一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路及系统技术方案

本发明专利技术涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路。其技术方案包括：脉冲变压器、第一稳压管、第二稳压管、第三二极管、NPN型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；本发明专利技术还提出一种MOSFET驱动系统，包括MOSFET驱动电路以及与MOSFET驱动电路相连的驱动芯片，驱动芯片用于生成并输出双极性的PWM信号；还包括PMOS管以及与MOSFET驱动电路相连用于向PMOS管稳流输出的驱动保护电路。本发明专利技术可以在一定程度上改善脉冲变压器的直流偏磁现象；对PMOS管的状态实时监测，当监测PMOS管故障时，瞬间断开驱动芯片和MOSFET驱动电路对PMOS管的驱动状态；通过直接对驱动芯片断开，可避免MOSFET驱动电路阻抗失衡的情况，同时可避免PMOS管被直接击穿的情况。况。况。

【技术实现步骤摘要】
一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路及系统


[0001]本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路及系统。

技术介绍

[0002]MOSFET作为功率逆变驱动电路中的核心器件，在航空航天、轨道交通、新能源汽车等诸多领域得到了广泛地应用。一般情况下，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动通常由PWM芯片驱动电路，当MOSFET在开通过程中，一旦发生过流现象，会带来极大的开关损耗，产生大量热量，同时，还可能引起逆变器上下桥臂直通，致使MOSFET器件损坏，驱动系统失效等严重后果。如图1所示，输入的PWM信号通过电阻Rg和电阻R直接输向PMOS管，在此过程中，电路不稳定，易被干扰。
[0003]申请公布号为CN102510277A的专利公开了一种MOSFET驱动电路，具体公开了利用电平转换模块将低压信号转换为高压信号；第一级驱动模块接收高压信号，各级驱动模块依次串联，第N级驱动模块驱动开关模块的栅端；每一级驱动模块包括上驱动MOS管、下驱动MOS管和控制管，第N级驱动模块的控制管控制开关模块的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路，包括脉冲变压器、第一稳压管、第二稳压管、第三二极管、NPN型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；所述脉冲变压器原边输入双极性的PWM信号，所述脉冲变压器副边的第一端经所述第一电阻接所述第一稳压管的阳极；所述第一稳压管的阴极接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端作为MOSFET驱动电路的正输出端；所述第三电阻并联在所述第一稳压管两端；其特征在于；所述NPN型三极管的基极接所述脉冲变压器副边的第二端，集电极接所述第一稳压管的阴极，发射极作为所述MOSFET驱动电路的负输出端；所述第四电阻连接在所述NPN型三极管的基极与集电极之间；所述第三二极管的阴极接所述NPN型三极管的基极，其阳极接所述NPN型三极管的发射极；所述第二稳压管的阳极接所述NPN型三极管的发射极，其阴极接所述NPN型三极管的集电极；所述第三电阻和第四电阻为可变电阻，且在阻值变化时，阻值始终保持相等。2.根据权利要求1所述的一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路，其特征在于，所述脉冲变压器副边的正反向通路阻抗相等。3.根据权利要求1或2所述的一种阻抗相等的高稳MOSFET驱动电路，其特征在于，所述MOSFET驱动电路还包括串接在所述脉冲变压器原边的电容。4.一种MOSFET驱动系统，其特征在于，包括权利要求1
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3任一项所述的MOSFET驱动电路以及与所述MOSFET驱动电路相连的驱动芯片，所述驱动芯片用于生成并输出双极性的PWM信号；还包括PMOS管以及与MOSFET驱动电路相连用于向PMOS管稳流输出的驱动保护电路。5.根据权利要求4所述的一种MOSFET驱动系统，其特征在于，所述驱动保护电路包括检测模块和保护模块；所述检测模块用于对PMOS管过流的检测，所述保护模块用于PMOS管过流保护；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文靖，
申请(专利权)人：李文靖，
类型：发明
国别省市：