组合物制造技术

本发明专利技术的课题在于，提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。本发明专利技术的组合物含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物


[0001]本专利技术涉及一种组合物。

技术介绍

[0002]由于能够轻量化、低成本化及柔软化，因此正在研究在使用液晶显示器及有机EL(Electric Luminescence(电致发光))显示器中使用的FET(电场效应晶体管)、RFID(radio frequency identifier(射频标识符)：RF标签)及包括存储器的逻辑电路的装置等中，利用具有有机半导体膜(有机半导体层)的有机薄膜晶体管(有机TFT：Thin Film Transistor)。
[0003]作为用于形成这种有机半导体膜的化合物，专利文献1中公开了一种具有氮杂苝(Azaperylene)骨架的有机半导体化合物。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
‑
6745号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术课题
[0008]本专利技术人发现使用专利文献1中记载的具有氮杂苝骨架的化合物来制造有机薄膜晶体管时的制造条件尚有改善的余地。例如，要求能够在较低的温度(例如，室温)下制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管。
[0009]因此，本专利技术的课题在于，提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。
[0010]用于解决技术课题的手段
[0011]本专利技术人对上述课题进行深入研究的结果，发现通过以下结构能够解决上述课题，并完成了本专利技术。
>[0012]〔1〕
[0013]一种组合物，其含有后述的式(1)所表示的化合物和后述的式(S1)所表示的醇。
[0014]〔2〕
[0015]根据〔1〕所述的组合物，其中，在后述的式(1)中，B
11
～B
18
中至少1个为
‑
N＝。
[0016]〔3〕
[0017]根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的组合物，其还含有后述的式(S1)所表示的醇以外的有机溶剂。
[0018]〔4〕
[0019]根据〔3〕所述的组合物，其中，上述有机溶剂仅由选自包括碳原子、氢原子及卤原子的组中的1种以上的原子构成。
[0020]〔5〕
[0021]根据〔3〕或〔4〕所述的组合物，其中，在上述组合物中，相对于后述的式(S1)所表示
的醇和上述有机溶剂的总含量的后述的式(S1)所表示的醇的含量为10体积％以上。
[0022]〔6〕
[0023]根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的组合物，其中，在上述组合物中，后述的式(S1)所表示的醇为后述的式(S2)所表示的醇。
[0024]〔7〕
[0025]根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的组合物，其中，在上述组合物中，后述的式(S1)所表示的醇为后述的式(S3)所表示的醇。
[0026]〔8〕
[0027]根据〔1〕至〔7〕中任一项所述的组合物，其为有机半导体层形成用组合物。
[0028]〔9〕
[0029]根据〔1〕至〔8〕中任一项所述的组合物，其为用于有机薄膜晶体管的有机半导体层形成用组合物。
[0030]专利技术效果
[0031]如下所示，根据本专利技术，能够提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。
附图说明
[0032]图1是表示作为有机薄膜晶体管的一例的底部栅极
‑
底部接触型有机薄膜晶体管的结构的示意剖视图。
[0033]图2是表示作为有机薄膜晶体管的另一例的底部栅极
‑
顶部接触型有机薄膜晶体管的结构的示意剖视图。
[0034]图3是表示形成有机薄膜晶体管的有机半导体膜的方法的一例的概略图。
[0035]图4是表示形成有机薄膜晶体管的有机半导体膜的方法的另一例的概略图。
[0036]图5是表示形成有机薄膜晶体管的有机半导体膜的方法的另一例的概略图。
[0037]图6是表示形成有机薄膜晶体管的有机半导体膜的方法中使用的基板及部件的一例的概略图。
具体实施方式
[0038]以下，对本专利技术进行详细说明。
[0039]在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示包括记载于“～”的前后的数值作为下限值及上限值的范围。
[0040]在本说明书中，若无特别说明，则室温是指20℃。
[0041]在本说明书中，若无特别说明，则体积为室温下的体积。
[0042]在本说明书中，关于化合物的表示，除化合物本身以外，还包括其盐、其离子。并且，在不损害目标效果的范围内，包括改变结构的一部分而成的形态。
[0043]并且，关于未明记取代或未取代的化合物，可以在不损害目标效果的范围内具有取代基。这对取代基、连接基团等(以下，称为取代基等)也相同。
[0044]在本说明书中，在使用“可以”等表述的情况下，可以满足“可以”等条件，也可以不满足该条件。例如，“可以具有取代基”还包括“可以不具有取代基”。
[0045]在本说明书中，当存在多个由特定的符号表示的取代基等时，或者当同时规定多个取代基等时，若无特别说明，则各取代基等彼此可以相同，也可以不同。这对取代基等的数量的规定也相同。并且，当多个取代基等彼此接近(尤其彼此相邻)时，若无特别说明，则它们可以彼此连接而形成环。
[0046]在本专利技术中，在基团的碳原子数受限的情况下，若无特别说明，则该基团的碳原子数表示包括取代基在内的总碳原子数。
[0047]在本说明书中，作为卤原子，例如可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
[0048]在本专利技术中，在基团可以形成非环状骨架及环状骨架的情况下，若无特别说明，则该基团包括非环状骨架的基团和环状骨架的基团。
[0049]例如，若无特别说明，则脂肪族烃基、烷基、烯基及烯基还包括具有直链状、支链状及环状中的任一结构的基团。
[0050]作为更具体的例子，烷基包括直链状烷基、支链状烷基及环状(环)烷基。
[0051]在基团可以形成环状骨架的情况下，形成环状骨架的基团的原子数的下限与对该基团具体记载的原子数的下限无关地为3个以上，优选为5个以上。上述环烷基包括双环烷基或三环烷基等。
[0052]本专利技术的组合物含有后述的式(1)所表示的化合物(以下，还称为特定化合物)和后述的式(S1)所表示的醇。
[0053]通过这种结构来解决本专利技术的课题的机理并不一定明确，但本专利技术人认为如下。
[0054]即，式(S1)所表示的醇为酸度高的氟化醇。这种式(S1)所表示的醇所具有的羟基中的氢原子能够与特定化合物中的杂原子(尤其，X
11
～X
14
可成为的氧原子和/或B
11
～B
18
可成为的
‑
N＝)形成氢键，组合物中的特定化合物通过式(S1)所表示的醇而溶剂化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，其含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇，[化学式1]式(1)中，A
11
及A
12
分别独立地表示
‑
O
‑
、
‑
N(R
N
)
‑
或
‑
P(R
N
)
‑
，B
11
～B
18
分别独立地表示
‑
N＝或
‑
C(R
M
)＝，R
N
及R
M
分别独立地表示氢原子或取代基，X
11
～X
14
分别独立地表示氧原子或硫原子，[化学式2]式(S1)中，R
S1
～R
S6
分别独立地表示氢原子、氟原子或取代基，R
S7
表示氢原子或取代基，其中，R
S1
～R
S6
中至少4个为氟原子。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，B
11
～B
18

【专利技术属性】
技术研发人员：中村刚希，杉浦宽记，谷征夫，松下哲也，渡边哲也，竹谷纯一，冈本敏宏，
申请(专利权)人：国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：