一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置，包括坩埚，所述坩埚上方设置有坩埚盖，所述坩埚的内腔中固定安装有若干石墨模具，所述石墨模具为向下弯曲的球形罩体结构，每相邻两个石墨模具之间均留有空隙，所述坩埚内腔底部设置有凹槽。其方法包括热场的安装、升温化料、晶体生长、降温退火和晶体取出过程。本实用新型专利技术克服了现有技术的不足，通过在坩埚下降法石墨坩埚中放置石墨模具，实现氟化钙球罩一次性成形，且能够单炉实现多件球罩同步生长，加工过程简单，原料利用率高。率高。率高。

【技术实现步骤摘要】
一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩


[0001]本技术涉及化学领域，尤其涉及氟化钙球罩生产技术，具体是一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置。

技术介绍

[0002]氟化钙晶体是一类重要的光电材料，具有在0.13~10μm波段范围内透过率高、折射率均匀、机械性能稳定、抗辐照损伤能力强等优点，是良好的宽光谱透过窗口材料，主要用于制作紫外和红外区域窗口、透镜和棱镜或镀膜材料等。目前主流的氟化钙晶体制备方式是坩埚下降法，生长的氟化钙是柱状（圆柱或方棒）体块晶体。
[0003]现有技术中，氟化钙球罩的生产流程是：首先通过坩埚下降法生长圆柱形大口径柱状单晶，然后根据球罩产品的尺寸进行切断，切断的氟化钙单晶块体经过内部挖空、外部磨削最终成形，其缺点为：生长大尺寸柱状单晶成本高、周期长、加工易损良率低，加工过程中材料浪费严重，且需要根据球罩的规格形状定做加工砂轮磨头等。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置，克服了现有技术的不足，通过在坩埚下降法石墨坩埚中放置石墨模具，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置，其特征在于：包括坩埚（1），所述坩埚（1）上方设置有坩埚盖（2），所述坩埚（1）的内腔中固定安装有若干石墨模具（3），所述石墨模具（3）为向下弯曲的球形罩体结构，石墨模具（3）上下间隔设置，所述坩埚（1）内腔底部设置有凹槽（4）。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆国，姜大朋，苏良碧，贾健，
申请(专利权)人：上海德硅凯氟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：