【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统的组合物,以及一种降低铋基氧化锌陶瓷系统的烧结温度的方法。
技术介绍
为了适应现今电子产品轻、薄、短、小的需要,集成电路组件被大量采用,为了保护这些集成电路组件不受电涌的损坏,必须采用可在数伏特的低电压下工作的变阻器,故低电压应用的积层芯片型变阻器逐渐受到重视。利用积层技术制作变阻组件,除了有减少体积及方便表面黏着技术应用外,还可精确维持在数伏特至数十伏特的低压范围。现有的变阻器中应用最广泛的是氧化锌系统变阻器,目前商业化的氧化锌系统变阻器根据添加剂的种类大致可分为铋基、镨基、铅硼锌硅玻璃基、钒基等四种,其通过添加剂的添加来改善变阻器的电学特性,再利用一般积层陶瓷组件制备工艺制出积层芯片型变阻器。台湾专利公告第231357号揭示了一种氧化锌变阻器,其中除了使用至少90摩尔%的氧化锌外,还添加了0.001至2.0摩尔%的氧化镁和0.005至1.0重量%的稀土元素氧化物,以便降低变阻器的漏电流。台湾专利公告第345665号揭示了一种钒基氧化锌系统变阻器,其主要包含0.1至2摩尔%钒氧化物及0.65摩尔%以下的钴氧化物和锰氧化物作为添加剂,其虽然可在900℃与银或银/钯金属电极烧结,但其变阻器的特性却远不及镨基和铅硼锌硅玻璃基氧化锌系统。镨基及铅硼锌硅玻璃基氧化锌系统虽然可以避免与内电极钯反应,但其变阻器的特性比铋基氧化锌系统较差,且由于必须使用昂贵的钯电极以维持高温烧结,使得最终产品的成本居高不下。在上述氧化锌变阻器系统中,铋基氧化锌材料系统的电学特性是最好的,但是当其在高温共烧时,无法使用纯银作为内电极,一般常 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统的组合物,其包含氧化锌粉末和添加剂,所述添加剂包含氧化锑和氧化铋,且锑/铋的摩尔数比小于2.5。2.如权利要求1的组合物,其中锑/铋的摩尔数比小于2.0。3.如权利要求1的组合物,其中锑/铋的摩尔数比小于0.5。4.如权利要求1的组合物,其中所述氧化锌粉末的含量至少为90摩尔%,所述添加剂的含量至多是10摩尔%。5.如权利要求1的组合物,其中所述氧化锌粉末的粒径小于0.3μm。6.如权利要求5的组合物,其中所述氧化锌粉末的粒径在0.15至0.30μm之间。7.如权利要求1的组合物,其中所述添加剂还包含金属氧化物及其混合物,所述金属氧化物的金属选自铬、锰和钴。8.如权利要求1的组合物,其还包含0.001至1摩尔%的氢氧化铝。9.如权利要求1的组合物,其还包含硼锌化合物,相对于所述氧化锌粉末,其含量为0.01至10重量%。10.如权利要求9的组合物,其中所述硼锌化合物为[(ZnO)4·B2O3]。11.一种铋基氧化锌积层芯片型变阻器,其包含如权利要求1-10中任一项的组合物。12.如权利要求11的变阻器,其包含可与所述组合物在低温下共烧的金属作为内电极。13.如权利要求12的变阻器,其中所述金属为纯银。14.如权利要求12的变阻器,其中所述纯银与所述组合物的烧结温度低于1000℃。15.如权利要求14的变阻器,其中所述纯银与所述组合物的烧结温度低于900℃。16.一种降低铋基氧化锌陶瓷系统的烧结温度的方法,所述铋基氧化锌陶瓷系统由一组合物烧结而成,该方法包括(a)提供氧化锌粉末;和(b)添加添加剂至该氧化锌粉末中以形成所述组合物,其中所述添加剂包含氧化锑和氧化铋,且锑/铋的摩尔数比小于2.5。17.如权利要求16的方法,其中所述锑/铋的摩尔数比小于2.0。18.如权利要求16的方法,其中所述锑/铋的摩尔数比小于0.5。19.如权利要求16的方法,其中所述添加剂的添加量至多是10摩尔%,所述氧化锌粉末的含量至少为90摩尔%。20.如权利要求16的方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径小于0.3μm。21.如权利要求20的方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径在0.15-0.30μm之间。22.如权利要求16的方法,其中所述添加剂还包含金属氧化物及其混合物,所述金属氧化物的金属选自铬、锰和钴。23.如权利要求16的方法,其还包括(c)添加0.001至1摩尔%的氢氧化铝以形成所述组合物。24.如权利要求16的方法,其还包括(c)添加硼锌化合物以形成所述组合物,相对于所述氧化锌粉末,所述硼锌化合物的含量为0.01至10重量%。25.如权利要求24的方法,其中所述硼锌化合物为[(ZnO)4·B2O3]。26.一种用以制造铋基氧化锌...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文熙,李英杰,黄国桢,苏哲仪,林世彬,
申请(专利权)人:国巨股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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