一种减少PI胶丝残留的方法技术

本发明专利技术公开了一种减少PI胶丝残留的方法，涉及半导体领域，解决了PI胶丝残留的问题，其技术方案要点是：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理；达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留，以去除划片道及PAD层的胶丝残留。丝残留。丝残留。

【技术实现步骤摘要】
一种减少PI胶丝残留的方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种减少PI胶丝残留的方法。

技术介绍

[0002]目前半导体产业产业中，对介质光刻后，划片道和PAD区出现大量胶丝残留，由于前一层金属层使用湿法刻蚀工艺，湿法刻蚀会产生侧向腐蚀，die边缘高台阶处被侧向腐蚀形成角落或者缝隙，在PAD层涂胶时容易隐藏的胶丝，这些胶丝无法被完全腐蚀掉而形成残留。这些残留胶丝会极大的影响外观和产品的电性参数。
[0003]传统的处理方法采用常常是在光刻工艺中增加曝光的功率，或者增加显影时间来处理。但是效果往往都不理想，甚至造成过曝光或者过显影的损害。
[0004]基于以上问题，需要对传统的工艺方法进行改进，从而解决划片道和PAD层出现胶丝残留的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是湿法刻蚀工艺会使得划片道的die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙，这些PI胶丝在角落或者缝隙无法被完全腐蚀掉而形成残留，本专利技术的目的是提供一种减少PI胶丝残留的方法，达到去除die边缘高台阶侧向腐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。2.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤一中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。3.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤二中的冷板处理的温度为23℃，冷板的时间为60s。4.根据权利要求1所述的一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述步骤三的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思颖，杨明，何嘉宾，刘光明，刘珍一，王大伟，杨惠，欧博文，
申请(专利权)人：四川广义微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：