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本发明公开了一种减少PI胶丝残留的方法,涉及半导体领域,解决了PI胶丝残留的问题,其技术方案要点是:步骤一,对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶,并采用光刻工艺进行曝光处理,再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理;步骤二,将烘烤处理后的产品片进...该专利属于四川广义微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川广义微电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种减少PI胶丝残留的方法,涉及半导体领域,解决了PI胶丝残留的问题,其技术方案要点是:步骤一,对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶,并采用光刻工艺进行曝光处理,再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理;步骤二,将烘烤处理后的产品片进...