一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；支撑部和第一非故意掺杂区重合连接。通过湿法蚀刻将第一n型重掺杂区和第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留第一非故意掺杂区和第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的GaN同质悬臂梁结构。本发明专利技术的GaN同质悬臂梁结构的制备方法工艺简单、稳定性好、制备效率高、可靠性强，可制备尺寸误差0.1nm的微机电结构，可广泛应用于微机电系统。可广泛应用于微机电系统。可广泛应用于微机电系统。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微机电系统(MEMS)
，具体涉及一种GaN同质悬臂梁及其制备方法。

技术介绍

[0002]GaN具有直接带隙、熔点高、硬度高等优点，使其在光电子、大功率、高频器件领域得到广泛的应用。此外，由于GaN良好的压电特性、热稳定性、化学惰性，使其在光机电领域展现出了良好的应用前景。
[0003]目前，传统的GaN MEMS器件的制备是通过GaN外延生长在Si基质上，但是由于晶格失配和热失配使其晶体质量较差。因此通过GaN基质制备其微机电系统可以有效提升器件性能。然而，在GaN同质外延系统中，由于GaN的稳定性，目前使用干法制备工艺的效率较低。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术提出一种制备GaN同质悬臂梁的方法，该方法应具备工艺简单、高效、可靠的特征，具体方案如下。
[0005]一种GaN同质悬臂梁结构的制备方法，包括以下制备步骤：
[0006]S1，获取本征GaN基底；
[0007]S2，在所述本征GaN基底上外延第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：S1，获取本征GaN基底；S2，在所述本征GaN基底上外延第一层GaN薄膜，所述第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中；S3，在所述第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜；所述第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，所述第二非故意掺杂区镶嵌于所述第二n型重掺杂区中；所述第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；所述支撑部和所述第一非故意掺杂区重合连接；S4，通过湿法蚀刻将所述第一n型重掺杂区和所述第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留所述第一非故意掺杂区和所述第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的所述GaN同质悬臂梁结构。2.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，通过在蓝宝石或者硅衬底上生长GaN获得所述本征GaN基底。3.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于所述第一n型重掺杂区中的结构，通过两步外延法得到：先选区外延所述第一非故意掺杂区，再选区外延所述第一n型重掺杂区。4.根据权利要求1所述的GaN同质悬臂梁结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一非故意掺杂区镶嵌于...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔积适，
申请(专利权)人：三明学院，
类型：发明
国别省市：