声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法技术

一种声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法，所述声表面波增强型深紫外探测器依次包括铌酸锂衬底、半导体薄膜及设置于所述半导体薄膜表面的两对欧姆电极；所述两对欧姆电极其一用于接收并传播声表面波并使其调制薄膜与衬底的能带结构，以提高光生载流子的数量及传输效率，另一则用于收集光生载流子并转化为电信号输出，并接通外接参数分析仪评估探测器对于光辐射的响应度、探测率等一系列性能指标。本发明专利技术的声表面波增强型深紫外探测器能够通过声表面波的外部刺激显著增强探测器的响应度等一系列性能指标。应度等一系列性能指标。应度等一系列性能指标。

【技术实现步骤摘要】
声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及深紫外探测
，尤其涉及一种声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]深紫外光电探测器具有体积小、使用方便、省电等优点，可独立于外部电源进行工作。深紫外光电探测器对220~280 nm范围内的光敏感，有许多军事和商业应用，如光学跟踪、光通信和成像。与传统的硅基深紫外探测器和光电倍增管相比，宽禁带半导体具有一些明显的优势，这是由于其优越的材料和电性能，包括高的热/化学稳定性、优异的抗辐射特性，以及直接对应于太阳盲区的探测波长。因此，不需要滤除长波长的光，即可在保持高性能的同时，降低了操作复杂性和系统重量。
[0003]目前，采用合金化工艺实现了基于MgZnO、Al
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Ga1−
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N等宽禁带半导体的深紫外光电探测器。然而，在合金化过程中，成分波动和相分离通常会引入高密度的缺陷态，这将增加光电探测器的暗电流，从而抑制光响应性能。近年来，与Ga2O3相关的材料由于其优异的辐射硬度、高的热稳定性以及与日盲波本质对应的4.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波增强型深紫外探测器，包括压电衬底、形成于所述压电衬底上的半导体薄膜，以及分别形成在所述压电衬底上和所述半导体薄膜上的两对欧姆电极；所述欧姆电极与压电衬底和半导体薄膜形成欧姆接触，构成衬底
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衬底薄膜
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电极结构。2.根据权利要求1所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述两对欧姆电极采用合金制作。3.根据权利要求2所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述两对欧姆电极为叉指形状；所述两对欧姆电极采用钛/金合金制作。4.根据权利要求1所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述压电衬底为铌酸锂衬底。5.根据权利要求1所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述半导体薄膜为宽禁带半导体薄膜。6.根据权利要求5所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述宽禁带半导体薄膜的材料选自于III
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V组化合物和II
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VI组化合物中的一种。7.根据权利要求6所述的声表面波增强型深紫外探测器，其特征在于，所述宽禁带半导体薄膜的材料选自于Ga2O3、GaN、AlN、AlGaN...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴真平，张清怡，夏翰驰，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：