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本发明涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂...
该专利属于三明学院所有，仅供学习研究参考，未经过三明学院授权不得商用。

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