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本实用新型公开了一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置，包括坩埚，所述坩埚上方设置有坩埚盖，所述坩埚的内腔中固定安装有若干石墨模具，所述石墨模具为向下弯曲的球形罩体结构，每相邻两个石墨模具之间均留有空隙，所述坩埚内腔底部设置有凹槽。其方...
该专利属于上海德硅凯氟光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海德硅凯氟光电科技有限公司授权不得商用。

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