一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法技术

本申请提出一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。该生长反应模块及拿取部件，生长反应模块包括：主体部，主体部内配置有反应腔，主体部的一侧具有开口部，开口部配置有喷淋组件，喷淋组件的进气侧通过匹配对应的管道连接至气体供给系统，反应腔内配置有旋转装置，转装置上放置托盘，所述托盘下配置有衬底加热器，所述喷淋组件的出气侧对着托盘，沿主体部的轴向配置有侧壁加热器，所述主体部的侧壁配置有进料口，所述拿取部件的机械手通过进料口以托盘装盘或取托盘，所述主体部的侧壁配置有抽气口，所述抽气口通过抽气管连接真空泵。利用拿取部件实现在较高的温度下装载/取托盘，减少等待时间、提高生产效率，设备利用率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法


[0001]本申请涉及薄膜材料生长的
，具体地涉及一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。

技术介绍

[0002]用于制备半导体薄膜如：制备碳化硅外延的设备是一种集气体输运、混气、真空、高温、旋转等技术为一体的高科技装备。反应气体流经被加热到反应温度的基片（即衬底）表面，发生化学反应生成单晶薄膜。为保证衬底的温度和气流场的均匀性，进气装置需要将反应气体均匀地通入反应腔，除了匀气机构，衬底和托盘也需要旋转。设备的气体供给系统由多种反应气体混合而成，反应气体混合之后通过大流量载气送入反应腔参与生长反应。该类薄膜材料生长设备的反应系统的核心部件是反应腔。目前制备碳化硅外延的反应腔，生长/维护时间长、维护过程繁琐，且生长环境变化大。
[0003]因此，需改进现有的碳化硅外延薄膜生长的设备。

技术实现思路

[0004]为克服上述缺点，本申请的目的在于：提供一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。
[0005]为了达到以上目的，本申请采用如下技术方案：一种用于碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备，其特征在于，包括：至少一个生长反应模块及拿取部件，所述拿取部件包括：机械手，所述生长反应模块包括：主体部，沿主体部的轴向配置有侧壁加热器，且在主体部的轴向上侧壁加热器的长度与主体部的长度比介于0.3～0.6，所述主体部内配置有反应腔，所述主体部的顶部具有开口部，所述开口部配置有喷淋组件，所述喷淋组件通过匹配对应的管道连接至气体供给系统，所述反应腔内配置有旋转装置，所述转装置上放置托盘，所述托盘下配置有衬底加热器，所述喷淋组件的出气侧垂直的对着托盘，所述主体部的侧壁上配置有进料口，所述机械手通过所述进料口进入反应腔内以装托盘或取托盘，所述主体部的侧壁配置有抽气口，所述抽气口通过抽气管连接真空泵，所述进料口与所述抽气口相对配置。2.如权利要求1所述的用于碳化硅外延薄膜生长的设备，其特征在于，所述的机械手截面呈U型，所述机械手的U型开口朝向托盘，用以托着托盘。3.如权利要求1所述的用于碳化硅外延薄膜生长的设备，其特征在于，所述机械手配置于TM腔体内，所述主体部通过所述进料口与TM腔体连接。4.如权利要求1所述的用于碳化硅外延薄膜生长的设备，其特征在于，所述主体部的轴线与旋转装置的轴线同轴。5.一种碳化硅外延薄膜生长的控制方法，其特征在于，包括如权利要求1
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4中任一项所述的用于碳化硅外延薄膜生长的设备，所述控制方法包括如下步骤：S1.清洗反应腔，即利用气体供给系统的进气与真空泵的抽气配合以将反应腔内的杂质气体的浓度降至1ppb以下，S2.生长前准备，包括：准备供气及将反应腔侧壁加热器和衬底加热器分别升温至920℃的取盘温度；S3.托盘装载，即基于机械手将放置好衬底的托盘从TM腔体转移到反应腔内的旋转装置上；S4...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲勇，施建新，卢勇，赵鹏，
申请(专利权)人：芯三代半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：