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本发明公开了一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，包括腔室、分子泵、顶针机构、内衬、上射频匹配器、下射频匹配器；腔室上开口处设有腔盖，腔盖的上表面分布有线圈，腔室的底部向内方向延伸设有筒状结构，筒口覆盖有电极，电极上放置有晶圆，顶针机构...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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