小发散角N型共阴极MicroLED器件及其阵列制造技术

本发明专利技术提供了小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列，包括微光学系统、绝缘隔离结构、隔离结构、像素电极、N型半导体、量子阱层、P型半导体。由于LED发光原理因素，Micro LED器件出光发散角过大，而在工业曝光领域和图像投影领域受投影镜头数值孔径限制，需要Micro LED器件及其阵列所发出的光具有较小的发散角。本专利通过在Micro LED器件上集成绝缘隔离结构、隔离结构、微光学系统的方式进一步收敛发散角使之满足工业曝光领域和图像投影领域的应用。其中Micro LED上的N型半导体相互连接，形成共阴极结构，有利于进一步简化工艺流程降低生产成本。凭借高集成度和可控的光场发散角度，最终将Micro LED推向工业曝光领域和图像投影领域的大规模应用阶段。图像投影领域的大规模应用阶段。图像投影领域的大规模应用阶段。

【技术实现步骤摘要】
小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列


[0001]本专利技术涉及小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列。

技术介绍

[0002]MicroLED技术一般指微型的LED颗粒通过可控的电极供电并控制其开关的技术。目前MicroLED的尺寸从微米级一直到百微米级。一般将相对较大的ＬＥＤ颗粒叫为MiniLED，但MiniLED与MicroLED之间的区分相对模糊。本专利所述MicroLED包含直径小于等于５００微米的微LED颗粒。在部分研究者定义中MiniLED也包含５００微米以下的微LED颗粒。在MicroLED与MiniLED双方定义重合区间内，本文所指MicroLED也可用MiniLED的称呼进行命名。即也可理解为本文所述Micro LED可用Mini LED进行等价替换。
[0003]目前Micro LED技术大量应用于平板显示领域，并得到了快速的发展。从应用层面角度，平板显示领域要求具有较大的观看角度，因此要求MicroLED具有较大的出光角度。从技术原理角度，MicroLED的量子阱层的电致发光为３６０度发光，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小发散角N型共阴极Micro LED器件，其特征在于：包括微光学系统1、绝缘隔离结构2、隔离结构3、像素电极4、N型半导体5、量子阱层６、P型半导体７，所述N型半导体5、量子阱层６、P型半导体７组成MicroLED颗粒；所述像素电极4位于底部；Ｐ型半导体７置于所述像素电极4上方；量子阱层６置于型半导体７的上方；N型半导体5置于量子阱层６的上方；微光学系统1置于N型半导体5的上方；N型半导体5与其他相邻的小发散角Micro LED器件的N型半导体5相连并最终连接到外接阴极电极上；绝缘隔离结构２与像素电极4、N型半导体5、量子阱层６、P型半导体７相邻；隔离结构3与微光学系统1 、N型半导体5相邻。2.如权利要求1所述的小发散角N型共阴极Micro LED器件，其特征在于，所述微光学系统1为透射式光学系统，可透射所述量子阱层６发出的光，且透过率大于等于80%；所述微光学系统1口径小于等于500微米；所述微光学系统1为起到收敛所述量子阱层６发出的光发散角作用的一片或多片透镜的组合。3.如权利要求1所述的小发散角N型共阴极Micro LED器件，其特征在于，所述绝缘隔离结构2为填满空气的空间、绝缘材料填充、绝缘膜层中的任意一种或多种的组合；所述绝缘隔离结构2使小发散角N型共阴极Micro LED阵列中的各相邻的量子阱层６、P型半导体７相互隔离成为分立器...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷，张婧姣，
申请(专利权)人：廊坊广通电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：