【技术实现步骤摘要】
高导热底部填充胶用球形氧化铝粉的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种硅微粉,特别是一种高导热底部填充胶用球形氧化铝粉的制备方法。
技术介绍
[0002]电子产品的快速发展对芯片的要求进一步提高,信号传输速度的提高使芯片发热量增加,这对可靠性和长期使用性提出了挑战。同时,作为用于芯片尺寸封装(CSP)、球栅阵列封装(BGA)等封装用的底部填充胶也需要具有高导热、热膨胀系数小,耐高温稳定性特点。由于底部填充胶中配方的环氧树脂导热率通常低于1.0W/m/ K,所以导热性能通常需要由其中的填料构建导热网络来满足。通常使用的球形硅微粉尽管具有热膨胀系数低,流动性高的特点,但是导热率仅有1.1 W/m/ K,限制了使用的可行性。氮化硼、氮化铝、金属填料以及石墨烯等碳类材料尽管具有较高的导热率,但是存在成本高,粘度大,加工性差或者绝缘性能差的缺点,暂时还没有单独使用的实例报道。例如专利文献CN107805473B中报道使用最大粒径20μm,平均粒径为6~8μm的球形硅微粉和球形氧化铝、球形氧化镁、球形氮化硼中两种或几种混合的填料制备成 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高导热底部填充胶用球形氧化铝粉的制备方法,其特征在于,该方法选用纯度大于99.5%的非球形氧化铝粉作原料,氧化铝粉的平均粒径为0.5~20μm,采用火焰法进行球形化,其具体步骤如下:(1)以天然气和氧气燃烧形成的火焰区为球化区,氧化铝粉在火焰区球化制得D50为0.5
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20μm的球形氧化铝粉;(2)球形氧化铝粉进行分级获得球形氧化铝产品A,球形氧化铝产品A的D50为0.5 ~ 20μm,且大于20μm以上的大颗粒≤ 50ppm,球形度≥0.95;(3)将球形氧化铝产品A进行后道处理以提高产品中α
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Al2O3的含量,处理温度900~1700℃,处理时间0.5~24h,获得α
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Al2O3≥60%的球形氧化铝产品B,球形氧化铝产品B的D50为0.5~20μm,且大于20μm以上的大颗粒≤ 50ppm,球形度≥0.95;(4)对球形氧化铝产品B进行提纯,控制提纯pH 4~7,提纯温度25~80℃,提纯料水重量比=1~10:1,获得Cl
‑
、Na
+
含量均小于2ppm的产品;再按照粒度分布将产品分为 D50=0.5 ~3μm的球形氧化铝产品C和 D50=3 ~20μm的球形氧化铝产品D;(5)球形氧化铝产品C和球形氧化铝产品D按照质量比0.01~1:1进行混合,得到高导热底部填充胶用球形氧化铝粉。2.根据权利要求1所述的高导热...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹家凯,胡世成,姜兵,刘雪,赵欢,纪言石,
申请(专利权)人:江苏联瑞新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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