光掩模的修正方法技术

本发明专利技术的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明专利技术的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。白缺陷的区域形成修正膜的步骤。白缺陷的区域形成修正膜的步骤。

【技术实现步骤摘要】
光掩模的修正方法


[0001]本专利技术涉及一种对具备相移图案的光掩模的缺陷进行修正的光掩模的修正方法。

技术介绍

[0002]一直以来，在平板显示器装置等的制造过程的光刻工序中，有时使用在透过性基板上形成有由半透过性的相移膜构成的图案的相移掩模。在光掩模的制造工序中，设有对偶然产生的缺陷等进行修正的工序。
[0003]【现有技术文献】
[0004]【专利文献】
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
32520号公报
[0006]专利文献2：日本特开2018
‑
124466号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]在专利文献1中公开了如下的修正方法：为了对相移膜中产生的缺陷进行修正，期望使用具有与相移膜相同的光学特性的修正膜，但是难以提供兼顾透射率和相移特性的修正膜，因此对光掩模的相移图案侧加以制约，而仅能应用于满足特定条件的图案。
[0009]专利文献2虽然公开了能够通过遮光膜来修正相移膜的白缺陷的技术，但是对于能够应用的图案存在限制。
[0010]这样，由于光掩模的相移膜和修正膜的光学特性存在差异，因此不容易对白缺陷进行修正。另一方面，相移光掩模已被使用于各种制品的制造，并且，对于具有精细图案的相移光掩模而言，对缺陷修正技术的要求越来越严格。
[0011]本专利技术的课题在于提供良好地修正光掩模的相移膜的白缺陷的方法。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]本专利技术涉及的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0014]步骤S1，取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性；
[0015]步骤S2，为了使从由前述修正膜构成的图案转印的光致抗蚀剂的形状与从前述相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由前述修正膜构成的图案的修正量的前述修正膜的膜厚依赖性；
[0016]步骤S3，执行前述光掩模的缺陷检查，当在前述相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的前述各白缺陷的位置；
[0017]步骤S4，对应前述各白缺陷确定前述修正膜的膜厚及由前述修正膜构成的图案的前述修正量；以及
[0018]步骤S5，在包含各白缺陷的区域形成修正膜。
[0019]另外，本专利技术涉及的光掩模的修正方法，其特征在于，前述修正膜的光学特性与前
述相移膜的光学特性大致相同。
[0020]通过这样的光掩模的修正方法，可以提供对各种相移膜的图案均能进行修正的光掩模的修正方法。在此，“光学特性大致相同”是指：光学特性(特别是透射率及相移量)与周围的相移图案近似到能够用修正了白缺陷的状态的光掩模准确地进行曝光的程度。
[0021]另外，本专利技术涉及的光掩模的修正方法，其特征在于，在前述步骤S5中，使用金属离子通过聚焦离子束(FIB)装置来形成修正膜。
[0022]通过这样的光掩模的修正方法，能够进行适合于产生了缺陷的部位的修正。
[0023]另外，本专利技术涉及光掩模的修正方法，其特征在于，前述修正膜由类钻碳(Diamond
‑
Like Carbon)构成。
[0024]另外，本专利技术涉及的光掩模的修正方法，其特征在于，前述相移膜由氧化铬构成。
[0025]通过这样的光掩模的修正方法，在例如平板显示器装置的制造等中，可以使用具有适合于通常所使用的相移膜的光学特性的修正膜。
[0026]专利技术效果
[0027]根据本专利技术，可以提供良好地修正光掩模的相移膜的白缺陷的方法。
附图说明
[0028]图1(a)是光掩模100的俯视图，图1(b)是A
‑
A
’
截面图，图1(c)是B
‑
B
’
截面图。
[0029]图2(a)是修正了白缺陷3的光掩模100的俯视图，图2(b)是A
‑
A
’
截面图，图2(c)是B
‑
B
’
截面图。
[0030]图3是表示修正膜6的、对曝光光的透射率及相移量的膜厚依赖性的图。
[0031]图4是表示使用修正膜6而转印的光致抗蚀剂膜的尺寸位移量与修正膜6的图案的线宽的关系的图。
[0032]图5是表示光掩模100的蚀刻处理工序的俯视图。
[0033]图6是表示光掩模100的修正步骤的流程图。
具体实施方式
[0034]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。但是，以下的实施方式均不是在本专利技术的主旨的认定中给予限定性的解释。另外，对相同或同种的构件标记同样的参考符号，有时省略说明。
[0035]图1示意性表示在光掩模100上的线宽和线距(L/S)图案中产生了白缺陷(脱落缺陷)的状况。图1(a)是光掩模100的俯视图，图1(b)是A
‑
A
’
截面，图1(c)是B
‑
B
’
截面。
[0036]如图1所示，光掩模100在合成石英玻璃等透过性基板1上直接形成由相移膜2构成的图案。
[0037]在此，透过性基板1对在使用光掩模100的光刻工序中所使用的曝光光所包含的代表波长具有90～100％(90％≤透射率≤100％)的透射率。
[0038]予以说明，作为曝光光，例如可使用i射线、h射线、g射线或它们的混合，但也可进一步使用波长比i射线短的曝光光。
[0039]相移膜2使用将曝光光的相位反转的半透过膜。通常(在例如平板显示器装置的制造等中)使用的相移膜2的透射率为大致5％(3％≤透射率≤9％)、对曝光光的相移量为大
致180度(140度≤相移≤240度)。
[0040]相移膜2的材料例如可使用Cr等的金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物，典型而言，可使用氧化铬。
[0041]如图1(a)所示，在相移膜2的一部分中产生了白缺陷3。例如，如图1(c)所示，在白缺陷3中，相移膜2的一部分脱落、消失。予以说明，残留有膜厚比正常的相移膜2的膜厚薄的相移膜的情况、局部残留有相移膜2的情况也被分类为白缺陷。
[0042]图2(a)是修正了白缺陷3的光掩模100的俯视图。图2(b)是A
‑
A
’
截面，图2(c)是B
‑
B
’
截面。在此，图2(c)表示光掩模100的相移膜2的图案(以下有时称作相移图案。)中的白缺陷3的修正工序。
[0043]如图2(a)～图2(c)所示，使用FIB装置，在材料气体5的气氛中对光掩模100的产生了白缺陷3的区域照射Ga离子等金属离子4，在局部形成修正膜6。通过扫描离子束，从而可以在所期望形状的区域形成修正膜6。
[0044]例如可以向光掩模100上供给作为材料气体5的乙炔、菲、苯等烃气体，再使用由金属离子供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性；步骤S2，为了使得从由所述修正膜构成的图案转印的光致抗蚀剂的形状与从所述相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由所述修正膜构成的图案的修正量的所述修正膜的膜厚依赖性；步骤S3，执行所述光掩模的缺陷检查，当在所述相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的所述各白缺陷的位置；步骤S4，对应所述各白缺陷确定所述修正膜的膜厚及由所述修正膜构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤隆史，上南亮太，
申请(专利权)人：株式会社SK电子，
类型：发明
国别省市：