本发明专利技术实施例提供一种传感器、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，可在实现纹路识别或触控功能的基础上，提高显示装置的屏占比，还可减小显示装置的厚度。一种显示模组，包括至少一个感光器件，所述感光器件包括依次层叠设置的金属电极、光敏图案、以及透明电极；所述透明电极位于所述感光器件的入光侧；所述传感器还包括与所述透明电极一一对应的电压供给线，所述电压供给线和与其对应的所述透明电极电连接。极电连接。极电连接。
【技术实现步骤摘要】
一种传感器、显示面板、显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种传感器、显示面板、显示装置。
技术介绍
[0002]现有的显示装置的触控技术和指纹识别技术，一般采用电容式传感器。
[0003]对于触控技术来说，若将电容式传感器外挂到显示面板外，工艺复杂，且增加了显示装置的厚度；若将电容式传感器集成在显示装置内，电容式传感器的电极通常与显示装置的触控电极共用，从而造成信号干扰，影响显示装置正常显示。
[0004]对于指纹识别技术来说，需要牺牲终端显示器件，例如手机的部分显示区域，以给指纹芯片预留位置，从而降低了屏占比，无法实现全面屏显示。
技术实现思路
[0005]本专利技术的实施例提供一种传感器、显示面板、显示装置，可在实现纹路识别或触控功能的基础上，提高显示装置的屏占比，还可减小显示装置的厚度。
[0006]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0007]第一方面，提供传感器，包括至少一个感光器件，所述感光器件包括依次层叠设置的金属电极、光敏图案、以及透明电极；所述透明电极位于所述感光器件的入光侧；所述传感器还包括与所述透明电极一一对应的电压供给线，所述电压供给线和与其对应的所述透明电极电连接。
[0008]可选的，所述传感器还包括与所述感光器件一一对应的薄膜晶体管、多根栅线、以及多根数据读出线；所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据读出线电连接，所述薄膜晶体管的漏极和与其对应的所述金属电极电连接。
[0009]可选的，所述薄膜晶体管具有沟道区，所述沟道区与所述感光器件在所述栅线所在平面上的正投影无交叠。
[0010]可选的，所述光敏图案包括依次层叠设置的P型半导体图案、本征半导体图案、N型半导体图案；所述P型半导体图案与所述透明电极接触，所述N型半导体图案与所述金属电极接触；沿所述感光器件的厚度方向，所述本征半导体图案的纵截面呈梯形，且所述本征半导体图案朝向所述P型半导体图案的表面的面积，小于所述本征半导体图案朝向所述N型半导体图案的表面的面积。
[0011]可选的，沿垂直于所述感光器件的厚度方向，所述透明电极的横截面积与所述P型半导体图案的横截面积之比大于或等于0.85、且小于1。
[0012]可选的，所述P型半导体图案的边缘超出所述本征半导体图案的边缘；沿所述感光器件的厚度方向，所述P型半导体图案的纵截面具有第一宽度、所述透明电极的纵截面具有第二宽度、所述金属电极的纵截面具有第三宽度，所述第一宽度与所述第二宽度之差，与所述第三宽度的比值大于或等于0.005、且小于或等于0.02。
[0013]可选的，所述电压供给线通过过孔和与其对应的所述透明电极电连接，所述电压
供给线中位于过孔处的部分的线宽，大于所述电压供给线中其他位置处的线宽。
[0014]可选的，所述电压供给线的材料遮光；所述电压供给线包括沿与其对应的漏极指向源极的方向延伸的延伸部，所述延伸部的宽度大于所述电压供给线中位于所述过孔处的部分的线宽；所述延伸部完全覆盖与其对应的所述薄膜晶体管的沟道区。
[0015]可选的，所述传感器用于纹路识别或触控。
[0016]第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的传感器；所述显示面板具有显示区，所述显示区包括非子像素区域；所述传感器位于所述非子像素区域。
[0017]可选的，所述显示面板包括阵列基板和对盒基板；所述传感器设置于所述对盒基板上。
[0018]可选的，所述显示面板为液晶显示面板。
[0019]第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
[0020]本专利技术实施例提供一种传感器、显示面板、显示装置，包括感光器件和电压供给线。可以将本专利技术实施例的传感器设置在显示面板内的非子像素区域，当所述显示面板应用于显示装置时，相较于将传感器外挂于显示面板上，本专利技术可减小显示装置的厚度；同时，还可将传感器设置在显示装置的显示区内，提高显示装置的屏占比。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术实施例提供的一种传感器的的结构示意图；
[0023]图2为本专利技术实施例提供的一种传感器的的结构示意图；
[0024]图3为本专利技术实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例提供的一种感光器件的结构示意图；
[0026]图5为本专利技术实施例提供的一种感光器件的俯视示意图；
[0027]图6为本专利技术实施例提供的一种传感器的的结构示意图。
[0028]附图标记：
[0029]1011-子像素区域；21-感光器件；211-金属电极；212-光敏图案；2121-P型半导体图案；2122-本征半导体图案；2123-N型半导体图案；213-透明电极；22-电压供给线；31-第一薄膜晶体管；311-漏极；312-栅极；313-有源层；314-源极；201-数据读出线；701-过孔。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术实施例提供一种传感器，如图1和图2所示，包括至少一个感光器件21，感光器件21包括依次层叠设置的金属电极211、光敏图案212、以及透明电极213；透明电极213位
于感光器件21的入光侧；传感器还包括与透明电极213一一对应的电压供给线22，电压供给线22和与其对所述透明电极213电连接。
[0032]在一些实施例中，传感器可以制作在衬底上。衬底例如可以是玻璃衬底。
[0033]在此基础上，在透明电极213位于感光器件21的入光侧的情况下，制备传感器感光器件21的方法包括：依次在玻璃基板上形成金属电极211、光敏图案212、以及透明电极213。
[0034]在一些实施例中，传感器包括至少一个感光器件21，感光器件21用于将光信号转换为电信号。感光器件21例如可以是光电传感器或光敏传感器。
[0035]在一些实施例中，不对传感器的用途进行限定。
[0036]示例的，传感器可以用于纹路识别或触控。
[0037]在一些实施例中，不对透明电极213的材料进行限定，只要透明电极213可以导电、可以透光即可。
[0038]示例的，透明电极213的材料可以是氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)。
[0039]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括至少一个感光器件，所述感光器件包括依次层叠设置的金属电极、光敏图案、以及透明电极；所述透明电极位于所述感光器件的入光侧；所述传感器还包括与所述透明电极一一对应的电压供给线，所述电压供给线和与其对应的所述透明电极电连接。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括与所述感光器件一一对应的薄膜晶体管、多根栅线、以及多根数据读出线；所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据读出线电连接，所述薄膜晶体管的漏极和与其对应的所述金属电极电连接。3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管具有沟道区，所述沟道区与所述感光器件在所述栅线所在平面上的正投影无交叠。4.根据权利要求1-3任一项所述的传感器，其特征在于，所述光敏图案包括依次层叠设置的P型半导体图案、本征半导体图案、N型半导体图案；所述P型半导体图案与所述透明电极接触，所述N型半导体图案与所述金属电极接触；沿所述感光器件的厚度方向，所述本征半导体图案的纵截面呈梯形，且所述本征半导体图案朝向所述P型半导体图案的表面的面积，小于所述本征半导体图案朝向所述N型半导体图案的表面的面积。5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，沿垂直于所述感光器件的厚度方向，所述透明电极的横截面积与所述P型半导体图案的横截面积之比大于或等于0.85、且小于1。6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述P型半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，王锐拓，乔勇，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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