显示像素电路结构及显示面板制造技术

本公开提供一种显示像素电路结构及显示面板。其中，该显示像素电路结构包括像素电路和补偿电路，像素电路通过侦测线与补偿电路电连接，所述补偿电路包括第一模块和第二模块。在侦测过程中，所述第一模块用于经由所述侦测线向所述像素电路输入侦测信号，所述第二模块用于经由所述侦测线侦测并存储所述像素电路的驱动晶体管的阈值电压，在显示过程中，所述第一模块用于基于所存储的所述阈值电压经由所述侦测线向所述像素电路输入经补偿的数据信号，以补偿所述驱动晶体管的阈值电压的偏移。采用本公开提供的技术方案，可以实现更高像素密度的产品。像素密度的产品。像素密度的产品。

【技术实现步骤摘要】
显示像素电路结构及显示面板


[0001]本公开涉及显示
，具体涉及一种显示像素电路结构及显示面板。

技术介绍

[0002]LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器件)属于电压驱动型，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光器件)、Mini
‑
LED、Micro
‑
LED属于电流驱动型。其中，AMOLED作为新一代的显示技术，相较于传统的LCD显示技术，其具备更高的对比度、更快的反应速度和更广的视角目前广泛地应用于智能手机领域。并且，经过对技术的不断优化，AMOLED显示技术的应用更有机会拓展至智能电视、可穿戴设备等领域。
[0003]与OLED器件相同，AMOLED器件也属于电流驱动型。在电流驱动型的显示器件(例如OLED)中，以阵列形式分布在显示面板中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的V
th
(Threshold Voltage，阈值电压)决定着驱动OLED的发光电流。因此，电流驱动型显示器件对TFT的电性变化更为敏感。例如，TFT阈值电压的漂移会影响显示的均匀性和准确性。
[0004]目前，针对AMOLED器件对TFT的电性变化较为敏感这一问题，可以通过引入外部补偿电路的方式来解决。然而，传统的采用外部补偿方式的3T1C像素电路对版图空间较高，使显示产品无法具有更高的像素密度。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种像素电路及显示面板，可以解决传统的采用外部补偿方式的3T1C像素电路对版图设计空间较高，使显示产品无法具有更高的像素密度的问题。
[0006]一方面，本公开提供了一种显示像素电路结构，包括像素电路和补偿电路，所述像素电路通过侦测线与补偿电路电连接。
[0007]其中，所述补偿电路包括第一模块和第二模块。
[0008]在侦测过程中，所述第一模块用于经由所述侦测线向所述像素电路输入侦测信号，基于所述侦测信号，所述第二模块用于经由所述侦测线侦测并存储所述像素电路的驱动晶体管的阈值电压。
[0009]在显示过程中，所述第一模块还用于接收来自数据信号端的原始数据信号并随之基于所存储的所述阈值电压将所述原始数据信号转换为经补偿的数据信号以补偿所述驱动晶体管的阈值电压的偏移，以及经由所述侦测线向所述像素电路输入所述经补偿的数据信号。
[0010]在本公开的一些实施例中，所述补偿电路还包括第一开关和第二开关，并且，所述第一开关和所述第二开关均为N型薄膜晶体管。
[0011]在本公开的一些实施例中，所述像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、储能元件和发光元件，所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型薄膜晶体管。所述储能元件为平板电容器，所述发光元件为有机发光二极管。
[0012]在本公开的一些实施例中，所述像素电路还包括多个扫描信号端。并且，当所述扫
描信号端输出的扫描信号序列中的扫描信号处于第一电位时，N型薄膜晶体管的源极与漏极导通；当扫描信号处于第二电位时，N型薄膜晶体管的源极与漏极之间的通道截止。其中，第一电位为高电位，第二电位为低电位。
[0013]在本公开的一些实施例中，所述像素电路还包括第一电源信号端和第二电源信号端。
[0014]在本公开的一些实施例中，所述第一电源信号端用于提供第一电源电压，所述第二电源信号端用于提供第二电源电压，其中，所述第二电源电压小于所述第一电源电压。
[0015]在本公开的一些实施例中，所述第一电源信号端还用于向处于侦测过程中的所述像素电路提供第三电源电压，并且，所述第三电源电压小于所述第一电源电压。
[0016]本公开提供了一种显示面板，包含上述显示像素电路结构。
[0017]本公开所提供的显示像素电路结构及显示面板，一方面能够补偿驱动晶体管阈值电压的偏移，另一方面能够提高版图设计空间的利用率。具体地，采用本公开提供的显示像素电路结构，在版图设计过程中，能够实现侦测信号V
SENSE
和数据信号V
DATA
经由一根信号线输入至像素电路，缩小了像素电路单元的尺寸，进而节省了版图的设计空间，有助于实现更高像素密度的产品。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本公开一实施例提供的显示像素电路结构的结构示意图；
[0020]图2是本公开一实施例提供的显示像素电路结构的结构示意图；
[0021]图3是本公开一实施例提供的显示像素电路结构在侦测过程中的信号时序图；
[0022]图4是本公开一实施例提供的显示像素电路结构在显示过程中的信号时序图；
[0023]图5是本公开一实施例提供的显示像素电路结构的结构示意图；
[0024]图6是本公开一实施例提供的显示像素电路结构在侦测过程中的信号时序图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0026]本公开所有实施例中采用的开关元件可以为晶体管或场效应管或其他功能相同的器件。在本公开的一些实施例中，为区分晶体管除了作为控制端的栅极之外的两端，将其中一端称为源极，另一端称为漏极。并且，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。此外，本公开实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管、N型晶体管中的至少一种，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型晶体管在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
[0027]本公开提供了一种采用外部补偿方式的显示像素电路结构，如图1所示。
[0028]该显示像素电路结构包括像素电路110和补偿电路120。像素电路110通过侦测线与补偿电路120电连接，其中，补偿电路120用于侦测像素电路110中驱动晶体管的阈值电压，并根据侦测到的驱动晶体管的阈值电压调整数据信号，随后，将调整后的数据信号在显示过程中输入至像素电路110中，以补偿像素电路110中驱动晶体管的阈值电压，从而保证显示的均匀性和准确性。
[0029]具体他，补偿电路120包括第一模块和第二模块。
[0030]在所述侦测过程中，所述第一模块经由所述侦测线向像素电路110输入侦测信号。
[0031]基于所述侦测信号，所述第二模块经由所述侦测线侦测并存储像素电路110的驱动晶体管的阈值电压。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示像素电路结构，其特征在于，所述显示像素电路结构包括补偿电路和像素电路，所述像素电路通过侦测线与所述补偿电路电连接，其中，所述补偿电路包括第一模块和第二模块；所述第一模块用于在侦测过程中经由所述侦测线向所述像素电路输入侦测信号；所述第二模块用于在所述侦测过程中经由所述侦测线侦测并存储所述像素电路的驱动晶体管的阈值电压；所述第一模块还用于在显示过程中接收来自数据信号端的原始数据信号并随之基于所存储的所述阈值电压将所述原始数据信号转换为经补偿的数据信号以补偿所述驱动晶体管的阈值电压的偏移，以及经由所述侦测线向所述像素电路输入所述经补偿的数据信号。2.根据权利要求1所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述补偿电路还包括第一开关和第二开关；所述第一开关的控制端与第一控制信号端电连接，以接收第一控制信号序列，所述第一开关的第一端与所述第一模块电连接，以辅助所述第一模块向所述像素电路输出所述侦测信号以及所述经补偿的数据信号，所述第一开关的第二端与所述侦测线的第一端电连接；所述第二开关的控制端与第二控制信号端电连接，以接收第二控制信号序列，所述第二开关的第一端与所述第二模块电连接，以辅助所述第二模块侦测并存储所述像素电路的驱动晶体管的阈值电压，所述第二开关的第二端与所述侦测线的第一端电连接；其中，所述侦测线的第一端也与所述像素电路的第一节点电连接，并且所述第一开关和所述第二开关均为N型薄膜晶体管。3.根据权利要求2所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述侦测线具有寄生电容，并且所述侦测线的第二端接地。4.根据权利要求3所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述像素电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、储能元件和发光元件；所述驱动晶体管的控制端与第二节点电连接、第一端与第三节点电连接、第二端与第四节点电连接；所述第一晶体管的控制端与第一扫描信号端电连接，以接收第一扫描信号序列，所述第一晶体管的第一端与所述第二节点电连接、第二端与所述第一节点电连接；所述储能元件的第一端与所述第二节点电连接、第二端与所述第三节点电连接，其中，所述第三节点与第一电源信号端电连接，以接收第一电源电压；所述发光元件的第一端与所述第四节点电连接、第二端与第二电源信号电连接，以接收第二电源电压，其中，所述第二电源电压小于所述第一电源电压。5.根据权利要求4所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型薄膜晶体管；所述储能元件为电容；所述发光元件为发光二极管。6.根据权利要求5所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述第二晶体管的控制端与第二扫描信号端电连接，以接收第二扫描信号序列，所述第二晶体管的第一端与所述第四
节点电连接、第二端与所述第一节点电连接。7.根据权利要求5所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述第二晶体管的控制端与第二扫描信号端电连接，以接收第二扫描信号序列，所述第二晶体管的第一端与所述第四节点电连接、第二端与所述第二节点电连接。8.根据权利要求6所述的显示像素电路结构，其特征在于，所述侦测过程包括：侦测初始化阶段、阈值电压侦测阶段和采样阶段；在所述侦测初始化阶段，所述第一控制信号序列中的控制信号处于第一电位，以控制所述第一开关导通；所述第二控制信号序列中的控制信号处于第二电位，以控制所述第二开关截止；并且，所述侦测初始化阶段包括第一时间分段和第二时间分段；在所述第一时间分段，所述第一扫描信号序列中的扫描信号处于所述第一电位，以控制所述第一晶体管导通；所述第二扫描信号序列中的扫描信号处于所述第二电位，以控制所述第二晶体管截止；在所述第二时间分段，所述第一扫描信号序列中的扫描信号处于所述第二电位，以控制所述第一晶体管截止；所述第二扫描信号序列中的扫描信号处于所述第一电位，以控制所述第二晶体管导通；在所述阈值电压侦测阶段，所述第一控制信号序列中的控制信号处于所述第二电位，以控制所述第一开关截止；所述第二控制信号序列中的控制信号处于第二电位，以控制所述第二开关截止；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢奕宏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：