共模扼流圈及其制造方法技术

本发明专利技术涉及共模扼流圈及其制造方法，其目的在于：提供能够实现小型化、薄型化及低成本化的共模扼流圈及其制造方法。共模扼流圈（１）包括用薄膜形成技术在由单结晶硅形成的硅基板（５１）上形成绝缘层（６０）、第１螺旋线圈部（１１）、第２螺旋线圈部（１２）及闭合磁路（１４１），整体上具有长方体状的外形。第１和第２螺旋线圈部（１１、１２），以其螺旋轴与硅基板（５１）的基板面大体平行的方式形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
个人电脑和便携电话机等电子设备的内部电路中安装的线圈元件中，众所周知的有在铁氧体磁芯上卷绕铜线的卷线型、在铁氧体等的磁性体板表面上形成线圈导体图案并将该磁性体板层叠的叠层型或采用薄膜形成技术将绝缘膜和金属薄膜的线圈导体交替形成的薄膜型。近年来，随着电子设备的小型化和高性能化高速发展，对线圈元件的小型化和高性能化有了更强烈的期望。薄膜型的线圈元件中，通过将线圈导体薄膜化，已经向市场提供1mm以下芯片尺寸的线圈元件。线圈元件中有抑制成为平衡传送方式中的电磁干扰的原因的共模电流的共模扼流圈；以及用以去除高频噪声信号的、与电容组合而构成低通滤波器(Low Pass Filter；LPF)的电感线圈等。专利文献1公开了，具有在对向配置的一对磁性基板间用薄膜形成技术形成的绝缘层及螺旋状的线圈导体的薄膜型共模扼流圈。专利文献2及3公开了薄膜型的电感线圈及其制造方法。专利文献4公开了有芯的薄膜型微线圈及其制造方法。专利文献1专利第3601619号公报专利文献2美国专利第6008102号公报专利文献3美国专利第5372967号公报专利文献4美国专利第6876285号公报本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共模扼流圈，其特征在于，　　　　包括第１螺旋线圈部和第２螺旋线圈部，　　　　所述第１螺旋线圈部具备在下部绝缘层上并排布置的多个细长状的第１导电层，在所述第１导电层的两端部形成的第２导电层，以及在所述第２导电层上形成的、其一个端部与所述第２导电层电气连接、另一端部与跟所述第２导电层正下面的所述第１导电层邻接的所述第１导电层上形成的所述第２导电层电气连接的第３导电层，由所述第１、第２、第３及第２导电层构成１匝线圈，　　　　所述第２螺旋线圈部的结构与所述第１螺旋线圈部相同。

【技术特征摘要】
JP 2005-10-5 2005-2918811.一种其模扼流圈，其特征在于，包括第1螺旋线圈部和第2螺旋线圈部，所述第1螺旋线圈部具备在下部绝缘层上并排布置的多个细长状的第1导电层，在所述第1导电层的两端部形成的第2导电层，以及在所述第2导电层上形成的、其一个端部与所述第2导电层电气连接、另一端部与跟所述第2导电层正下面的所述第1导电层邻接的所述第1导电层上形成的所述第2导电层电气连接的第3导电层，由所述第1、第2、第3及第2导电层构成1匝线圈，所述第2螺旋线圈部的结构与所述第1螺旋线圈部相同。2.权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于，设有贯穿所述第1和第2螺旋线圈部的内周侧的芯部；以及与所述芯部连接并与所述芯部一起形成闭合磁路的磁性构件部。3.权利要求2所述的共模扼流圈，其特征在于，所述闭合磁路与所述第1导电层的形成面大体平行地形成。4.权利要求2所述的共模扼流圈，其特征在于，所述闭合磁路与所述第1导电层的形成面大体垂直地形成。5.权利要求2至4中任一项所述的共模扼流圈，其特征在于，所述芯部用具有高透磁率的材料形成。6.权利要求1至5中任一项所述的共模扼流圈，其特征在于，包含构成所述第1螺旋线圈部的所述1匝线圈的所述第1、第2、第3及第2导电层中3个导电层的第1假想平面和包含构成所述第2螺旋线圈部的1匝线圈的第1、第2、第3及第2导电层中3个导电层的第2假想平面，与所述第1和第2螺旋线圈部的螺旋轴大体正交。7.权利要求6所述的共模扼流圈，其特征在于，所述第1和第2假想平面与所述芯部的延伸方向大体垂直。8.权利要求6或7所述的共模扼流圈，其特征在于，构成所述第1螺旋线圈部的所述1匝线圈的所述第1、第2、第3及第2导电层中所述第1假想平面中不包含的导电层，形成为不与所述第2假想平面交叉，构成所述第2螺旋线圈部的1匝线圈的所述第1、第2、第3及第2导电层中所述第2假想平面中不包含的导电层，形成为不与所述第1假想平面交叉。9.一种共模扼流圈的制造方法，其特征在于，在基板上形成第1电极膜，所述第1电极膜上形成第1抗蚀剂层，在所述第1抗蚀剂层中形成使所述第1电极膜露出的并排的多个细长状第1开口，用镀覆法经由所述第1开口分别形成与所述第1电极膜电气连接的第1导电层，将所述第1抗蚀剂层去除后在整个面上形成第2抗蚀剂层，在所述第2抗蚀剂层中形成使所述第1导电层的两端部露出的多个第2开口，用镀覆法经由所述第2开口分别形成与所述第1导电层电气连接的第2导电层，将所述第2抗蚀剂层及所述第2抗蚀剂层下层的所述第1电极膜去除，形成使所述第2导电层上部露出的第1绝缘层，在所述第1绝缘层上形成与所述第2导电层电气连接的第2电极膜，在所述第2电极膜上形成第3抗蚀剂层，在所述第3抗蚀剂层上形成从法线方向上看所述基板面时在一个端部与所述第2导电层重叠、另一端部在与跟所述第2导电层正下面的所述第1导电层邻接的所述第1导电层上形成的所述第2导电层重叠的位置使所述第2电极膜露出的、并排的多个细长状的第3开口，用镀覆法经由所述第3开口分别形成与所述第2电极膜电气连接的第3导电层，将所述第3抗蚀剂层及所述第3抗蚀剂层下层的所述第2电极膜去除，形成由所述第1、第2、第3及第2导电层构成1匝线圈的第1螺旋线圈部，同样地，与所述第1螺旋线圈部同时形成第2螺旋线圈部。10.权利要求9所述的共模扼流圈的制造方法，其特征在于，在所述第2导电层和所述第2电极膜之间形成第1中间电极膜，在所述第1中间电极膜上形成第1中间抗蚀剂层，在所述第1中间抗蚀剂层中形成使所述第1中间电极膜露出、从法线方向上看所述基板面时与所述第1导电层交叉的第1中间开口，用镀覆法在所述第1中间开口内的所述第1中间电极膜上形成第1磁性构件层，将所述第1中间抗蚀剂层及所述第1中间抗蚀剂层下层的所述第1中间电极膜去除，形成由所述第1磁性构件层构成的贯穿所述第1和第2螺旋线圈部的内周侧的芯部，在整个面上形成与所述第2导电层电气连接的第2中间电极膜，在所述第2中间电极膜上形成第2中间抗蚀剂层，在所述第2中间抗蚀剂层中形成使...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥泽信之，吉田诚，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]