一种减少PI胶丝残留的方法技术

本发明专利技术公开了一种减少PI胶丝残留的方法，涉及半导体领域，解决了PI胶丝残留的问题，其技术方案要点是：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理；达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留，以去除划片道及PAD层的胶丝残留。丝残留。丝残留。

【技术实现步骤摘要】
一种减少PI胶丝残留的方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种减少PI胶丝残留的方法。

技术介绍

[0002]目前半导体产业产业中，对介质光刻后，划片道和PAD区出现大量胶丝残留，由于前一层金属层使用湿法刻蚀工艺，湿法刻蚀会产生侧向腐蚀，die边缘高台阶处被侧向腐蚀形成角落或者缝隙，在PAD层涂胶时容易隐藏的胶丝，这些胶丝无法被完全腐蚀掉而形成残留。这些残留胶丝会极大的影响外观和产品的电性参数。
[0003]传统的处理方法采用常常是在光刻工艺中增加曝光的功率，或者增加显影时间来处理。但是效果往往都不理想，甚至造成过曝光或者过显影的损害。
[0004]基于以上问题，需要对传统的工艺方法进行改进，从而解决划片道和PAD层出现胶丝残留的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是湿法刻蚀工艺会使得划片道的die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙，这些PI胶丝在角落或者缝隙无法被完全腐蚀掉而形成残留，本专利技术的目的是提供一种减少PI胶丝残留的方法，达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留，以去除划片道及PAD层的胶丝残留。
[0006]本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0007]一种减少PI胶丝残留的方法，所述方法包括：
[0008]步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；
[0009]步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；
[0010]步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；
[0011]步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。
[0012]针对现有技术中PI产品在做PI光刻时，湿法刻蚀工艺会使得划片道的die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙，这些PI胶丝在角落或者缝隙无法被完全腐蚀掉而形成残留，导致划片道和PAD区出现大量胶丝残留，划片道胶丝虽不影响产品电性能参数，但外观质检不合格；PAD区胶丝残留对后面封装成品电性参数影响很大，需要在晶圆出厂前进行涂黑，影响产品良率。
[0013]基于此，本专利技术在产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，对产品片做曝光处理及烘烤处理，在对经过烘烤处理的产品片做冷板处理，均是采用的现有技术，在此不赘述；对冷板处理后的产品片进行显影处理，此处工艺处理中，通过在振荡显影环节预留光刻胶用以包裹die边缘高台阶，通过控制振荡显影的时间来使得光刻胶刚好可以包裹die边缘高台阶因湿法刻蚀工艺所形成的角落或者缝隙，避免die边缘高台阶在高速旋转时角落或者缝隙里的PI胶甩出来形成PI胶丝残留；最后在对经过显影后的产品片进行烘烤处理，也是现
有技术，在此不赘述。
[0014]进一步的，所述步骤一中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。
[0015]进一步的，所述步骤二中的冷板处理的温度为23℃，冷板的时间为60s。
[0016]进一步的，所述步骤三的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进行甩干处理；
[0017]将显影液喷在已甩干表面水分的产品片上；
[0018]对喷显影液的产品片进行振荡显影处理；
[0019]对振荡显影处理后的产品片再次进行冲水及甩干处理。
[0020]进一步的，所述振荡显影环节预留光刻胶，光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
[0021]进一步的，控制显影时间为75
‑
79s使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
[0022]进一步的，采用负胶清洗剂去除刚好包裹住die边缘高台阶的预留光刻胶。
[0023]进一步的，所述步骤四中的硬烤的温度为110℃，硬烤的时间为60s。
[0024]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0025]本专利技术在振荡显影环节预留光刻胶，通过控制显影的时间来使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶，最后通过负胶清洗剂去除die边缘高台阶上预留的光刻胶，使得PI产品划片道上无PI胶丝残留，其影响面积由3％减少到0，并且在PAD区无PI胶丝残留。
附图说明
[0026]此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：
[0027]图1为本专利技术实施例的方法流程图；
[0028]图2A
‑
图2B为现有工艺方法下的产品照片；
[0029]图3为本专利技术提供的工艺方法所得出产品照片。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。
[0031]需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。
[0032]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0033]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，
除非另有明确具体的限定。
[0034]实施例一
[0035]如图1所示，本实施例提供一种减少PI胶丝残留的方法，方法包括：
[0036]步骤S1，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；
[0037]步骤S2，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；
[0038]步骤S3，将冷板处理后的产品片进行显影处理；
[0039]步骤S4，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。
[0040]具体的，在步骤S3中，对冷板处理后的产品片进行显影处理，此处工艺处理中，通过在振荡显影环节预留光刻胶用以包裹die边缘高台阶，通过控制振荡显影的时间来使得光刻胶刚好可以包裹die边缘高台阶因湿法刻蚀工艺所形成的角落或者缝隙，避免die边缘高台阶在高速旋转时角落或者缝隙里的PI胶甩出来形成PI胶丝残留。
[0041]优选地，步骤S1中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。
[0042]对产品片进行烘烤处理用以减少产品片的驻波效应。
[0043]优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。2.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤一中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。3.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤二中的冷板处理的温度为23℃，冷板的时间为60s。4.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤三的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思颖，杨明，何嘉宾，刘光明，刘珍一，王大伟，杨惠，欧博文，
申请(专利权)人：四川广义微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：