管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置制造方法及图纸

本文的实施例公开了一种管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置。所述方法包括：由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰。所述方法还包括：由所述NAND控制器针对每个开放块，将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器(DRAM)中，用于对所述字线进行编程，以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中，用于对所述超级页面进行编程。所述方法可以用于管理用于NAND页面加扰的种子值，这可以降低保持影响。结果，可以减少用于NAND单元的保持回收，这可以提高耐久性。这可以提高耐久性。这可以提高耐久性。

【技术实现步骤摘要】
管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月26日在印度知识产权局提交的印度专利申请No.202041022041的优先权，其公开内容通过整体引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种存储器系统，并且更具体地涉及管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值(下文中也称为种子)以改善数据保持的方法和装置。

技术介绍

[0004]数据保持(data retention)是NAND存储器中的一种重要现象，它会使NAND单元中的阈值电压产生变化。在现有方法中，闪存转换层(FTL)执行定期巡读(patrol read)以识别由于保持(retention)而濒于具有不可恢复的错误的NAND单元并对其进行回收。FTL在编程之前累积完整字线的数据。通常，由于不同字线的相邻单元之间的较强电场，导致三维(3D)NAND具有横向电荷迁移的独特的电荷损失机制。当不同字线的相邻单元正在存储极限NAND单元阈值时，会产生较强的电场。如果电场很高，则数据保持率可能会增加。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值的方法，所述方法包括：由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰；以及由所述NAND控制器针对每个开放块，将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器DRAM中，用于对所述字线进行编程，以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中，用于对所述超级页面进行编程。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的对所述字线进行编程包括：由所述NAND控制器，基于高速缓存在所述DRAM中的所述字线的所述上一次写入数据选择种子；以及由所述NAND控制器，使用所选择的种子对所述字线进行编程。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的由所述NAND控制器选择种子包括：由所述NAND控制器，接收输入数据；由所述NAND控制器，随机初始化来自NAND页面的种子；由所述NAND控制器，利用新字线执行所述输入数据的第二加扰；由所述NAND控制器，基于上一次写入字线确定每个所述开放块的阈值单元差电压；由所述NAND控制器，确定与经过所述第一加扰的所述字线的所述上一次写入数据相关联的相邻NAND单元和与经过所述第二加扰的所述输入数据相关联的所述相邻NAND单元之间的单元差电压；由所述NAND控制器，判定所述单元差电压是否满足所述阈值单元差电压；由所述NAND控制器，响应于判定所述单元差电压不满足所述阈值单元差电压，随机生成另一种子；以及由所述NAND控制器，响应于判定所述单元差电压满足所述阈值单元差电压，选择所述随机初始化的种子，并且利用所选择的所述随机初始化的种子更新所述字线的备用区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述的随机生成所述另一种子包括：由所述NAND控制器，判定是否满足选择所述种子的迭代次数；由所述NAND控制器，响应于判定不满足选择所述种子的所述迭代次数，随机生成所述另一种子，利用所述另一种子更新所述随机初始化的种子；以及由所述NAND控制器，响应于判定满足选择所述种子的所述迭代次数，选择所述种子以更新所述字线的所述备用区域，并启动所述字线的编程。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述迭代次数取决于所述NAND控制器的性能。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的通过所述NAND控制器选择所述种子包括：由所述NAND控制器，随机初始化来自NAND页面的种子；由所述NAND控制器，利用所述新字线执行所述输入数据的所述第二加扰；由所述NAND控制器，确定与经过所述第一加扰的所述字线的所述上一次写入数据相关联的每个相邻NAND单元和与经过所述第二加扰的所述输入数据相关联的每个相邻NAND单元之间的单元差电压；由所述NAND控制器，选择与最小单元差电压相对应的种子用于所述字线的编程；以及由所述NAND控制器，利用所选择的种子更新所述字线的所述备用区域。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的对所述超级页面进行编程包括：
由所述NAND控制器，将所述字线的所述上一次写入数据的所述超级页面高速缓存在所述DRAM中；由所述NAND控制器，在主机写入缓冲器中创建多个超级页面；以及由所述NAND控制器，对所述主机写入缓冲器中的所述多个超级页面进行重新排序，以确定完整的超级页面相对于所述DRAM中的所述字线的所述上一次写入数据的所述超级页面的期望的单元差电压。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：由所述NAND控制器，在主机写入操作期间接收输入主机数据，所述主机写入操作用于在多个主机写入缓冲器中的所述主机写入缓冲器中形成所述完整的超级页面；由所述NAND控制器，将所述输入主机数据与上一次写入超级页面中的多个裸片的所述字线的上一次写入数据进行比较；由所述NAND控制器，从所述多个裸片选择至少一个裸片，以在超级块的带区内定位来自所述主机写入缓冲器的所述多个超级页面中的满足最小单元差电压的超级页面；以及由所述NA...

【专利技术属性】
技术研发人员：索加塔，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：