用于冷却磁路元件的方法和装置制造方法及图纸

揭示了为磁路元件提供冷却的一种装置和方法，其中所述磁路元件具有放置在位于中央的至少一个芯支架构件壁的芯支架构件周围的磁芯，还可包括：芯支架冷却剂入口；芯支架冷却剂出口；包含在所述芯支架构件壁内并相互连接的多个互连的冷却剂流动通道，并被设置成使得冷却剂沿着从所述芯支架冷却剂入口到所述芯支架冷却剂出口的至少部分芯支架构件壁内的冷却剂流动通路，在所述芯支架构件壁内从一个冷却剂流动通道传递至下一个。所述装置还包括在各自芯支架冷却剂流动通道的每一端处每个芯支架冷却剂流动通道与液体连通压力流通装置液体连通，其中各自的液体连通压力流通装置沿着从芯支架冷却剂入口到芯支架冷却剂出口的冷却剂流动通路形成了用于各芯支架冷却剂流动通道的至少第一一个的出口压力流通装置以及用于各芯支架冷却剂流动通道的至少第二一个的入口压力流通装置。所述芯支架构件可以包括从所述芯支架构件延伸的凸缘，具有内部尺寸和外部尺寸的所述凸缘包括在所述芯支架冷却剂入口和所述芯支架冷却剂出口之间交替朝向内部尺寸并远离外部尺寸随后朝向外部尺寸并远离内部尺寸延伸的多个互连的凸缘冷却剂流动通道。包括有所述芯和芯支架的外壳包括外壳壁；外壳冷却剂入口；外壳冷却剂出口；以及多个互连的外壳冷却剂流动通道包含在外壳壁内，并被互连和设置成使得冷却剂沿着从外壳冷却剂入口到外壳冷却剂出口的至少一部分外壳壁内的冷却剂流动通路，在所述外壳壁内从一个冷却剂流动通道传递至下一个。所述外壳和芯支架形成至少一部分的电流流动通路，它们形成围绕磁芯的两匝。在本发明专利技术的另一个方面，可由导电材料薄膜涂敷总线工件（ｂｕｓｗｏｒｋ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及诸如感应电抗器和变压器的高速和高功率磁路元件，以及用于充分冷 却这些装置的方法和装置。
技术介绍
现在转向图l，示出的是本领域内已知的脉冲功率电路。脉冲功率电路可包括，例 如高电压谐振供电源30、换向器模块40、压縮头模块60和激光腔模块80。高电压供电源 20可包括，例如将来自电源23和10的208伏三相普通动力装置转换成300伏DC的300伏 特整流器22。反相器24例如可将整流器22的输入转换成100kHz到200KHz范围内的300 伏高频脉冲。反相器24上的频率和工作周期可由HV供电源控制板(未示出)控制，以便 基于包括了带有电阻VD^和VDR2的分压器的电压监视器44的输出，提供所述系统的最终 输出脉冲能量的过程调整。 反相器24的输出可在阶跃变压器26中阶跃至约1200伏特。例如可包括标准桥 式整流器电路28和滤波器电容32的整流器28可将变压器26的输出转换成1200伏特DC。 电路20的DC输出可用于对换向器模块40内的8. 1 ii F充电电容C。42的充电，正如通过例 如可以控制反相器24的操作的HV供电源控制板(未示出)的控制。HV供电源控制板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有一磁芯的磁路元件，该磁芯放置在具有至少一个芯支架构件壁的位于中央的芯支架构件周围，所述磁路元件包括：芯支架冷却剂入口；芯支架冷却剂出口；包含在所述芯支架构件壁内并相互连接的多个互连的冷却剂流动通道，并被设置成使得冷却剂沿着从所述芯支架冷却剂入口到所述芯支架冷却剂出口的至少部分芯支架构件壁内的冷却剂流动通路，在所述芯支架构件壁内从一个冷却剂流动通道传递至下一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RM奈斯，WN帕特洛，PC梅尔切，GX菲尔古森，RB萨特瑞，
申请(专利权)人：西默股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]