芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质，其中所述方法包括：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本发明专利技术，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。翘曲变形量。翘曲变形量。

【技术实现步骤摘要】
芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质


[0001]本专利技术涉及终端
，尤其涉及一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质。

技术介绍

[0002]摄像头模组在正常工作时，成像芯片和摄像头模组中其他电子元器件发热会造成整个摄像头模组的温度分布不均匀。且还受摄像头模组安装位置的约束作用和摄像头模组中各种材料的热膨胀系数(coefficient thermal expansion，CTE)不一致等原因，会造成成像芯片的翘曲变形。然而，这种翘曲变形会改变光学焦距，从而造成摄像头模组拍照成像不清晰。
[0003]在摄像头模组前期设计阶段，为保证摄像头模组的清晰成像，设计师会根据成像芯片的翘曲变形量进行一定量的热变形补偿，从而保证成像芯片的清晰成像。因此，如何准确地计算摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量是目前亟需解决的重要问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种芯片翘曲变形量计算方法，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
[0005]一方面，本申请通过本申请的一实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，包括：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。2.根据权利要求1所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。3.根据权利要求2所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。4.根据权利要求3所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：确定所述摄像头模组的散热方式；所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：何明腾，许杨柳，
申请(专利权)人：昆山丘钛微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：