高压变压器制造技术

高压变压器包括一个在其中心有绕孔的磁心；缠绕在绕孔的一部分上并加入初级电压的初级线圈；缠绕在绕孔的另一部分上并用于产生一高电压的次级线圈；和一个置于初级线圈和次级线圈之间，形成闭合磁回路的旁路磁心，其中旁路磁心具有的磁闭合回路能扩大其截面积，并提高磁饱和量，而不增加磁心尺寸和高度，并且抵消以相反方向流动的磁通，从而减少了由漏泄磁通引起的谐波电流。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
高压变压器本专利技术涉及一种高压变压器，更具体地来讲，涉及一种用于微波炉以降低由磁心漏磁通引起的谐被电流的高压变压器。高压变压器是一种安装在微波炉或监视器等中的装置，以实现将市电110-220V电压提高到一高电压的目的。这种高压变压器在次级线圈处于过载状态的情况下，初级线圈有过电流时，被用于通过装在其上的旁路磁心漏泄一部分磁通。因而，它防止了磁心过饱和以降低加在次级线圈的电压。然而，如果旁路磁心漏泄的磁通的量超过其磁通饱和量时，漏泄的磁通在初级线圈产生谐波电流。因此，为了降低谐波电流密度，旁路磁心的磁饱和量必须提高。为做到这一点，叠加在磁心上的旁路磁心的数量被增加，以扩大磁心和旁路磁心的横截面积。一种典型的高压变压器的例子公开在日本专利公开号为77-190826的专利申请中。如图1中所示，这种传统的高压变压器包括一个含有安装在其下部的支架11的磁心10，一绕组部分15，在绕组部分15的中心形成的绕孔16；缠绕在绕组15上边和下边的初级图12和次级线图13；和位于初级线圈12和初级线圈13之间以漏泄在磁心10中流过的磁通的旁路磁心1，其中磁心10包括许多相互紧密叠在一起的硅钢片，初级线圈12和次级线圈13被适当地缠绕以对应于升压比，在各初级线圈12和次级线圈13上，有-->一初级端子17和一个次级端子(未示出)，且在旁路磁心1和次级线圈13之间配置一灯丝线圈14以得到灯丝振荡电压。如图2中所示，两个旁路磁心1被分别放置于绕孔16上，由绕组部分15分开。旁路磁心1包括许多相互叠加在一起的矩形硅钢片。传统的高压变压器将市电电压110-220V通过初级端子17加到初级线圈12上，根据初级线圈12和次级线圈13的匝数比升高电压，然后通过次级端子将此高电压输出，此时，通常在灯丝线圈14上产生2.8-4.0V的降压。然而，如果超过被安装以避免磁心10过饱和的旁路磁心1的磁饱和量的大磁通由磁心10漏泄到旁路磁心1中，由于漏泄的磁通将在初级线圈12上产生感应电流。然后，具有电源基准频率的整数倍(n倍)频率的谐波电流被感应入初级线圈12中。例如，如果电源的频率是50HZ，在初级线圈12上将产生频率为100HZ的二次谐波电流和频率为150HZ的三次谐波。这些谐波电流对各种电器带来不良的影响。例如，谐波电流干扰自动检验家用能耗的自动检验计系统。换言之，应禁止谐波电流的产生以避免信号的干扰。在法国，家用市电的频率是50HZ，在每一家庭，用频率为150HZ的信号源来检查功率消耗。为此，三次谐波电流(150HZ)被限制以具有小于2.3A的电流密度。因此，应注意到，为降低谐波电流，必须加大磁心10和旁路磁心1的横截面积。考虑这一点，一种典型的高压变压器公开在日本专利公开号87-190826的申请中，该高压变压器包括一个具有尺寸大和多个旁路磁心1的磁心10。然-->而，磁心的尺寸越大，其重量也增加得越大。而且，由多个硅钢片做成的旁路磁心的横截面积增加得越多，需要更多的硅钢片要相互叠装在一起。它的缺点在于制造成本的提高，整体高度和体积的增大。因此电器的尺寸也必须增加到同一量级。进而，如图1中所示，因为一对旁路磁心1相互隔开，磁通在旁路磁心1内相互以相反的方向流动，并没有得到它们的抵消效果(参见箭头)。因而，旁路磁心1的配置并没有有效地减少磁通。即使由于超过旁路磁心的磁通饱和量所产生的磁通被漏泄时，磁通并没有被抵消，从而在初级线圈上不可避免地产生谐波电流。因此，为解决这些问题和不足之处，本专利技术的一个目的就是提供一个包括一个用于扩大磁通饱和量的旁路磁心，从而将谐波电流量减至最小的高压变压器。本专利技术的另外一个目的是给出一种包括一个具有扩大的横截面积以增大磁通饱和量而不使变压器尺寸增大的旁路磁心的高压变压器。为实现上述目的，根据本专利技术，一种高压变压器包括一个在其中心形成有绕孔的磁心，一个缠绕在一边的初级线圈，其上被加有一低电压；缠绕在绕孔另一边的次级线圈，其上被加有一高电压；及提供在初级线圈和次级线圈之间的旁路磁心，其中旁路磁心具有形成一个磁通闭合回路的结构，以使其可以抵消其中相互以相反方向流动的磁通，并增加其截面积以与增大的截面积成比例地增大磁通饱和量。该专利技术的这些特征和优点，从下面结合有附图对优选实施例所进行的详细说明中将显而易见。现参照附图对本专利技术进行详细地说明，其中-->图1是一种传统的高压变压器的前视图；图2是沿图1中线II-II′的截面图；图3是一微波炉磁控管供电电路的示意图；图4是根据该专利技术的高压变压器的分解透视图；图5是根据该专利技术的高压变压器的前视图；图6是沿图5中线V-V′的截面图；图7A、7B、7C、7D和7E是说明本专利技术其它实施例的示意图；图8A是根据该专利技术的高压变压器中所产生的谐波电流的实验值的示意图；及图8B是传统的高压变压器中所产生的谐波电流的实验值的示意图；。根据本专利技术，高压变压器被装在微波炉、监视器或电视等上以提高加在其上的110-220V市电电压。更具体地，与微波炉相联系对实施例加以说明。微波炉使磁控管发射高频波以烹煮食物，其中由包括一高压变压器的供电电路施加高电压来操纵磁控管工作。如图3所示，磁控管供电电路包括磁控管30和含有一高压变压器的半波倍压器电路、一个高压电容器32，和一个高压二极管31。该高压变压器将市电110-220V升高到为磁控管30的阳极峰值电压的1800-2300V，并然后将此高电压输送给磁控管30。该高压变压器还包括一个产生磁控管30的3.3-4V振荡电压的灯丝线圈14。具体地讲，如图4、5及6所示，高压变压器包括一个含有装在其底部的支架11的磁心10、在中心形成的绕组部分15、由绕组部分15形成的两个绕孔16；缠绕在绕孔16的上部和下部的初级线圈12和次-->级线圈13；配置在初级线圈12和次级线圈13之间以漏泄流在磁心10中的磁通的旁路磁心20及位于旁路磁心20和次级线圈13之间以产生其振荡电压的灯丝线圈14，其中磁心10包括多个相互叠放在一起的硅钢片，而初级线圈12和次级线圈13被适当地绕制以对应于待被增大的电压，并包括一个初级端子17和一个次级端子(未示出)以输入市电及输出升高的电压。另一方面，基于下述的表征磁通的表达式产生谐波电流：Bm＝E1/(4.44*f*A*N1)该表达式可变为电压的表达式E。结果如下所示：E1＝4.44*f*A*N1*Bm(1)其中，A为横截面积，N1为初级绕组匝数，E1为输入电压，f为频率。我们可以从计算电功率P的表达式中得到表示电流I和电压V的相互关系的表达式：P＝I*V    I＝P/V(2)通过比较表达式(1)和(2)可知，谐流电流反比于横截面积A和磁通Bm。因此，为减少所产生的谐波电流的密度，必须增大磁心10和旁路磁心20的横截面积，磁饱和量因而被增大，漏泄磁通因此得以减少。通过利用上述特性，旁路磁心被构成以形成如图4、5和6所示的一个闭合磁回路。因而在没有改变磁心10的高度情况下，该旁路磁心使得其截面积大于传统装置的截面积。此外，该旁路磁心能使该闭合磁回路流动其中的磁通，从而使旁路磁心10中以相反方向流动的磁通(如图5中箭头所示)被抵消。如图6所示，旁路磁心20包含多个互相叠放在一起的硅钢片，四个旁路磁心20以直线的方式形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压变压器，包括：在其中心有一绕孔的磁心；缠绕在绕孔的一部分上的初级线圈，其上加入初级电压；缠绕在绕孔的另一部分上的次级线圈，用于输出次级高电压；配置于初级线圈和次级线圈之间，使得磁通由磁心漏泄。从而防止磁心过饱和的旁路 磁心；及固定于旁路磁心和次级线圈之间以产生一振荡电压的灯丝线圈，其中旁路磁心被配置以形成一闭合磁回路来抵消其中以相反方向流动的磁通，并正比于所增加的截面积来增大磁通饱和量。

【技术特征摘要】
KR 1995-2-7 1792/1995-U1、一种高压变压器，包括：在其中心有一绕孔的磁心；缠绕在绕孔的一部分上的初级线圈，其上加入初级电压；缠绕在绕孔的另一部分上的次级线圈，用于输出次级高电压；配置于初级线圈和次级线圈之间，使得磁通由磁心漏泄。从而防止磁心过饱和的旁路磁心；及固定于旁路磁心和次级线圈之间以产生一振荡电压的灯丝线圈，其中旁路磁心...

【专利技术属性】
技术研发人员：李启弘，李性浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]