一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，包括腔室、分子泵、顶针机构、内衬、上射频匹配器、下射频匹配器；腔室上开口处设有腔盖，腔盖的上表面分布有线圈，腔室的底部向内方向延伸设有筒状结构，筒口覆盖有电极，电极上放置有晶圆，顶针机构安装在电极下表面，下射频匹配器安装在腔室下部；腔室的侧壁上部设有可开闭的进出槽口，侧壁下部设有出气口，出气口处为分子泵；腔室内设有内衬，内衬上分布有气孔，所述进出槽口位于内衬上方，所述出气口位于内衬下方。所述出气口位于内衬下方。所述出气口位于内衬下方。

【技术实现步骤摘要】
一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备


[0001]本专利技术属于刻蚀设备
，涉及一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，等离子体刻蚀是用来刻蚀导电和介电材料的。等离子体刻蚀的问题之一是，随着时间的推移，当多个晶片在槽内加工时，一层膜就会在加工室的墙壁上堆积起来。这种薄膜的积累可能会在两种方法中造成问题。首先，该薄膜可能从腔壁剥落，引入微粒。随着集成电路器件的特征尺寸的不断减小，加工过程中颗粒的耐受性程度正在迅速下降。因此，在加工过程中避免颗粒的产生及其细化变得越来越重要。第二，薄膜可能改变射频接地路径，从而影响在晶片上获得的结果。这两种情况的发生都是不可取的，这个半导体设备的生产发出了重要的信号。目前设备中多采用对工艺室进行湿式清洗操作，用物理方法擦洗反应腔室的内壁，以清除积层。
[0003]在商业半导体制造中，工艺室的湿式清洗是不可取的，因为它要求工艺模块离线，从而减少通过率。为了避免湿式清洗的需要，一些工艺室已设置了内衬，以保护室壁。内衬的使用是有利的，因为衬里可以很容易地更换，只本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：包括腔室(1)、分子泵(6)、顶针机构(7)、内衬(50)、上射频匹配器(13)、下射频匹配器(9)；所述腔室(1)的上部为开口，其开口处设有腔盖(10)，腔盖(10)上分布有若干供工艺气体注入的气孔，所述腔盖(10)与腔室(1)开口之间安装有耦合窗(11)，腔盖(10)的上表面分布有线圈(12)，所述上射频匹配器(13)的两级分别连接线圈(12)的两端；所述腔室(1)的底部中心位置开有孔洞，孔洞处向腔室(1)内方向延伸设有筒状结构，该筒状结构位于腔室(1)内的筒口覆盖有电极(2)，电极(2)上放置有晶圆(3)，所述顶针机构(7)安装在电极(2)下表面，所述下射频匹配器(9)安装在腔室(1)下部，下射频匹配器(9)与电极(2)之间具有射频柱(8)，射频柱(8)穿过筒状结构；所述腔室(1)的侧壁上部设有可开闭的进出槽口(101)，侧壁下部设有出气口，该出气口与分子泵(6)之间连接有抽气管道(4)；所述腔室(1)内还设有用于隔离上下部分的内衬(50)，所述内衬(50)为环形结构，该环形结构的外圆一周连接于腔室(1)的内壁，该环形结构的内圆一周连接于筒状结构的外壁，所述内衬(50)上分布有气孔，所述进出槽口(101)位于内衬(50)上方，所述出气口位于内衬(50)下...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娜，韩大健，张军，刘海洋，张瑶瑶，郭颂，程实然，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：