电感元件制造技术

本发明专利技术提供一种电感元件，其改善了具有不同匝数部分的线圈的电感元件中的重叠特性。本发明专利技术的电感元件具备：环状线圈，具有匝数为ｎ匝的ｎ卷部（３１）、和匝数为ｎ＋１匝的ｎ＋１卷部（３２）；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；以及磁隙，阻断围绕上述ｎ卷部（３１）而形成的磁通和围绕上述ｎ＋１卷部（３２）而形成的磁通中的任何一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有环状线圈的电感元件。
技术介绍
层叠型的这种电感元件采用如下结构例如做成长方体块状，在长方体的对置的两个面上分别设有电极，块内部的线圈的端图形延伸并与上述电极连接。因此，在环状的线圈中，上述延伸的部分如图4所示，例如具有比其他环的部分匝数(圈数)多一匝的结构。在使用这种结构的电感元件的情况下，发现对应于圈数的多少会有发生磁场(発生磁界)的不均衡产生，这会导致直流重叠特性的降低。有关本专利技术的专利文献第1可以列举出特开2001-267129号公报，第2可以列举出日本特开平10-335144号公报。
技术实现思路
为了解决上述课题，本专利技术的目的在于提供一种能够纠正发生磁场在圈数较多的部分和圈数较少的部分中的不均衡，直流重叠特性良好的电感元件。本专利技术的电感元件的特征在于，具备环状的线圈，具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；以及磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方。本专利技术的电感元件的特征在于，具备环状的线圈，具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；第1磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方；以及第2磁隙，在与上述环的轴向正交的方向上，宽度比阻断上述磁通的第1磁隙窄。本专利技术的电感元件是将环状的线圈和将上述线圈埋设在内部的软磁性陶瓷部件在同一元件内层叠而构成的层叠型电感元件，所述环状的线圈具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；其特征在于，设在上述线圈的环内外的上述软磁性陶瓷部件是使磁通通过而形成磁路的磁路材料；设有磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方。本专利技术的电感元件是将环状的线圈和将上述线圈埋设在内部的软磁性陶瓷部件在同一元件内层叠而构成的层叠型电感元件，所述环状的线圈具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；其特征在于，设在上述线圈的环内外的上述软磁性陶瓷部件是使磁通通过而形成磁路的磁路材料；其具备第1磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方；以及第2磁隙，在与上述环的轴向正交的方向上，宽度比阻断上述磁通的第1磁隙窄。本专利技术的电感元件的特征在于，由非磁性陶瓷构成阻断上述磁通的第1磁隙和第2磁隙中的任何一方。本专利技术的电感元件的特征在于，在由磁路材料构成的块的外表面，通过使上述n卷部和上述n+1卷部中的任何一方的一部分露出，而形成阻断磁通的磁隙。本专利技术的电感元件的特征在于，上述被露出的部分由绝缘性的树脂涂层。本专利技术的电感元件的特征在于，上述n卷部和上述n+1卷部中的n小于等于4。根据上述构成的电感元件，通过阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方，能够向使发生磁通的不均衡变得均衡的方向改善，能够改善直流重叠特性。附图说明图1是本专利技术的各实施例的电感元件的外观图。图2是图1中的第1实施例的电感元件的A-A剖面图。图3是图1中的第1实施例的电感元件的B-B剖面图。图4是表示本专利技术的第1、第2实施例中使用的线圈的立体图。图5(a1)、(b1)、(c1)是表示本专利技术的第1实施例的电感元件的制造工序的图。图6(d1)、(e1)、(f1)是表示本专利技术的第1实施例的电感元件的制造工序的图。图7(g1)、(h1)、(f1’)是表示本专利技术的第1实施例的电感元件的制造工序的图。图8是图1中的第2实施例的电感元件的A-A剖面图。图9是图1中的第2实施例的电感元件的B-B剖面图。图10(a2)、(b2)、(c2)是表示本专利技术的第2实施例的电感元件的制造工序的图。图11(d2)、(e2)、(f2)是表示本专利技术的第2实施例的电感元件的制造工序的图。图12(g2)、(h2)、(f2’)是表示本专利技术的第2实施例的电感元件的制造工序的图。图13是表示本专利技术的第3、第4实施例中使用的线圈的立体图。图14是图1中的第3实施例的电感元件的A-A剖面图。图15是图1中的第3实施例的电感元件的B-B剖面图。图16(a3)、(b3)、(c3)是表示本专利技术的第3实施例的电感元件的制造工序的图。图17(d3)、(e3)、(f3)是表示本专利技术的第3实施例的电感元件的制造工序的图。图18(g3)、(h3)、(i3)是表示本专利技术的第3实施例的电感元件的制造工序的图。图19(j3)、(k3)是表示本专利技术的第3实施例的电感元件的制造工序的图。图20是图1中的第4实施例的电感元件的A-A剖面图。图21是图1中的第4实施例的电感元件的B-B剖面图。图22(a4)、(b4)、(c4)是表示本专利技术的第4实施例的电感元件的制造工序的图。图23(d4)、(e4)、(f4)是表示本专利技术的第4实施例的电感元件的制造工序的图。图24(g4)、(h4)、(i4)是表示本专利技术的第4实施例的电感元件的制造工序的图。图25(j4)、(k4)是表示本专利技术的第4实施例的电感元件的制造工序的图。图26是表示本实施例和比较例的直流重叠特性的图。图27是通过比值表示本实施例和比较例的直流重叠特性的图。图28是图1中的第5实施例的电感元件的A-A剖面图。图29是图1中的第5实施例的电感元件的B-B剖面图。图30是图1中的第6实施例的电感元件的A-A剖面图。图31是图1中的第6实施例的电感元件的B-B剖面图。图32是表示在第7实施例的电感元件中使用的线圈的一例的立体图。图33是表示在使用图32所示的线圈制造第7实施例的电感元件时所用框体的一例的立体图。具体实施例方式本专利技术通过设置阻断磁通的磁隙的较简单结构，达到纠正圈数较多的部分和圈数较少的部分中发生磁场(発生磁界)的不均衡、使直流重叠特性变好的目的。下面参照附图说明本专利技术的电感元件的实施例。在各图中，对相同的构成要素赋予相同的标号，并省略其说明。实施例1图1表示电感元件1的外观，图2表示A-A剖面图，图3表示B-B剖面图。在电感元件1的相对置的一对面上设有电极2。若将线圈3取出来表示，则如图4所示。即具有匝数为n匝的n卷部31、和匝数为n+1匝的n+1卷部32的四边形的环状。线圈3的卷绕起始部33和卷绕结束部34从环状部分向电极2、2侧延伸，并连接到电极2上。在电感元件1的侧壁上，露出线圈3的n卷部31中与n+1卷部32平行的部分、即构成线圈3的导体的侧部，将绝缘性树脂4涂敷在该露出的部分上。线圈3的环中央部及n+1卷部32的外侧由磁路材料即磁性体5形成。以夹着线圈的导体图形3a的方式设有非磁性体6，尤其是在n卷部31的上侧及下侧设有比导体图形3a、3a之间厚的非磁性体6。在从n卷部31的导体图形3a的下方到n+1卷部32的最下面的导电图形3a及位于其上的导体图形3a之间，设有非磁性体构成的第2磁隙7，宽度比设在n卷部31的上侧及下侧的由非磁性体6所构成的第1磁隙窄(较薄)。该电感元件1通过图5～图7所示的工序制造。将磁性薄片层叠多层而形成磁性层，在该磁性层之上，配置n卷部31的位置上较厚地涂敷非磁性体6，在其余区域上设置磁性体5而使表面变平坦。如图5(a1)所示，在该平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感元件，其特征在于，具备：环状的线圈，具有匝数为ｎ匝的ｎ卷部和匝数为ｎ＋１匝的ｎ＋１卷部；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；以及磁隙，阻断围绕上述ｎ卷部而形成的磁通和围绕上述ｎ＋１卷部而形成的磁通中的任何一方。

【技术特征摘要】
JP 2004-3-31 108584/20041.一种电感元件，其特征在于，具备环状的线圈，具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；以及磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方。2.一种电感元件，其特征在于，具备环状的线圈，具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；磁路材料，被设在上述线圈的环内外、使磁通通过而形成磁路；第1磁隙，阻断围绕上述n卷部而形成的磁通和围绕上述n+1卷部而形成的磁通中的任何一方；以及第2磁隙，在与上述环的轴向正交的方向上，宽度比阻断上述磁通的第1磁隙窄。3.一种电感元件，其是将环状的线圈和将上述线圈埋设在内部的软磁性陶瓷部件在同一元件内层叠而构成的层叠型电感元件，所述环状的线圈具有匝数为n匝的n卷部和匝数为n+1匝的n+1卷部；其特征在于，设在上述线圈的环内外的上述软磁性陶瓷部件是使磁通通过而形成磁路的磁路材料；设有磁隙，阻断围绕上述n卷部而形...

【专利技术属性】
技术研发人员：川原井贡，
申请(专利权)人：日商胜美达股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]