芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质，其中所述方法包括：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本发明专利技术，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。翘曲变形量。翘曲变形量。

【技术实现步骤摘要】
芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质


[0001]本专利技术涉及终端
，尤其涉及一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质。

技术介绍

[0002]摄像头模组在正常工作时，成像芯片和摄像头模组中其他电子元器件发热会造成整个摄像头模组的温度分布不均匀。且还受摄像头模组安装位置的约束作用和摄像头模组中各种材料的热膨胀系数(coefficient thermal expansion，CTE)不一致等原因，会造成成像芯片的翘曲变形。然而，这种翘曲变形会改变光学焦距，从而造成摄像头模组拍照成像不清晰。
[0003]在摄像头模组前期设计阶段，为保证摄像头模组的清晰成像，设计师会根据成像芯片的翘曲变形量进行一定量的热变形补偿，从而保证成像芯片的清晰成像。因此，如何准确地计算摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量是目前亟需解决的重要问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种芯片翘曲变形量计算方法，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0005]一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种芯片翘曲变形量计算方法，所述方法包括：
[0006]获取摄像头模组的几何模型；
[0007]对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0008]可选地，所述调用有限元分析软件对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
[0009]调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；
[0010]调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0011]可选地，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
[0012]对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；
[0013]在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；
[0014]对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；
[0015]根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述
第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
[0016]可选地，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：
[0017]确定所述摄像头模组的散热方式；
[0018]所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
[0019]根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
[0020]可选地，所述方法还包括：
[0021]在判断到所述温度场分布异常时，生成与所述温度场分布对应的异常分析报告。
[0022]可选地，所述调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
[0023]在有限元分析软件的静力学模块中设置所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件；
[0024]采用热力耦合的方式对所述温度场分布进行第二网格划分和温度重映射，得到第二网格模型；
[0025]根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0026]可选地，所述材料参数包括以下中的至少一项：材料弹性模量、材料泊松比和材料热膨胀系数。
[0027]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种芯片翘曲变形量计算装置，所述装置包括：获取模块和计算模块，其中：
[0028]所述获取模块，用于获取摄像头模组的几何模型；
[0029]所述计算模块，用于对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0030]关于本申请实施例未介绍或未描述的内容可对应参考前述方法实施例中的相关介绍，这里不再赘述。
[0031]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种终端设备，其特征在于，包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上所述的芯片翘曲变形量计算方法。
[0032]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上所述的芯片翘曲变形量计算方法。
[0033]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请通过获取摄像头模组的几何模型，对所述摄像头模组的几何模型依次进行温度场分布计算和翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本申请，能利
用有限元分析软件直接、准确地计算出成像芯片的翘曲变形量，这样能提升翘曲变形量计算的准确性和便捷性。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。
[0036]图2是本申请实施例提供的另一种芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。
[0037]图3是本申请实施例提供的一种摄像头模组中部分部件的几何模型的结构示意图。
[0038]图4是本申请实施例提供的一种流体区域的示意图。
[0039]图5是本申请实施例提供的一种温度场分布示意图。
[0040]图6是本申请实施例提供的一种有限元分析软件的内部处理流程图。
[0041]图7是本申请实施例提供的一种热仿真模块计算的温度场分布与静力学模块识别的温度边界分布的对比示意图。
[0042]图8是本申请实施例提供的一种摄像头模组中安装有成像芯片的柔性电路板的翘曲变形量的结果示意图。
[0043]图9是本申请实施例提供的一种成像芯片的翘曲变形量的结果示意图。
[0044]图10是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算装置的结构示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，包括：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。2.根据权利要求1所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。3.根据权利要求2所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。4.根据权利要求3所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：确定所述摄像头模组的散热方式；所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：何明腾，许杨柳，
申请(专利权)人：昆山丘钛微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：