【技术实现步骤摘要】
电梯平衡系数检测设备
[0001]本申请涉及电梯检测以及电子电路领域,具体涉及电梯平衡系数检测设备。
技术介绍
[0002]随着经济及科学技术的不断发展,高层建筑在城市之中不断涌现,电梯作为高层建筑的高效运输工具,已成为人们日常出行必不可少的一部分。伴随着电梯的广泛使用,电梯安全问题日益成为人们关注的重点。电梯平衡系数作为电梯安全运营的重要因素之一,影响着电梯的安全和稳定运营,但在使用过程中却时常由于装修公司对轿厢内部进行装潢或对重丢失等原因,而导致电梯平衡系数发生改变,因此需要定期对平衡系数进行检测。目前来说,国内外最新文献所展示的研究方法及检测设备其原理仍与2016年之前的方法及设备相同。随着科学技术的不断发展,可利用与平衡系数检测的传感器种类和数量不断增多,各种新型技术和传感器不断涌现,比如大量程力学传感器、高精度的激光传感器、信息融合技术等等。现行的电梯平衡系数检测方法耗时长、劳动力大,随着电梯数量的不断增加,使平衡系数检测越发难以成为定期的检测项目,因此带来的电梯年久失修以及轿厢多次装修等安全隐患问题日益严峻。目前为止,永磁同步电机己作为电梯曳引机的主流曳引设备,从2006年起,永磁同步电机在新装电梯曳引机所占比例就已超过50%。因此电梯平衡系数的研究,应朝着低成本、无荷载、高效率的方向进行,随着永磁同步电机在电梯中的运用越来越广泛,开发出节能、高效、便捷的电梯平衡系数检测设备,满足平衡系数测量智能化、高效化的发展趋势。本设计在查阅了国内外电梯平衡系数检测相关文献的基础上,结合现有检测设备,根据电梯平衡系数 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.电梯平衡系数检测设备,包括前置放大处理电路、信号转换电路、检测输出电路,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中双向钳位二极管D2的一端与输入端口Ina连接,另一端与输入端口INb连接,电感L2的一端与输入端口Ina连接,另一端分别与电容C2的一端、电感L3的一端连接,电感L3的另一端与功率场效应晶体管Q4的漏端连接,电容C2的另一端分别与二极管D3的正极、电阻R4的一端、电感L4的一端连接,电阻R4的另一端与输入端口INb连接,电感L4的另一端接地,二极管D3的负极分别与功率场效应晶体管Q4的栅极、功率场效应晶体管Q10的栅极、功率场效应晶体管Q5的栅极、功率场效应晶体管Q11的栅极连接,功率场效应晶体管Q4的源端与功率场效应晶体管Q10的漏端连接,功率场效应晶体管Q10的源端接地。2.根据权利要求1所述的电梯平衡系数检测设备,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q4的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q5的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q5的源端与功率场效应晶体管Q11的漏端连接,功率场效应晶体管Q11的源端接地,电容C3的一端与功率场效应晶体管Q6的栅极连接,另一端与功率场效应晶体管Q9的栅极连接,功率场效应晶体管Q6的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q6的源端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接,功率场效应晶体管Q9的源端接地,电感L1的一端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接,另一端分别与功率场效应晶体管Q8的漏端、电容C1的一端连接,电容C1的另一端分别与电阻R2的一端、功率场效应晶体管Q8的源端连接,电阻R2的另一端接地。3.根据权利要求1所述的电梯平衡系数检测设备,其特征在于:所述前置放大处理电路包括输入端口INa,输入端口INb,输出端口Va,双向钳位二极管D2,3个二极管分别为D1、D3、D4,4个电阻分别为R1、R3、R2、R4,4个电容分别为C1、C2、C3、C4,4个电感分别为L1、L2、L3、L4,14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15,所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q1的漏端与高电平VCC连接,功率场效应晶体管Q1的源端与功率场效应晶体管Q8的漏端连接,二极管D1的负极与高电平VCC连接,二极管D1的正极分别与功率场效应晶体管Q12的栅极、功率场效应晶体管Q15的栅极、功率场效应晶体管Q3的源端、三极管Q7的基极、功率场效应晶体管Q1...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘涛,李远斌,茅威杰,何斌,沈华强,
申请(专利权)人:西尼机电杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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