电感结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电感结构，配置于基底上方。电感结构包括第一螺旋状导线、第二螺旋状导线以及至少一个增益图案。第一螺旋状导线包括多条第一导线及连接相邻第一导线的第一接合导线。第二螺旋状导线包括多条第二导线及连接相邻第二导线的第二接合导线。第二螺旋状导线与第一螺旋状导线对称于一个对称平面配置，且串接形成２Ｎ圈的螺旋回圈结构，Ｎ为正整数。第一接合导线与第二接合导线交错于对称平面上，且相距于基底位于不同高度，而形成２Ｎ－１个交错处。增益图案配置于由外圈起算的第２Ｎ－１个交错处的第一接合导线下方，并与对应的第一接合导线电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电感结构，且特别是有关于一种能够改善Q值的电 感结构。
技术介绍
一般而言，电感是经由电磁的互相转换，拥有储存和释放能量的功能， 因此电感可作为稳定电流的元件。电感的应用范围相当地广泛，电感常被应 用于例如无线射频(radio frequency, RF)电3各、压控振荡器(voltage-controlled oscillator, VCO)、低噪放大器(low noise amplifier, LNA)或是功率放大器 (power amplifier, PA)等产品。在集成电路中，电感为十分重要但是却极具挑 战性的无源元件。就电感的效能而言，电感的品质越高，即代表电感具有较 高的品质因子(quality factor),以Q值表示。Q值的定义如下Q = coxlVR其中，co为角频率(angular frequency)， L为线圈的电感值(inductance)， 而R为在特定频率下将电感损失列入考虑的电阻(resistance)。就现今发展来说，将电感与集成电路工艺相结合，已有各种方法及技术。 但是，在集成电路中，电感金属厚度的限制以及硅基底对电感的干本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感结构，配置于一基底上方，包括：一第一螺旋状导线，具有一第一端与一第二端，该第二端旋入该第一螺旋状导线的内部，该第一螺旋状导线包括：多数条第一导线；以及一第一接合导线，连接相邻二第一导线；一第二螺旋状导线，与该第一螺旋状导线对称于一对称平面配置，该第二螺旋状导线具有一第三端与一第四端，该第四端旋入该第二螺旋状导线的内部且与该第一螺旋状导线的该第二端相连接，而形成２Ｎ圈的一螺旋回圈结构，其中该Ｎ为正整数，该第二螺旋状导线包括：多数条第二导线；以及一第二接合导线，连接相邻二第二导线，其中该第一接合导线与该第二接合导线交错于该对称平面上，且相距于该基底，该第一接合导线与该第二接合导线位于不同高...

【技术特征摘要】
1.一种电感结构，配置于一基底上方，包括一第一螺旋状导线，具有一第一端与一第二端，该第二端旋入该第一螺旋状导线的内部，该第一螺旋状导线包括多数条第一导线；以及一第一接合导线，连接相邻二第一导线；一第二螺旋状导线，与该第一螺旋状导线对称于一对称平面配置，该第二螺旋状导线具有一第三端与一第四端，该第四端旋入该第二螺旋状导线的内部且与该第一螺旋状导线的该第二端相连接，而形成2N圈的一螺旋回圈结构，其中该N为正整数，该第二螺旋状导线包括多数条第二导线；以及一第二接合导线，连接相邻二第二导线，其中该第一接合导线与该第二接合导线交错于该对称平面上，且相距于该基底，该第一接合导线与该第二接合导线位于不同高度，而形成2N-1个交错处；以及至少一增益图案，配置于由外圈起算的第2N-1个交错处的该第一接合导线下方，并与对应的该第一接合导线电性连接。2. 如权利要求1所述的电感结构，还包括该增益图案配置于该第 1 (2N-2)个交错处的至少其中之一 ，且位于该交错处的位于下方的该接合导 线下方，而且位于该第2N-1个交错处的该增益图案其配置数量大于位于其 他交错处的该增益图案其配置数量。3. 如权利要求1所述的电感结构，还包括该增益图案配置在每一个交错 处的位于下方的该接合导线下方，且位于该第2N-1个交错处的该增益图案 其配置数量大于位于其他交错处的该增益图案其配置数量。4. 如权利要求3所述的电感结构，其中位于其他交错处的该增益图案其 配置数量相同。5. 如权利要求3所述的电感结构，其中每一交错处所配置的该增益图案 的数量，由内圈向外圈逐渐递减。6. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李胜源，林筱筑，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]