半导体装置制造用片制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置制造用片，其具备基材，并通过在基材上依次层叠粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜而构成，剥离膜的厚度为60μm以上，在剥离膜中自层叠有膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，切口部的切口深度大于25μm。深度大于25μm。深度大于25μm。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置制造用片


[0001]本技术涉及一种半导体装置制造用片。
[0002]本申请基于2020年3月27日于日本提出申请的日本技术 2020
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001102号主张优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片与设置在其背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0004]作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个实例，例如可列举出如下方法。
[0005]首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicing die bondingsheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片与设置在所述支撑片的面上的膜状粘合剂的切割固晶片。支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种构成不同的支撑片，例如具备基材与设置在所述基材的面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。在为具备粘着剂层的支撑片时，在粘着剂层的与设置有基材的一侧相反的一侧上设置膜状粘合剂。切割固晶片通过膜状粘合剂贴附在半导体晶圆的背面。
[0006]接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化为(singulation)目标半导体芯片。沿半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。由此，可得到具备半导体芯片与设置在其背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上的带膜状粘合剂的半导体芯片组。
[0007]接着，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上分离，并进行拾取。使用具备固化性的粘着剂层的支撑片的情况下，此时通过使粘着剂层固化而使粘着性降低，由此容易拾取。
[0008]综上，可得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0009]作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个实例，例如可列举出如下方法。
[0010]首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(别名：有时也被称为“表面保护胶带”)。
[0011]接着，在半导体晶圆的内部设定预定进行分割的位置，以该位置所包含的区域为焦点，以聚焦于该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。接着，使用研磨机(grinder)，对半导体晶圆的背面进行研磨，由此将半导体晶圆的厚度调节为目标值，同时通过利用此时施加在半导体晶圆上的研磨时的力，在形成改质层的部位将半导体晶圆分割(单颗化)，制作多个半导体芯片。
[0012]接着，将固晶片贴附于固定在背磨胶带上的上述所有半导体芯片的进行了上述研磨的面。作为固晶片，可列举出与所述切割固晶片相同的固晶片。如上所述，固晶片有时可
设计为具有与切割固晶片相同的构成，但只是不在切割半导体晶圆时使用。固晶片也可以通过其中的膜状粘合剂而稳定地贴附在半导体芯片的背面。
[0013]接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，将固晶片沿平行于其表面 (例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的面)的方向拉长，进行所谓的扩展，由此将膜状粘合剂沿半导体芯片的外周切断。此时的温度可以为常温，也可以在低温下进行。与在常温下进行相比，在低温下进行时(冷扩展)，可更容易地将膜状粘合剂切断。
[0014]综上，可得到具备半导体芯片与设置在其背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0015]接着，以与采用所述刀片切割的情况相同的方式，通过从所述支撑片上分离带膜状粘合剂的半导体芯片并进行拾取，从而稳定地得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。
[0016]拾取后的半导体芯片通过设置在其背面的膜状粘合剂而固晶至基板的电路形成面，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠一个以上的其他半导体芯片，通过引线键合等进行电连接后，用树脂对整体进行密封。使用以此方式得到的半导体封装，最终制造目标半导体装置。
[0017]切割固晶片及固晶片均可用于制造带膜状粘合剂的半导体芯片，最终可制造目标半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。
[0018]专利文献1中，作为具备可通过扩展而切断的膜状粘合剂的固晶片，公开了一种通过依次层叠基材、粘着剂层、基材层(相当于中间层)及粘着粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)而构成，且所述基材层具有特定范围的拉伸特性的切割
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固晶胶带(相当于所述固晶片)。根据该固晶片，由于具备相当于中间层的所述基材层，因此可在扩展膜状粘合剂时将其高精度地切断。
[0019]此外，固晶片等有时会被连续贴合在长条的剥离膜上并卷成卷状而进行供给。
[0020]现有技术文献
[0021]专利文献
[0022]专利文献1：日本专利第5946650号公报

技术实现思路

[0023]本技术要解决的技术问题
[0024]例如，所述粘着粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)有时会被预先冲压加工成匹配作为使用对象的半导体晶圆等的形状。此外，基材层(相当于中间层)同样也可进行冲压加工。由于冲压加工后的残余部分(不贴附于半导体晶圆等的周边部)被去除，因此上述进行了冲压加工的部分层叠得比周围部分高。然而，这种由各层叠部分的层厚差异造成的段差存在如下问题：将半导体装置制造用片卷成卷状而进行供给时，各个段差的位置发生偏移且重叠，易于成为产生卷绕痕迹(也称为“卷痕”)的主要原因。
[0025]此外，若反复进行所述冲压加工，则还存在逐渐会在切割刀的切入对象部位观察到未被切断的位置，从而无法适当地进行冲压加工的问题。
[0026]本技术为了解决上述问题而进行，其目的在于提供一种卷绕痕迹的产生得以抑制、反复冲压加工性优异的半导体装置制造用片。
[0027]解决技术问题的技术手段
[0028]本技术的专利技术人为了解决所述技术问题进行了深入研究，结果发现，通过使剥离膜的厚度、及剥离膜中形成的切口部的切口深度为特定值，可解决所述技术问题，从而完成了本技术。
[0029]即，本技术包括以下方案。
[0030](1)一种半导体装置制造用片，其具有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜，
[0031]所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述剥离膜而构成，
[0032]所述剥离膜的厚度为60μm以上，
[0033]在所述剥离膜中自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，
[0034]所述切口部的切口深度大于25μm。
[0035](2)根据所述(1)所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的面积与所述膜状粘合剂的面积均小于比所述中间层和所述膜状粘合剂更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。
[0036](3)根据所述(1)或(2)所述的半导体装置制造用片，其中，以所述剥离膜的厚度
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所述切口深度表示的未切部的厚度的值大于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置制造用片，其具有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述剥离膜而构成，所述剥离膜的厚度为60μm以上，在所述剥离膜中自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，所述切口部的切口深度大于25μm。2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的面积与所述膜状粘合剂的面积均小于比所述中间层和所述膜状粘合剂更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用片，其中，以所述剥离膜的厚度
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所述切口深度表示的未切部的厚度的值大于35μm。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩屋涉，佐藤阳辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：新型
国别省市：