存储器装置制造方法及图纸

本公开的实施例涉及存储器装置。一种存储器装置包含至少一个第一寄存器、一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为对这些位单元执行一分析程序，以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效，控制电路控制一数据写入至少一个第一寄存器，及控制数据从至少一个第一寄存器读出，以完成一修复程序。复程序。复程序。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置


[0001]本公开中所述实施例内容是有关于一种存储器技术，特别关于一种具有修复机制的存储器装置。

技术介绍

[0002]随着存储器技术的发展，存储器装置已应用至许多领域，以存储各式数据。基于不同的应用(例如：不同功耗)，存储器装置需运作于不同的环境条件。当存储器装置中的位单元(bit cell)失效，将会影响到存储器装置的正常运作。

技术实现思路

[0003]本公开的一些实施方式是关于一种存储器装置。存储器装置包含至少一个第一寄存器、一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为对这些位单元执行一分析程序，以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效，控制电路控制一数据写入至少一个第一寄存器，以及控制数据从至少一个第一寄存器读出，以完成一修复程序。
[0004]本公开的一些实施方式是关于一种存储器装置。存储器装置包含一存储器电路、一分析电路以及一控制电路。存储器电路包含多个位单元。分析电路被配置为分析这些位单元以产生一分析结果。若分析结果指示这些位单元中的一第一位单元失效，控制电路调整存储器装置的一操作电压以产生一调整操作电压，且存储器装置依据调整操作电压运作。
[0005]综上所述，本公开的存储器装置具有较佳的修复机制，可提升整体良率。
附图说明
[0006]为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，附图的说明如下：
[0007]图1是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图；
[0008]图2是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图；
[0009]图3是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图；
[0010]以及
[0011]图4是依照本公开一些实施例所绘示的一存储器装置的示意图。
具体实施方式
[0012]本文所使用的所有词汇具有其通常的意涵。上述词汇在普遍常用的字典中的定义，在本公开的内容中包含任一于此讨论的词汇的使用例子仅为示例，不应限制到本公开的范围与意涵。同样地，本公开亦不仅以于此说明书所示出的各种实施例为限。
[0013]本文所使用的用词“耦合”亦可指“电性耦合”，且用词“连接”亦可指“电性连接”。
“
耦合”及“连接”亦可指二个或多个组件相互配合或相互互动。
[0014]参考图1。图1是依照本公开一些实施例所绘示的存储器装置100的示意图。以图1标例而言，存储器装置100包含存储器电路120、分析电路130、控制电路140、选择电路150以及寄存器REG2。存储器装置100还包含寄存器REG[1]-REG[N]，其中N为等于或大于1的正整数。
[0015]存储器电路120耦合到分析电路130、控制电路140以及选择电路150。分析电路130耦合到控制电路140。控制电路140耦合到选择电路150、寄存器REG[1]-REG[N]以及寄存器REG2。寄存器REG[1]-REG[N]耦合到选择电路150。
[0016]存储器电路120包含多个位单元(bit cell)BC。位单元亦可称为存储器单元。在这个例子中，存储器电路120包含8192
×
64个位单元BC。也就是说，这些位单元BC排列成8192行(row)以及64列(column)的数组型式。上述关于存储器电路120中位单元BC的数量仅用于示例，各种适用的数量皆在本公开所涵盖的范围内。
[0017]分析电路130用以对存储器电路120中的这些位单元BC执行分析程序，以判断这些位单元BC中的哪些位单元BC是失效(fail)的，进而产生分析结果AR。若其中一位单元BC为失效，代表此位单元BC无法正常读写数据。分析结果AR将会携带此位单元BC的地址(失效地址)。
[0018]控制电路140用以接收分析结果AR。如上所述，控制电路140会接收到携带有失效位单元BC的地址的分析结果AR。在一些实施例中，控制电路140会将分析结果AR存储于寄存器REG2中。也就是说，寄存器REG2可存储失效位单元BC的地址。
[0019]当一外部处理器(未图示)欲对存储器装置100执行写入程序时，外部处理器会发送控制信号CS至控制电路140以控制控制电路140上电/启动。外部处理器亦会发送写入地址AD至存储器电路120以及控制电路140，且发送待写入的数据DATA至存储器电路120。控制电路140可依据分析结果AR判断写入地址AD是否为一失效地址。举例而言，控制电路140可将写入地址AD与携带于分析结果AR中的失效地址进行比对，以判断写入地址AD是否为失效地址。若写入地址AD为失效地址，控制电路140发送使能信号EN以启动一对应的寄存器(例如：寄存器REG[1])，以将待写入的数据DATA写入寄存器REG[1]。借此，可避免将待写入的数据DATA存入存储器电路120中的失效地址，以使存储器装置100可正常运作。
[0020]当外部处理器欲对存储器装置100执行读取程序时，外部处理器会发送读取地址AD至存储器电路120以及控制电路140。若控制电路140判断读取地址AD为失效地址，控制电路140会基于读取地址AD发送选择信号SEL至选择电路150的选择端口。选择电路150依据选择信号SEL选择一对应的寄存器(例如：寄存器REG[1])，且将寄存器REG[1]中的数据读出，以作为输出数据OUT。
[0021]基于上述，当一位单元BC失效时，数据DATA是写入其中一寄存器(例如：寄存器REG[1])及从其中一寄存器(例如：寄存器REG[1])中读出。也就是说，本公开利用寄存器REG[1]-REG[N]以改变写入程序及读取程序的路径(使数据DATA未经过存储器电路120)，进而完成修复程序。于此所称的“修复程序”是指当存储器电路120的一位单元发生失效时，通过特定机制使存储器装置100仍能正常运作。
[0022]在一些实施例中，控制电路140是以处理器或微控制器实现，但本公开不以此为限。在一些实施例中，选择电路150是以多任务器来实现，但本公开不以此为限。
[0023]在一些相关技术中，存储器装置中会额外设置一列(column)备用存储器电路。当存储器电路中的一位单元发生失效时，会利用此列备用存储器电路执行修复程序。也就是说，会将数据写入此列的存储空间或将数据从此列的存储空间读出，以完成修复程序。然而，由于备用存储器电路在电路布局上无法任意布设于其他零碎空间，因此将会限制整个电路的电路布局。
[0024]相较于上述相关技术，本公开的存储器装置100可利用寄存器REG[1]-REG[N]完成修复程序。由于寄存器在电路布局上可布设于一些零碎空间，因此本公开可提高电路布局的弹性且无需更动其他组件的电路布局。
[0025]在一些实施例中，若写入地址AD并未失效，控制电路140发送使能信号EN启用存储器电路120，以将数据DATA写入存储器电路120中对应于写入地址AD的位单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包含：至少一个第一寄存器；存储器电路，包含多个位单元；分析电路，被配置为对所述位单元执行分析程序，以产生分析结果；以及控制电路，其中若所述分析结果指示所述位单元中的第一位单元失效，所述控制电路控制数据写入所述至少一个第一寄存器，及控制所述数据从所述至少一个第一寄存器读出，以完成修复程序。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个第一寄存器的容量等于所述存储器电路的一列容量或一行容量。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个第一寄存器的数量为N，且N为大于1的正整数。4.根据权利要求3所述的存储器装置，还包含：选择电路，耦合到N个所述第一寄存器，其中所述控制电路用以依据所述分析结果输出选择信号，且所述选择电路用以依据所述选择信号，将所述数据从N个所述第一寄存器中的一者读出。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制电路用以依据写入地址以及读取地址中的一者以及所述第一位单元的失效地址启用所述至少一个第一寄存器，以将所述数据写入所述至少一个第一寄存器、或将...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛新城，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：