高第一功率晶体管的栅极的电势，从而使得第一功率晶体管导通；第二电容可为第一功率晶体管提供负向关断电压，能够自适应地将外部电压转换为能够驱动功率晶体管的电压，并且电路实现容易，同时使得第一功率晶体管的电压稳定。使得第一功率晶体管的电压稳定。使得第一功率晶体管的电压稳定。

【技术实现步骤摘要】
栅极驱动电路和多相智能功率模块


[0001]本专利技术涉及栅极驱动
，特别是涉及栅极驱动电路和多相智能功率模块。

技术介绍

[0002]栅极驱动电路用于驱动各种场效应管导通与关闭。传统的栅极驱动电路中包含自举电路，自举电路中添加了多个无源器件。在一个功率半导体关断，而另一个功率半导体尚未导通的死区时间内，开关节点电压可能会变为一个较大的负值。此外，如果电源的输出电压较大，可能会导致无源器件的过充，过充会导致功率晶体管的可靠性。尽管传统方式中通过电感来缓解这种过充问题，但是它限制了功率晶体管的最大导通时间。传统的栅极驱动电路通过增加多个无源器件如二极管、电感等，为功率晶体管提供负向关断电压，然而这种负向关断电压不可控。

技术实现思路

[0003]基于此，为了解决负向关断电压不可控的问题，有必要提供栅极驱动电路和多相智能功率模块，实现自适应地将外部电压转换为能够驱动场效应管的电压，并且电路实现容易。
[0004]一种栅极驱动电路，包括第一开关单元、第一驱动单元和第二驱动单元；所述第一开关单元，与第一电容和第二电容串联连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括电源、第一开关单元、第一驱动单元和第二驱动单元；所述第一开关单元，与第一电容和第二电容串联连接；当所述第一开关单元闭合时，所述电源用于为所述第一电容和第二电容充电；所述第一驱动单元包括第一缓冲器、第一功率晶体管、第一电容和第二电容；所述第一缓冲器的输出端与所述第一功率晶体管的栅极连接；所述第一电容，用于在所述第一缓冲器驱动所述第一功率晶体管为开启状态时，提高所述第一功率晶体管的栅极电压，使得所述第一功率晶体管导通；所述第二电容，用于在所述第一缓冲器驱动所述第一功率晶体管为关闭状态时，为所述第一功率晶体管提供负向关断电压，使得所述第一功率晶体管关断；所述第二驱动单元包括第二缓冲器和第二功率晶体管；所述第二缓冲器的输出端和所述第二功率晶体管的栅极连接；所述第二缓冲器的高压端与所述电源的正极连接；所述第二功率晶体管的源极与地端连接；所述第一功率晶体管的源极与所述第二功率晶体管的漏极相连。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电源的负极用于与所述第二缓冲器的低压端连接；在所述第二缓冲器驱动所述第二功率晶体管为关闭状态时，所述电源的负极用于为所述第二功率晶体管提供负向关断电压。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括控制器，所述控制器用于控制所述第一开关单元的断开和闭合。4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括电平转换器，所述电平转换器的输入端与所述控制器连接，所述电平转换器的输出端与所述第一缓冲器的输入端连接。5.根据权利要求1至4任一项所述的电路，其特征在于，所述第一功率晶体管包括宽禁带场效应管、IGBT或者MOSFET。6.根据权利要求1至4任一项所述的电路，其特征在于，所述控制器、电平转换器、所述第一缓冲器和所述第二缓冲器集成于芯片中。7.根据权利要求1至4任一项所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第二开关单元，所述第二开关单元用于将所述第一功率晶体管的栅极与所述第一功率晶体管的源极短接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零二M一零八，
申请(专利权)人：深圳数马电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：