显示调节电路、方法及显示装置制造方法及图纸

本文公开一种显示调节电路，包括：像素单元阵列；像素单元阵列包括M行N列像素单元；至少一个像素单元包括发光器件和与所述发光器件串联的发光控制开关器件；像素单元的发光控制开关器件配置为在该像素单元所在行对应的行亮度控制信号的控制下在一帧的周期内控制发光器件在发光状态和不发光状态之间周期性切换；像素单元的发光器件配置为由该像素单元对应的显示数据信号控制流过所述发光器件的电流大小；其中，所述行亮度控制信号是脉冲宽度调制信号，所述行亮度控制信号的频率是帧频的a倍，a为大于1的整数。本文的方案能提高画面亮度调节的精度，减轻屏幕显示的Mura程度。减轻屏幕显示的Mura程度。减轻屏幕显示的Mura程度。

【技术实现步骤摘要】
显示调节电路、方法及显示装置


[0001]本申请实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示调节电路、方法及显示装置。

技术介绍

[0002]随着AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示技术的不断发展，对于显示的分辨率、刷新率等要求越来越高。在众多提升AMOLED产品表现力的技术中，PPI(Pixels Per Inch)的提升成为关注的焦点，因为在产品尺寸一定的情况下，要实现画质的进一步提升，最直接的方法就是尽可能增多可排布的像素数量，这就要求每个子像素的体积要做到更小，从而使得显示画面的细节更加丰富。
[0003]但是，由于工艺、材料等因素的影响，面板内TFT(薄膜晶体管)的特性存在差异，尤其在低亮度低灰阶时该差异更加明显，产生Mura(亮度不均匀)现象。通过工艺能力的提升改善该问题存在一定的局限性，从而影响了高分辨率显示屏幕的画质。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种显示调节电路，包括：像素单元阵列；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示调节电路，包括：像素单元阵列；所述像素单元阵列包括M行N列像素单元P(i,j)；至少一个像素单元P(i,j)包括发光器件D(i,j)和与所述发光器件串联的发光控制开关器件M(i,j)；1≤i≤M；1≤j≤N；M和N为大于1的整数；像素单元P(i,j)的发光控制开关器件M(i,j)，配置为在该像素单元所在行对应的行亮度控制信号SW(i)的控制下在一帧的周期内控制发光器件在发光状态和不发光状态之间周期性切换；像素单元P(i,j)的发光器件D(i,j)，配置为由该像素单元对应的显示数据信号Vdata(i,j)控制流过所述发光器件的电流大小；其中，所述行亮度控制信号是脉冲宽度调制PWM信号，一行像素单元对应的行亮度控制信号的占空比是根据该行像素单元的显示数据确定的；所述行亮度控制信号的频率是帧频的a倍，a为大于1的整数。2.如权利要求1所述的显示调节电路，其特征在于：所述发光控制开关器件包括：晶体管。3.如权利要求1所述的显示调节电路，其特征在于：所述发光器件包括：有机发光二极管。4.如权利要求1所述的显示调节电路，其特征在于：所述像素单元包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和发光控制开关器件M1、存储电容Cst和发光二极管D1；其中，所述发光控制开关器件M1是晶体管，第六晶体管T6是驱动晶体管；所述第一晶体管的控制极连接门控信号Gate端，第一极连接存储电容的第二端，第二极连接初始化信号Vini端；所述第二晶体管的控制极连接门控信号Gate端，第一极连接发光二极管D1的阳极，第二极连接初始化信号Vini端；所述第三晶体管的控制极连接门控信号Gate端，第一极连接驱动晶体管的第一极，第二极连接显示数据信号Vdata端；所述第四晶体管的控制极连接门控信号Gate端，第一极连接存储电容的第二端，第二极连接驱动晶体管的第二极；所述第五晶体管的控制极连接发光控制信号EM端，第一极连接第一电源信号ELVDD端，第二极连接驱动晶体管的第一极；所述驱动晶体管的控制极连接存储电容的第二端，第一极连接第五晶体管的第二极和第三晶体管的第一极，第二极连接第四晶体管的第二极和第七晶体管的第一极；所述第七晶体管的控制极连接发光控制信号EM端，第一极连接驱动晶体管的第二极，第二极连接发光控制开关器件的第一极；所述发光控制开关器件的控制极连接行亮度控制信号SW端，第一极连接第七晶体管的第二极，第二极连接发光二极管的阳极；所述发光二极管的阳极连接发光控制开关器件的第二极和第二晶体管的第一极，阴极连接第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡振文，贾群，牟仕浩，刘文红，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：