热管理平面制造技术

一些实施例包括热管理平面。所述热管理平面可以包括：顶部壳体，其包括聚合物材料；顶部封装层，布置在顶部壳体上；底部壳体，其包括聚合物材料；底部封装层，布置在底部壳体上；将底部壳体与顶部壳体耦接的气密密封件；布置在底部壳体和顶部壳体之间的芯吸层；多个间隔物，其布置在顶部壳体和底部壳体之间、在真空芯内，其中，多个间隔物中的每个均具有低热导性。在一些实施例中，热管理平面的厚度小于约200微米。微米。微米。

【技术实现步骤摘要】
热管理平面
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是申请日为2018年5月8日，申请号为201880030856.X，专利技术名 称为“热管理平面”的中国专利技术专利申请的分案申请。

技术介绍

[0003]热管理可以包括任何数量的处理和/或设备。在电子学中，热管理通常包括 将热量从一个区域转移到另一区域。典型的热管理包括风扇和各种其他大型机 械设备。诸如手机、手表、平板电脑、可穿戴设备、电力电子设备、功率放大 器、电池、电动汽车等设备的小型化需要更加细微的热管理技术。需要薄而有 效的热管理装置。

技术实现思路

[0004]一些实施例包括一种热管理平面，其包括：顶部壳体，其被气密密封且能 够与铜结合；底部壳体，其被气密密封且能够与铜结合；以及顶部壳体和底部 壳体之间的铜密封件，铜密封件通过在200℃至300℃之间的温度下烧结布置在 顶部壳体和底部壳体之间的多个铜纳米颗粒而形成。
[0005]在一些实施例中，顶部壳体包括封装有铜层的非铜层。在一些实施例中， 顶部壳体包括封装有铜层的聚合物。
[0006]在一些实施例中，热管理平面可以包括布置在顶部壳体和底部壳体之间的 网层。
[0007]在一些实施例中，顶部壳体和底部壳体其中之一或二者包括多个柱。
[0008]在一些实施例中，热管理平面可以包括放置在顶部壳体和底部壳体之间的 多个支撑结构。
[0009]在一些实施例中，铜密封件至少绕顶部壳体和底部壳体的外缘布置。
[0010]在一些实施例中，热管理平面可以包括布置在热管理平面内的隔离的真空 腔。
[0011]在一些实施例中，热管理平面可以包括布置在顶部壳体和底部壳体之间的 工作流体。
[0012]在一些实施例中，热管理平面可以包括形成在顶部壳体和底部壳体之间的 真空室。
[0013]在一些实施例中，热管理平面具有小于约200微米的厚度。
[0014]在一些实施例中，热管理平面可以包括布置在顶部壳体和底部壳体之间的 多个间隔物，并且多个间隔物包括布置的低热导率材料。
[0015]一些实施例可以包括一种制造多个热管理平面的方法。该方法可以包括： 在第一压力构件上在压力内布置第一顶层，第一顶层包括壳体和多个柱；相对 于第二顶层在压力内布置第一底层；在第一顶层和第一底层之间布置第一多个 纳米颗粒；在第一底层上在压力内布置第二压力构件；在第二压力构件上在压 力内布置第二顶层，第二顶层包括壳体和多个柱；相对于第二顶层在压力内布 置第二底层；在第二顶层和第二底层之间布置第二多个纳米颗粒；在第二底层 上在压力内布置第三压力构件；以及将至少第一多个纳米颗粒和
第二多个纳米 颗粒加热至200℃至300℃之间的温度；以及在第三压力构件和第一压力构件之 间施加压力。
[0016]在一些实施例中，热管理平面可以包括第一压力构件，第一压力构件被成 形和配置为：当在第三压力构件和第一压力构件之间施加压力时，在第一顶层 的外缘上施加压力。在一些实施例中，第二压力构件被成形和配置为：当在第 三压力构件和第一压力构件之间施加压力时，在第一底层和第二顶层的外缘上 施加压力。在一些实施例中，第三压构件被成形和配置为：当在第三压力构件 和第一压力构件之间施加压力时，在第二底层的外缘上施加压力。
[0017]该方法还可以包括：在第一顶层与第一底层之间布置第一网；以及在第二 顶层和第二底层之间布置第二网。
[0018]在一些实施例中，第一多个纳米颗粒和/或第二多个纳米颗粒包括铜。
[0019]在一些实施例中，第一底层包括壳体和多个柱；以及第二底层包括壳体和 多个柱。
[0020]在一些实施例中，第一多个纳米颗粒布置在第一顶层和第一底层其中之一 或两者的外缘上，并且其中，第二多个纳米颗粒布置在第二顶层和第二底层其 中之一或两者的外缘上。
[0021]一些实施例包括一种热管理平面。该热管理平面可以包括：顶部壳体，包 括气密密封的聚合物材料；顶部封装层，布置在顶部壳体上；底部壳体，包括 气密密封的聚合物材料；底部封装层，布置在底部壳体上；气密密封件，将底 部壳体与顶部壳体耦接；芯吸层，布置在底部壳体和顶部壳体之间；多个间隔 物，布置在顶部壳体和底部壳体之间、在真空芯内，其中多个间隔物中的每个 具有低热导性。在一些实施例中，热管理平面具有小于约200微米的厚度。
[0022]在一些实施例中，顶部封装和/或底部封装具有小于约50微米的厚度。
[0023]在一些实施例中，气密密封件是在小于约300℃的温度下形成的。
[0024]在一些实施例中，气密密封件包括沿顶部壳体和底部壳体其中之一或两者 的外缘的、烧结的纳米颗粒。
[0025]在一些实施例中，纳米颗粒包括铜纳米颗粒或银纳米颗粒。
[0026]在一些实施例中，顶部封装和/或底部封装包括铜。
[0027]在一些实施例中，多个间隔物包括布置在顶部壳体和底部壳体其中之一或 两者上的低热导率材料。
[0028]在一些实施例中，芯吸层包括多个柱，其中，柱包括盖。
[0029]在一些实施例中，芯吸层是通过穿过模板电镀而形成的，模板配置有布置 在宏观尺度牺牲层上的微观尺度牺牲间隔物。
[0030]在一些实施例中，芯吸层是使用各向同性蚀刻和各向异性蚀刻的两步蚀刻 工艺形成的。
[0031]在一些实施例中，芯吸层包括盖的预图案化的阵列和/或柱的预图案化的阵 列。
[0032]在一些实施例中，热管理平面可以包括多个干道。
[0033]在一些实施例中，热管理平面可以包括用于收集不可冷凝气体的气体贮存 器。
[0034]一些实施例可以包括一种热管理平面。该热管理平面可以包括：顶部壳体， 其包
括聚合物材料；顶部封装层，布置在顶部壳体上；底部壳体，其包括聚合 物材料；气密密封件，其将底部壳体与顶部壳体耦接；芯吸层，布置在底部壳 体和顶部壳体之间；以及多个间隔物，布置在顶部壳体和底部壳体之间、在真 空芯内，其中，多个间隔物中的每个具有低的热导性。在一些实施例中，热管 理平面具有小于约200微米的厚度。
[0035]在一些实施例中，顶部封装层中的缺陷可填充有一个或更多个金属纳米颗 粒。
[0036]在一些实施例中，多个纳米颗粒的每一个包括多个疏水尾部。
[0037]在一些实施例中，顶部封装层中的缺陷可填充有电镀金属。
[0038]一些实施例提供一种热管理平面。该热管理平面可以包括：顶部壳体，包 括聚合物材料；顶部封装层，布置在顶部壳体上；底部壳体，其包括聚合物材 料；底部封装层，布置在底部壳体上；气密密封件，其将底部壳体与顶部壳体 耦接；真空芯，形成在顶部壳体和底部壳体之间；以及多个间隔物，布置在顶 部壳体和底部壳体之间、在真空芯内，其中，多个间隔物中的每个具有低热导 性。在一些实施例中，热管理平面具有小于约200微米的厚度。
[0039]在一些实施例中，顶部壳体和底部壳体其中之一或二者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热管理平面，包括：顶部壳体，其被气密密封且能够与铜结合；底部壳体，其被气密密封且能够与铜结合，所述顶部壳体和所述底部壳体一起被气密密封在所述顶部壳体的外围和所述底部壳体的外围周围；以及芯吸层，布置在所述顶部壳体和所述底部壳体之间，其中，所述芯吸包括部署在所述芯吸内的隔离的真空腔；非芯吸层，布置在平面芯吸和所述顶部壳体之间；以及工作流体，布置在所述顶部壳体和所述底部壳体之间。2.根据权利要求1所述的热管理平面，还包括布置在所述隔离的真空腔的边缘上的结合部。3.根据权利要求1所述的热管理平面，其中，所述顶部壳体和所述底部壳体一起被密封在所述隔离的真空腔周围。4.根据权利要求1所述的热管理平面，其中，所述隔离的真空腔由芯吸材料的缺失限定。5.根据权利要求1所述的热管理平面，其中，所述顶部壳体包括以铜层封装的非铜层。6.根据权利要求1所述的热管理平面，其中，所述顶部壳体包括以铜层封装的聚合物。7.根据权利要求1所述的热管理平面，还包括布置在所述非芯吸层内的多个支撑结构。8.一种热管理平面，包括：顶部壳体；底部壳体，所述顶部壳体和所述底部壳体一起被气密密封在所述顶部壳体的外围和所述底部壳体的外围周围；以及芯吸层，布置在所述顶部壳体和所述底部壳体之间，非芯吸层，布置在平面芯吸和所述顶部壳体之间；不可冷凝贮存器，部署在所述顶部壳体和所述底部壳体内；以及工作流体，布置在所述顶部壳体和所述底...

【专利技术属性】
技术研发人员：瑞恩，
申请(专利权)人：开文热工科技公司，
类型：发明
国别省市：